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.以下為光盤目錄：
1、半導體激光驅動電路及光電傳感器
[技術摘要]本發明涉及半導體激光驅動電路及光電傳感器。本發明的目的在于提供一種可以通過單一電源進行高速控制的半導體激光驅動電路，其為用于具有陰極相互共同連接的半導體激光二極管和*控用光電二極管的半導體激光*件的驅動電路。如果激光二極管發光，則電流流過*控用光電二極管，對應于與上述電流對應的電壓電平Vr和標準電壓電平Vref的控制信號并從差動增幅器向NPN型晶體管**使其接通。另外，對*控用光電二極管施加反向偏置電壓。由此，可以利用單一電源進行高速APC控制。

2、光電半導體*件
[技術摘要]本發明涉及一種光電半導體*件，其具有：載體襯底；中間層，其在載體襯底和*件結構之間促成粘附，其中，該*件結構包括活性層，該活性層被設置用于產生輻射。

3、光電子半導體*件
[技術摘要]光電子半導體*件，其中在半導體襯底（12）上設置一有源區（1），該有源區設置在至少一個第一諧振器鏡面層（2）和至少一個第二諧振器鏡面層（3）之間。第一（2）和第二（3）鏡面層具有第一導電類型的半導體材料并且在有源區（1）與兩鏡面層（2、3）之一之間設置至少一個第一導電類型的第一高摻雜過渡層（11）和至少一個第二導電類型的第二高摻雜過渡層（10），并且以此方式設置，使得第二高摻雜簡并過渡層（10）位于有源區（1）和第一高摻雜簡并過渡層（11）之間。

4、光電子半導體芯片
[技術摘要]提供一種具有半導體層序列的光電子半導體芯片，該半導體層序列包括適于產生輻射的有源區并具有橫向主延伸方向，其中，半導體層序列通過具有側表面的襯底來布置，該側表面具有相對于主延伸方向成斜角的側表面區域和/或切口，并且，半導體芯片具有輻射透射性并且導電的接觸層。

