半導體,半導體封裝,半導體晶片,半導體模塊技術資料 (198元/全套）
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[8139-0159-0001] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明公開了一種半導體器件，在半導體襯底上包括：由多個絕緣膜形成的絕緣結構；埋在絕緣結構中，并由多個導電層形成的互連結構；以及由與形成互連結構的導電層相同的導電層形成，并埋在各絕緣膜的表面側中的多個虛擬圖案，并且互連結構附近的虛擬圖案通過通路部分彼此相連接。這樣，加固了互連結構附近的絕緣結構，并可以防止由機械應力或熱應力引起的在絕緣膜之間的界面或層間絕緣膜中的裂縫和剝落的產生。
[8139-0212-0002] 直接芯片連接的結構和方法
[摘要] 一種半導體封裝(101)具有管芯(1)、引線框(4)、鍵合焊盤(6)、密封體(3)以及線鍵合球(2)。通過鍵合鍵合線(7)的一端在鍵合焊盤上形成線鍵合球，并除去鍵合線的其余部分。參考引線框上的基準(5)記錄焊接線鍵合球的位置(23)。密封體覆蓋管芯、熔敷金屬以及引線框的管芯焊接標記(24)。在除去密封體處露出線鍵合球。形成線鍵合球時，通過記錄的坐標確定露出線鍵合球制成開口(17)的位置。鍍覆露出的線鍵合球，形成電連接到管芯的引出端。
[8139-0111-0003] 自對準半導體接觸結構及其制造方法
一種自對準接觸結構及其形成方法，包括限定的鄰近柵電極，相鄰的側壁構形得相互角形相對。使用襯里層保護柵電極的角形表面，襯里層延伸接觸窗口的長度，定義了接觸窗口的側壁。
[8139-0167-0004] cmos元件及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種cmos元件，其結構包括將壓縮或拉伸應力材料層設于pmos晶體管表面，并將拉伸應力材料層設于nmos晶體管表面。本發明并提供上述的cmos元件的制造方法。
[8139-0079-0005] 絕緣體上緩和sige層的制備
[摘要] 本發明公開了一種用于在絕緣體(74)的緩和sige(sgoi)上形成應變si或應變sige的方法，在半導體襯底上生長緩變si1-xgex層(20)和外延si1-ygey層，在所述si1-ygey層(30)中注入氫(70)，以形成富氫缺陷層，通過化學機械拋光平滑表面，通過熱處理將兩個襯底粘結在一起，并在富氫缺陷層分離兩個粘結的襯底。可以通過cmp對分離的襯底的上表面(75)進行平滑，該上表面用于外延淀積其它層。
[8139-0181-0006] 氧化鋅膜和使用它的光電元件、以及氧化鋅膜的形成方法
[摘要] 提供一種氧化鋅膜和使用它的光電元件、以及氧化鋅膜的形成方法。該氧化鋅膜在表面上具有由凸部組成的多個結構物，該凸部具有第一面和第二面以一根曲線連接的結構，該結構物具有的該第一面的平均傾斜角的大小在30度以上60度以下的范圍，該第二面的平均傾斜角的大小在10度以上35度以下的范圍的凸部，占上述多個凸部的半數以上。由此，可以提高作為光電元件的光封閉層所使用的氧化鋅膜的特性及耐久性，同時可以便宜地形成。
[8139-0037-0007] 固態圖像拾取器件及其制造方法
[摘要] 本發明公開一種固態圖像拾取器件及其制造方法，其在其中設置有光電二極管、讀取電路(n型區(750)和n+型(760))等的外延襯底(710)的第一表面(前面)上具有布線層(720)，且在第二表面(背面)具有受光平面，光電二極管和光電二極管周圍的p型阱區(740)設置在未到達襯底背面(受光表面)的層結構中，且在襯底(710)內形成電場，以將自襯底背面(受光表面)進入的電子適當地引導至光電二極管。通過在外延襯底(710)的深度方向設置濃度梯度來獲得該電場。另外，通過設置用于饋送電流的背面電極(810)或(840)可以獲得該電場。
[8139-0088-0008] 熱處理裝置和熱處理方法
[摘要] 熱處理裝置具有處理容器28和被放置到處理容器28內、多級支撐被處理體w的被處理體舟30。當操作員比如從輸入操作部18輸入所希望的作業識別記號j1～jh時，則通過利用該作業識別記號所特定的作業處方，分別從布局存儲部16和流程存儲部14讀出布局程序和流程程序，并按作業處方所表示的時間序列的順序依次執行這些程序。由此，只選擇作業識別記號就可以選擇各種布局程序和流程程序的組合。
