半導體,半導體結構,半導體晶片,半導體組件技術資料 (198元/全套）
全套資料（光盤）售價：198元；辦理貨到付款，電話：0414-3582217 手機：15241901638。網址：www.9999868.com. QQ:81803648.
[8126-0035-0001] 半導體裝置
[摘要] 一種半導體裝置，消減bicmos工藝的工序數量。在p型半導體襯底1的表面較深地形成第一n阱3a、第二n阱3b。在第一n阱3a中形成第一p阱4a，并在該第一p阱4a中形成n溝道型mos晶體管10。第二n阱3b被用于縱型npn雙極晶體管30的集電極。在第二n阱3b中形成第二p阱4b。第二p阱4b和第一p阱4a被同時形成。該第二p阱4b被用于縱型npn雙極晶體管30的基極。在第二p阱4b的表面形成縱型npn雙極晶體管30的n+型發射極層31、p+型基極電極層32。
[8126-0015-0002] 一種增加溝槽電容器的電容的方法
[摘要] 本發明提供了一種增加溝槽電容器的電容的方法，包括下列步驟：提供一基底；于基底表面形成一墊層結構；于墊層結構上形成一光阻圖案，而未被光阻圖案所覆蓋的區域是定義溝槽的區域；以光阻圖案與墊層結構作為蝕刻罩幕，于基底中形成一溝槽；去除光阻圖案；于溝槽下部形成一溝槽電容器；于溝槽電容器上方形成一第一絕緣層；于第一絕緣層上方形成一磊晶層襯墊于溝槽側壁上，以縮小溝槽的開口微距；以及去除未被磊晶層所覆蓋的第一絕緣層。
[8126-0209-0003] 具有其內形成有空隙區的外延圖形的集成電路器件及其形成方法
一種集成電路器件包括襯底。外延圖形在襯底上，且其中形成有一對雜質擴散區和布置在一對雜質擴散區和襯底之間的一對空隙區。一對雜質擴散區的各個至少部分地重疊一對空隙區的各個。柵電極在一對雜質擴散區的各個之間的外延圖形上。
[8126-0201-0004] 半導體器件
[摘要] 一種功率元件封裝(100)包括半導體芯片(7)、散熱組件(1、4)、制模樹脂組件(11)、控制信號的引線端子(8)以及大電流的引線端子(9，1 0)。在散熱組件的受熱表面(1p)上，設置了絕緣層(2)以及導電層(3)。控制信號的引線端子經由導電層與半導體芯片的柵極(7g)電氣連接。半導體芯片的發射極(7e)經由焊接組件(6)而與受熱表面的非絕緣部分(1p)電氣連接。
[8126-0004-0005] 晶圓表面離子取樣系統及方法
[摘要] 一種晶圓表面離子取樣方法，此方法是先提供欲檢測的晶圓，并將該晶圓置于取樣室內，欲取樣的晶圓表面朝上。然后持續噴灑萃取液于晶圓的表面，以形成水膜，并維持水膜的厚度使晶圓表面的離子污染物溶入萃取液中。然后收集取樣室底部的萃取液。
[8126-0159-0006] 一種p-zn1-xmgxo晶...
