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1、利用始于溝槽側壁的橫向生長來制造氮化鎵半導體層
[技術摘要]一個下方氮化鎵層（106）的一個側壁（105）橫向生長進入該下方氮化鎵層中的一個溝槽（107）中，從而形成一個橫向氮化鎵半導體層（108a）。然后可以在該橫向氮化鎵層中制作*電子器件。在該下方氨化鎵層中，位錯缺陷不會明顯地從該側壁橫向傳播進入該溝槽中，致使該橫向氮化鎵半導體層相對地說是無缺陷的。而且，在該橫向氮化鎵層的生長過程中，無需掩蔽該下方氮化鎵層的部分就可以實現該側壁的生長。借助于從該橫向氮化鎵層生長一個第二氮化鎵半導體層，可以進一步降低該橫向氮化鎵半導體層的缺陷密度。

2、氮化鎵基半導體層疊結構、其制造方法以及采用該層疊結構的化合物半導體和發光器件
[技術摘要]一種氮化鎵基半導體層疊結構，包括低溫沉積緩沖層和有源層。所述低溫沉積緩沖層由III族氮化物材料構成，其已在低溫下生長并以生長狀態包括單晶層，所述單晶層存在于與藍寶石襯底的面接觸的結區域的附近。所述有源層由設置在所述低溫沉積緩沖層上的氮化鎵基半導體層構成。所述單晶層由包含相對于鎵占多數的鋁的六方AlX

3、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
[技術摘要]一種氮化鎵系III-V族化合物半導體器件，包括：具有第一和第二主表面的襯底；和形成在所述襯底的第一主表面之上、含有n型氮化鎵系III-V族化合物半導體層和p型氮化鎵系III-V族化合物半導體層的半導體疊層結構；其中，所述p型半導體層設置在所述n型半導體層上，且平面為矩形形狀；所述p型半導體層的平面矩形的對角線上的角部、存在露出所述n型半導體層的n型半導體的露出部分；在所述n型半導體層的露出部分中設置有第一電極，以及在所述p型半導體層中設置有透光性的第二電極。

4、氮化物半導體自支撐襯底生長方法及專用設備
[技術摘要]本發明公開了一種能夠制備無裂的氮化物半導體自支撐襯底的方法及其專用設備。該方法包括：步驟A.采用HVPE法開始在異質襯底上生長氮化物單晶膜；步驟B.在氮化物單晶生長結束降溫之前采用**性氣體在高溫下將所述異質襯底盡量**掉。該專用設備是將普通的用于制備氮化物自支撐襯底的HVPE反應器至少增加**性氣體的通路而形成的，**性氣體的通路用于引入**性氣體到異質襯底，以**該異質襯底。所述**性氣體通路可為異質襯底基座桿內形成的中空內腔，該中空內腔和氮化物生長反應腔通過異質襯底隔開。該方法避免了降溫過程中熱應力造成的晶片破裂問題，尤其適于氮化鎵、氮化鋁襯底的制備。