[8139-0039-0009] 提高生產效率及靈敏度的圖像傳感器
[摘要] 本發明提供一種提高生產效率及靈敏度的圖像傳感器。含有數個單位像素，該像素由：在上述半導體基板的上部形成的氧化膜；與在該氧化膜的上部形成的控制電極；與在該控制電極上以一定的間隙隔離、位于其一方、上部具有界面，在半導體基板內被形成的光電二極管n型區；與在上述控制電極上以一定的間隙隔離、位于其另一方、上部具有界面，在半導體基板內被形成為游離擴散區的n+型區構成。在晶片拉鑄時，即使用少數掩膜也可進行制造。所以不僅具有可節約制造成本的效果，而且由于無需將p型雜質注入，而簡化其制造工藝，所以可提高生產效率。另外，由于保持同一開口率，也可將泄漏噪聲及熱噪聲顯著降低，所以可有效提高靈敏度。
[8139-0001-0010] 包括單獨的抗穿通層的晶體管結構及其形成方法
[摘要] 一種集成電路晶體管結構可以包括襯底上的柵電極和襯底中的靠近柵電極的源/漏區。與襯底分離的抗穿通層靠近源/漏區。
[8139-0194-0011] 圖形形成方法
[8139-0053-0012] 發光裝置
[8139-0041-0013] 具有穩定開關特性的單電子晶體管
[8139-0135-0014] 準直裝置
[8139-0068-0015] 多芯片電路模塊及其制造方法
[8139-0113-0016] 切削裝置
[8139-0138-0017] 在半導體器件中形成隔離膜的方法
[8139-0121-0018] 低阻t-柵極mosfet器件及其制造方法
[8139-0170-0019] 非易失半導體存儲裝置
[8139-0022-0020] 用于在電線端部形成線球的帶有電極的裝置
[8139-0026-0021] 傳送裝置
[8139-0118-0022] 無氨低介電值材料的形成方法
[8139-0124-0023] 電子元件的封裝結構及其制造方法
[8139-0163-0024] 可堆棧半導體封裝件的模塊化裝置及其制法
[8139-0045-0025] 用于動態閾值電壓控制的多晶硅背柵soi mosfet
[8139-0184-0026] 白光發光二極管的制造方法及其發光裝置
[8139-0087-0027] 采用超晶格的無電介質勢壘的開關裝置
[8139-0153-0028] 散熱器和使用了該散熱器的半導體元件和半導體封裝體
[8139-0071-0029] 半導體器件的接觸部分和包括該接觸部分的用于顯示器的薄膜晶體管陣列板
[8139-0098-0030] 半導體裝置
[8139-0180-0031] 半導體膜、半導體膜的制造方法、半導體器件以及半導體器件的制造方法
[8139-0188-0032] 制造晶體半導體材料的方法和制作半導體器件的方法
[8139-0141-0033] 半導體裝置
[8139-0055-0034] 用于加工半導體晶片的集成系統
[8139-0033-0035] 半導體器件及其制造方法
[8139-0036-0036] 用于制備取向的pzt電容器的晶體構造電極的方法
[8139-0029-0037] 半導體器件
[8139-0054-0038] 氮化物系半導體發光元件
[8139-0208-0039] 一種多孔氧化硅膜的制備方法
[8139-0178-0040] 場效應半導體裝置
[8139-0209-0041] 薄膜半導體器件的制造方法
[8139-0116-0042] 化學處理設備中降低晶圓報廢比例的方法
[8139-0010-0043] 元件運送裝置及元件運送方法
[8139-0168-0044] 含有絕緣柵場效應晶體管的半導體器件及其制造方法
[8139-0016-0045] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置的制造系統
[8139-0032-0046] 一種大功率器件及其散熱器件的壓裝方法
[8139-0048-0047] 半導體器件及其制造方法
[8139-0009-0048] 一種磁電復合材料及其制法