5、光電有源半導體材料以及光電池

6、帶有集成半導體的太陽能電池串連裝置和制造方式以及用串連裝置制造的光電模型
7、提高半導體光電**器件性能的方法
8、半導體泵浦激光打標機的激光電源
9、有機化合物及使用了它的半導體薄膜電極、光電***件、光電化學太陽能電池
10、光電的半導體*件
11、晶圓級光電半導體組裝構造
12、光電半導體裝置
13、半導體光電化學電池單*的制造方法及該電池單*
14、晶圓級光電半導體組裝構造及其制造方法
*、具有高發光效率的光電半導體*件
16、一種三層結構的半導體光電角度傳感器
17、制造具有無等離子體損壞的光電二極管的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器的方法
18、提高半導體光電**器件性能的方法
19、用于在半導體層內制造具有降低了的電導率的區域的方法以及光電子半導體器件
20、含P型三族氮化合物半導體的光電半導體*件的制造方法
21、PbTe半導體光電導中*探測器及制備方法
22、半球形和球形雙光子響應半導體光電探測器
23、半導體光電陰極
24、包含光電活性半導體材料的光電池
25、用于光電子學的半導體芯片及其制造方法
26、非模制半導體器件和采用它的光電器件模塊
27、連續自對準半導體光電子器件與模斑**器的集成
28、光電子半導體部件和用于這種部件的殼基體
29、高速半導體光電探測器
30、包括多孔半導體層的光電池、其生產方法和太陽能電池
31、一種半導體激光打標機的激光電源輸出控制方法
32、半導體光電探測器及其制造方法
33、半導體光電組件及其切割方法
34、光電子半導體芯片
35、光電子半導體芯片及其制造方法
36、用于制造多個光電子半導體芯片的方法和光電子半導體芯片
37、光電半導體銀銅復合氧化物薄膜材料
38、結晶硅薄膜半導體器件，光電器件及前者的制造方法
39、具有非平行腔結構的半導體光波與光電子器件
40、生物光敏蛋白-納米半導體復合光電極的制備方法
41、在磷化銦InP基片上形成通孔的方法及半導體光電器件
42、半導體光電陰極
43、包括半導體光放大器和光電二極管的集成光電器件
44、光半導體封裝及其制造方法、具有該封裝的光電傳感器
45、光電檢測半導體器件、光電檢測器和圖像顯示裝置
46、光電子半導體*件
47、具有電流擴展層的光電子半導體器件
48、光電容法確定半導體量子點電荷密度的方法
49、光電子半導體芯片
50、光電二極管組件及半導體裝置
51、具有薄膜晶體管的電子器件、矩陣器件、光電顯示器件和半導體存貯器
52、使用通過加熱的化學反應和擴散制造化合物半導體和化合物絕緣體的方法、使用該方法制造的化合物半導體和化合物絕緣體、以及使用該化合物半導體和化合物絕緣體的光電池、電子電路、晶體管和儲存器
53、光電檢測半導體器件、光電檢測器和圖像顯示裝置
54、光電式半導體保安單*
55、半導體光電面、其制造方法及使用該半導體光電面的光檢測管
56、具三族氮化合物半導體緩沖層的光電半導體組件和其制造方法
57、光電半導體密封用樹脂組合物
58、具有可見光響應的多孔薄膜半導體光電極及光電化學反應裝置及制備
59、供半導體光電組件磊晶用的半導體結構組合及其制程
60、用于橫向分離半導體晶片的方法以及光電子器件
61、半導體光電比色計
62、半導體裝置及其制造方法、光電裝置和電子儀器
63、低噪聲半導體光電探測器
64、半導體電極及其制造方法、和使用該半導體電極的光電池
*、具有非矩形基板的半導體光電器件及其制造方法
66、可集中出光的光電半導體*件
67、具有電可調傳遞功能的半導體光電裝置
68、雜環的化合物，其用途、有機半導體材料和電子或光電*件
69、用于光電設備的氘化半導體有機化合物
70、一種用于光電器件封裝的半導體載體
71、寬禁帶半導體納米管 線陣列膜及其制備方法、一種光電極
72、半導體裝置以及包含該裝置的光電裝置
73、具有結合結構的半導體光電*件
74、熱光電的半導體裝置
75、形成氧化鋅薄膜的方法和使用此薄膜制備半導體*件基體和光電*件的方法
76、三維半導體薄膜光電極制備和應用
77、化合物半導體磁阻式光電傳感器
78、借助晶體管從光電二極管讀取信號的半導體器件
79、背面入射型光電二極管陣列、其制造方法以及半導體裝置
80、半導體光電器件
81、光電**裝置及其制造方法和半導體裝置
82、光電半導體*件
83、透鏡置于光纖和半導體激光二極管間的耦合型光電器件
84、一種半導體激光器光電測試裝置
*、有內反射器的半導體光電檢測器
86、具有多層薄膜迭合的半導體層的薄膜光電電動勢*件
87、用于降解乙烯的半導體光電催化電極及其制備方法
88、光電半導體組件
89、一種控溫的半導體光電特性測試樣品架
90、具有非平行腔結構的半導體光波與光電子器件的實現方法
91、半導體光電導開關及其制備方法
92、半導體光電子器件
93、用于制備光電半導體*件密封用環氧樹脂組合物的方法
94、用于制備可分離半導體組件的工藝、特別是制成電子器件、光電器件和光學器件用的襯底
95、光電混合集成半導體光雙穩器件
96、半導體光電傳感器
97、半導體光電探測器芯片結構
98、半導體光電器件
99、一種光電半導體的封裝結構
100、周期性波導結構半導體光電探測器及制作方法
101、光電子半導體芯片
102、基于一維半導體納米結構的光電傳感器及其制作方法
103、一種氮化鎵基半導體光電器件的制作方法
104、光電**器件及其制造方法、以及半導體器件
105、低電容大面積半導體光電檢測器及光電檢測系統
106、光電裝置與互補式金屬氧化物半導體影像感測器的芯片級封裝
107、光電耦合半導體器件及其制造方法
108、用于橫向分離半導體晶片的方法和光電子器件
109、同時降解乙烯與殺菌的半導體光電催化復合電極及制備方法和應用
110、反射式光電半導體組件
111、半導體集成電路、信號傳輸裝置、光電裝置和電子儀器
112、受光電路、半導體激光器件和光拾取裝置
113、半導體光電陰極、以及應用半導體光電陰極的光電管
114、半導體光電子波導通路
1*、光電半導體的封裝結構
116、半導體器件、電路襯底、光電裝置和電子設備
117、光電二極管和其制造方法及半導體裝置
118、半導體光電子器件和混合楔型波導模斑**器集成器件
119、具有薄膜晶體管的電子器件、矩陣器件、光電顯示器件和半導體存貯器
120、具有薄膜晶體管的電子器件、矩陣器件、光電顯示器件和半導體存貯器
121、半導體激光電源
122、半導體激光器探測器和波分復用器混合集成光電組件
123、半導體與光電制程尾氣處理方法
124、光電半導體的封裝結構
*、具有平頂和陡邊響應的半導體光電探測器
126、用于光電子學的半導體芯片及其制造方法
127、將半導體芯片固定在塑料殼本體中的方法、光電半導體構件和其制造方法
128、晶圓級光電半導體組裝構造的制造方法
129、光電及半導體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法
130、以半導體激光二極管為光源的光電傳感器
131、制造光電器件和其它半導體器件用的氫化非晶硅合金的沉積物原料和摻雜劑材料
132、帶有波長**材料的光電子半導體芯片和帶有這種半導體芯片的半導體器件以及用于制造光電子半導體芯片的方法
133、包括半導體的光電***件以及使用其的半導體裝置
134、半導體光電器件
135、高光電**效率的金屬-半導體復合膜
136、半導體光電組件
137、寬勢阱半導體光電器件
138、半導體光電器件
139、光電式半導體保安單*
140、具有薄膜晶體管的電子器件、矩陣器件、光電顯示器件和半導體存貯器
141、半導體*件、顯示裝置、光電裝置及上述的制造方法
142、具有平頂和陡邊響應的半導體光電探測器及實現方法
143、光電變換器，半導體器件和電子設備
144、光電設備和用于大量制作球形半導體顆粒的批量生產設備
145、半導體光電子器件芯片測試用的夾具
146、用于冷卻半導體*件特別是光電子半導體*件的冷卻裝置
147、一種測量半導體納米結構光電性能的設備和方法
148、具有非平行腔結構的半導體光波與光電子器件及實現方法
149、具有分離的吸收和倍增區的基于半導體波導的雪崩光電檢測器
*0、變溫的高阻半導體材料光電測試裝置
*1、利用化合物半導體的選擇性蝕刻制造*透鏡和集成有*透鏡的光電器件的方法
*2、光電子半導體芯片
*3、用于制造多個光電子半導體芯片的方法和光電子半導體芯片
*4、利用化合物半導體的選擇性蝕刻制造*透鏡和集成有*透鏡的光電器件的方法 "
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