5、化合物半導體構件的損傷評價方法
6、一種檢測氮化鎵基半導體發光二極管結溫的方法
7、半導體發光器件雙異質結構及發光二極管
8、一種高效半導體納米材料的制備方法及其應用
9、一種半導體光發射器件及其制作方法
10、一種多電極氮化鎵基半導體器件的制造方法
11、半導體激光器和其制造方法
12、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
13、在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導體層，并由此制造氮化鎵半導體結構的方法
14、具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ-Ｖ族化合物半導體器件及其制造方法
*、氮化鎵基化合物半導體發光器件
16、一種高效半導體納米材料的應用
17、在硅底材上成長三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法
18、一種氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的電極
19、半導體發光*件
20、藍寶石基板、外延基板及半導體裝置
21、氮化物半導體裝置及其制作方法
22、氮化鎵系化合物半導體發光*件及其窗戶層結構
23、氮化鎵基化合物半導體發光器件
24、在藍寶石襯底上形成半導體發光二極管管芯的方法
25、基于氮化鎵半導體的紫外線光檢測器
26、半導體*件的制造方法
27、半導體器件
28、新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管
29、基于氮化鎵的化合物半導體發光器件
30、氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
31、氮化鎵系化合物半導體發光器件
32、氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
33、氮化鎵系化合物半導體發光*件的制造方法、氮化鎵系化合物半導體發光*件以及使用該發光*件的燈
34、半導體裝置及其制造方法
35、氮化鎵基化合物半導體發光器件
36、半導體*件以及半導體*件的制造方法
37、具有緩沖電極結構的氮化鎵半導體芯片
38、氮化鎵類半導體*件及其制造方法
39、導電和絕緣準氧化鋅襯底及垂直結構的半導體發光二極管
40、氮化鎵化合物半導體制造方法
41、氧化鎵單晶復合體及其制造方法和使用氧化鎵單晶復合體的氮化物半導體膜的制造方法
42、一種氮化鎵基半導體光電器件的制作方法
43、氮化鎵半導體激光器
44、半導體晶片、半導體裝置及其制造方法
45、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
46、氮化鎵類化合物半導體發光*件及其制造方法
47、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置及其制造方法
48、氮化鎵半導體裝置的封裝
49、基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
50、反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導體發光器件
51、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
52、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
53、氮化鎵系半導體的成長方法
54、半導體激光器和其制造方法
55、半導體激光器件及其制造方法
56、半導體*件及其制造方法
57、半導體器件及其制備方法
58、化合物半導體構件的損傷評價方法
59、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體發光裝置
60、基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
61、具有電流狹窄層的氮化物半導體激光器*件及其制造方法
62、制造半導體激光器的方法
63、半導體場效應晶體管及其制造方法
64、氮化物半導體器件的制造方法及氮化物半導體器件
*、氮化物半導體、其制造方法以及氮化物半導體*件
66、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
67、氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法
68、半導體裝置的制造方法
69、制備半導體基板的方法
70、氮化鎵系列化合物半導體*件
71、一種大面積自支撐寬禁帶半導體材料的制作方法
72、氮化鎵序列的復合半導體發光器件
73、半導體發光*件和半導體發光裝置
74、基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
75、改善氮化鎵基半導體發光二極管歐姆接觸的合金方法
76、制造氮化鎵半導體發光器件的方法
77、生產氮化鎵膜半導體的生產設備以及廢氣凈化設備
78、自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體*件的制造方法
79、半導體燈
80、垂直氮化鎵半導體器件和外延襯底
81、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置
82、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
83、通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導體層的方法及由此制作的氮化鎵半導體結構
84、半導體化合物發光二極管組件及其制造方法
*、氮化物半導體發光器件及其制造方法
86、氮化鎵系化合物半導體磊晶層結構及其制造方法
87、具有低阻抗歐姆接觸的ⅢA族氮化物半導體器件
88、增加內量子效率的半導體發光二極管的量子阱結構
89、氮化鎵半導體發光*件
90、氮化鎵基化合物半導體發光器件及其制造方法
91、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
92、半導體發光*件
93、氮化鎵半導體器件
94、氮化鎵系化合物半導體發光*件的制造方法、氮化鎵系化合物半導體發光*件和使用它的燈
95、氮化鎵基化合物半導體器件
96、氮化鎵基化合物半導體發光器件
97、氮化鎵系化合物半導體發光*件
98、氮化物半導體器件及其制造方法
99、具有歐姆接觸的半導體裝置及其制造方法
100、不對稱的脊形氮化鎵基半導體激光器及其制作方法
101、氮化鎵系化合物半導體發光*件的制造方法、氮化鎵系化合物半導體發光*件和燈
102、新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管及其生產工藝
103、氮化鎵化合物半導體發光*件及其制造方法
104、外延基底和半導體*件
105、氮化物半導體發光*件
106、通孔垂直結構的半導體芯片或器件
107、一種用于光電器件封裝的半導體載體
108、氮化鎵系化合物半導體激光*件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光*件
109、氮化鎵基半導體器件
110、半導體發光*件及其制造方法
111、一種提高氮化鎵基半導體材料發光效率的方法
112、制作氮化鎵半導體*件中劈裂鏡面的方法
113、氮化鎵系化合物半導體發光*件
114、氮化物半導體襯底及其制造方法
1*、一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法
116、GaN系半導體發光*件和燈
117、晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件
118、摻雜層中按設定圖形嵌入金屬層的半導體電致發光器件
119、氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法
120、氮化鎵類化合物半導體發光*件及其制造方法
121、氮化物半導體激光器
122、一種制備氮化鎵基半導體激光器的P型電極的方法
123、氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法
124、半導體器件及其制造方法
*、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及其制造方法
126、半導體晶體成長方法和半導體發光*件
127、基于GaN半導體的電壓變換器件
128、氮化物半導體發光器件
129、半導體芯片的制造方法以及半導體芯片
130、碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件 "
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