[8139-0115-0049] 加工半導體晶片的方法
[8139-0018-0050] 形成功率器件的方法及其結構
[8139-0148-0051] 布線基板、電路基板、電光裝置及其制造方法、電子設備
[8139-0084-0052] 太陽能電池組件和其安裝方法
[8139-0067-0053] 電子部件的散熱結構體和用于該散熱結構體的散熱片材
[8139-0014-0054] 包含背面研磨的半導體晶片加工方法
[8139-0104-0055] 集成電路的圖形設計方法、曝光掩模的制作方法及其應用
[8139-0065-0056] 芯片轉移方法及裝置
[8139-0023-0057] 電子部件的接合方法和電子部件的接合裝置
[8139-0086-0058] 太陽能電池和制造太陽能電池的方法
[8139-0129-0059] 安裝有電子元件的組件的制造方法及相應成品的制造方法
[8139-0058-0060] 被處理件的處理方法及處理裝置
[8139-0057-0061] 帶有超薄垂直體晶體管的快速存儲器
[8139-0215-0062] 制作半導體器件的方法和生成掩膜圖樣的方法
[8139-0160-0063] 具有熔絲的半導體器件
[8139-0060-0064] 襯底處理裝置及襯底處理方法
[8139-0150-0065] 半導體裝置及其制造方法
[8139-0176-0066] 主動式有機發光顯示器及其制造方法
[8139-0013-0067] 半導體襯底生產方法及半導體襯底和半導體器件
[8139-0157-0068] 具有偽結構的半導體器件
[8139-0007-0069] 高效發光二極管及其制造方法
[8139-0173-0070] 半導體器件
[8139-0191-0071] 薄膜晶體管陣列板及其制造方法
[8139-0082-0072] 半導體電路調節器
[8139-0030-0073] 半導體封裝件及封裝半導體的方法
[8139-0017-0074] 薄膜晶體管的制造方法
[8139-0207-0075] 鉍鈦硅氧化物，鉍鈦硅氧化物薄膜，以及薄膜制備方法
[8139-0076-0076] 硅晶片的制造方法及硅晶片以及soi晶片
[8139-0063-0077] 控制蝕刻選擇性的方法和裝置
[8139-0152-0078] 模塑樹脂封裝型功率半導體裝置及其制造方法
[8139-0027-0079] 微電子工藝和結構
[8139-0132-0080] 對半導體器件進行并行測試的裝置和方法
[8139-0155-0081] 引線框及制造方法以及樹脂密封型半導體器件及制造方法
[8139-0139-0082] 甚低有效介電常數互連結構及其制造方法
[8139-0190-0083] 直接從移動運輸裝置上卸載基片載體的基片載體搬運器
[8139-0200-0084] 在半導體工藝中形成亞光刻開口的方法
[8139-0047-0085] 具有多個疊置溝道的場效應晶體管
[8139-0133-0086] 電子部件封裝用薄膜載帶的檢查方法及其檢查裝置
[8139-0140-0087] 形成貫穿襯底的互連的方法
[8139-0182-0088] 電子器件及其制造方法
[8139-0218-0089] 于半導體元件的制造中縮小間距的方法
[8139-0198-0090] 離子摻雜裝置及離子摻雜裝置用多孔電極
[8139-0103-0091] 半導體制程派工控制方法以及制造半導體組件的方法
[8139-0169-0092] 系統組合型半導體裝置
[8139-0031-0093] 半導體封裝及其制造方法以及半導體器件
[8139-0110-0094] 制造半導體器件的方法
[8139-0196-0095] 采用偶極子照明技術依賴屏蔽的定向
[8139-0166-0096] 半導體器件及其制造方法
[8139-0123-0097] 半導體器件及其制造方法
[8139-0044-0098] 半導體器件及其制造方法
[8139-0083-0099] 薄膜晶體管結構及其制造方法和使用它的顯示器件
[8139-0061-0100] 利用經反應的硼硅酸鹽混合物的連結結構
[8139-0051-0101] 一種多量子阱結構及采用該結構的發光二極管
[8139-0075-0102] 等離子體cvd法及其裝置
[8139-0003-0103] 磊晶層的成長方法
[8139-0197-0104] 薄膜半導體器件的制造方法
[8139-0004-0105] 發光元件
[8139-0131-0106] 半導體測試裝置
[8139-0189-0107] 制造納米soi晶片的方法及由該法制造的納米soi晶片
[8139-0185-0108] 增進平坦化氧化銦錫薄膜的方法
[8139-0040-0109] 半導體器件及其制造方法
[8139-0059-0110] 等離子體裝置及其制造方法
[8139-0073-0111] 鐵電電容器及積體半導體內存芯片之制造方法
[8139-0025-0112] 結晶化狀態的原位置監測方法
[8139-0130-0113] 可在集成器件內精確測量組件電氣特性參數的電路
[8139-0199-0114] 半導體集成電路器件的制造方法
[8139-0161-0115] 具有包括緩沖層的熔絲結構的集成電路器件及其制造方法
[8139-0100-0116] 高溫超導約瑟夫遜結及其形成方法、配備該結的超導電子器件
[8139-0020-0117] 具有樹脂部件作為加固件的焊料球的形成
[8139-0038-0118] 具有像素隔離區的圖像傳感器
[8139-0119-0119] 以單一晶圓式化學氣相沉積的反應器連續形成氧化物/氮化物/氧化物絕緣層的制...
[8139-0019-0120] 芯片倒裝焊接
[8139-0049-0121] p型gaas基板znse系pin光電二極管及p型gaas基板znse系雪...
[8139-0102-0122] 磁存儲元件、其制造方法和驅動方法、及存儲器陣列
[8139-0144-0123] 改進的垂直mosfet dram單元間隔離的結構和方法
[8139-0008-0124] 微型溫差電池及其制造方法
[8139-0081-0125] 用于半導體器件的非鑄模封裝
[8139-0012-0126] 電子裝置用襯底、電子裝置用襯底的制造方法、及電子裝置
[8139-0175-0127] 半導體裝置及其制造方法
[8139-0089-0128] 制造光學器件的方法以及相關的改進
[8139-0165-0129] 多功能管腳電路
[8139-0158-0130] 銅雙鑲嵌內連線的焊墊及其制造方法
[8139-0074-0131] 減少半導體容器電容器中的損傷
[8139-0203-0132] 用于電化學機械拋光的導電拋光部件
[8139-0069-0133] 混合集成電路器件及其制造方法和電子裝置
[8139-0213-0134] 檢測光信號的方法
[8139-0204-0135] 制造半導體器件的方法
[8139-0101-0136] 自旋開關和使用該自旋開關的磁存儲元件
[8139-0205-0137] 蝕刻液的再生方法、蝕刻方法和蝕刻系統
[8139-0042-0138] 高壓p型金屬氧化物半導體管
[8139-0005-0139] 發光二極體結構
[8139-0096-0140] 用于旋轉刻蝕平面化電子部件的平面化層及其使用方法
[8139-0091-0141] 熱處理方法和熱處理裝置
[8139-0164-0142] 在芯片內部集成電阻電容乘積的時間常數測試電路
[8139-0052-0143] gan基多量子阱結構及采用該結構的發光二極管
[8139-0145-0144] 半導體器件的制造方法
[8139-0117-0145] 產生氣體等離子體的方法和裝置及制造半導體器件的方法
[8139-0106-0146] 通過選擇性反應生產掩模的非平版印刷方法，生產的制品和用于該方法的組合物
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[8139-0214-0148] 半導體封裝內部的接線檢測方法
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[8139-0107-0151] 形成多晶硅層以及制作多晶硅薄膜晶體管的方法
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