[摘要] 本發明的p-zn1-xmgxo晶體薄膜，是以b、al、ga、in中的一種或幾種為施主、以n、p、as氣體中的一種或幾種為受主共摻雜的p-zn1-xmgxo晶體薄膜，x的摩爾含量為0＜x＜40％，摻雜濃度為1015～1019cm-3。薄膜的制備采用脈沖激光沉積法，靶材是由高純zno、mgo和施主摻雜劑粉末混合燒結的陶瓷靶，其中mgo的摩爾含量為0＜x＜40％，施主摻雜劑的摩爾含量為0＜y＜3％，生長溫度為400～700℃，生長氣氛為經等離子體活化的含受主的氣體和高純o2的混合氣體，摻雜濃度可通過調節輸入的含受主氣體和高純o2的不同分壓比、靶材中施主摻雜劑的摩爾含量以及后續退火處理的溫度來控制。
[8126-0187-0007] 瓶型溝槽電容的制造方法
[摘要] 本發明揭示一種瓶型溝槽電容的制造方法。首先，在一基底的溝槽下半部填入一導電層，且其被一具摻雜層所包圍。接著，在基底上及溝槽上半部順應性形成一絕緣層以覆蓋導電層及具摻雜層。之后，對基底實施一熱處理以在鄰近具摻雜層的基底中形成一摻雜區以作為一下電極。接著，非等向性蝕刻絕緣層以在溝槽上半部側壁形成一項圈絕緣層，并作為罩幕以依序去除導電層及具摻雜層而露出摻雜區表面，再部分蝕刻露出的摻雜區以構成一瓶型溝槽。最后，在瓶型溝槽下半部依序順應性形成一粗糙復晶硅層及一電容介電層并填入一導電層以作為一上電極。
[8126-0218-0008] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種半導體器件及其制造方法。根據本發明，提供一種使用簡化的步驟制造半導體器件的方法，同時提高半導體器件中的每個元件的電性能。在其上形成有存儲柵電極、控制柵電極和柵電極的半導體襯底上依次形成氧化硅膜、氮化硅膜、以及氧化硅膜。然后通過濕刻蝕除去在柵電極上形成的氧化硅膜。通過各向異性干刻蝕依次除去在半導體襯底上形成的氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜，由此形成具有相對大的寬度和相對小的寬度的側壁隔片。
[8126-0045-0009] 固體攝像器件及其驅動方法、以及攝像機
[摘要] 本發明提供一種固體攝像器件及其驅動方法、以及攝像機。固體攝像器件具有：攝像部，由多個像素組成；以及掃描電路，由輸出選擇信號的動態邏輯電路組成，上述選擇信號選擇上述攝像部的像素；而且，在上述掃描電路和上述攝像部之間設有自舉電路，上述自舉電路在1個水平掃描期間內保持來自掃描電路的選擇信號，并且，將保持的選擇信號和對向上述攝像部的輸出定時進行指定的驅動信號的邏輯“與”，輸出到攝像部。
[8126-0153-0010] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 提供一種半導體器件的制造方法，該方法包括在從基板上分離形成在基板上的包括半導體元件或集成電路的元件形成層將其粘結到另一個基板上的情況下能夠控制基板和元件形成層的附著力的轉移步驟。在形成在基板(第一基板)上的半導體元件或由多個半導體元件構成的集成電路與基板之間形成由好的附著力的材料制成的粘合劑，由此，能夠在制造半導體元件的過程中防止半導體元件從基板上脫落，而且，通過在形成半導體元件之后去除粘合劑，更容易從基板上分離半導體元件。
[8126-0149-0011] 一種金剛石涂層al2o3電子...
[8126-0002-0012] 半導體晶片的制造方法
[8126-0176-0013] 半導體裝置的制造方法和電子設備的制造方法
[8126-0188-0014] 半導體集成電路器件
[8126-0150-0015] 制造合并型半導體裝置的方法
[8126-0042-0016] 半導體存儲器
[8126-0161-0017] 一種實時摻氮生長p型氧化鋅晶體薄膜的方法
[8126-0074-0018] 制造半導體器件的方法
[8126-0065-0019] 多層半導體晶片結構
[8126-0206-0020] 靜電放電保護機構及應用此機構的液晶顯示板
[8126-0155-0021] 具有用于防止水從外部進入電路區的保護環的半導體器件
[8126-0027-0022] 固體攝象裝置及其制造方法
[8126-0203-0023] 半導體裝置及其制造方法
[8126-0163-0024] 具有局部蝕刻柵極的半導體結構及其制作方法
[8126-0007-0025] 避免出氣污染之前開式晶圓盒以及避免出氣污染的方法
[8126-0052-0026] 長余輝發光二極管
[8126-0193-0027] 封裝基板
[8126-0191-0028] 半導體裝置制造方法
[8126-0133-0029] 氙預無定形化植入法
[8126-0134-0030] 處理一種如半導體晶片的工件的方法和設備
[8126-0038-0031] 具有位于基底內的選擇柵極的閃存單元及其制造方法
[8126-0048-0032] 絕緣柵型半導體器件
[8126-0097-0033] 發光二極管燈
[8126-0215-0034] 半導體存儲裝置
[8126-0081-0035] 半導體器件
[8126-0210-0036] 可同時具有部分空乏晶體管與完全空乏晶體管的芯片及其制作方法
[8126-0093-0037] 白光發光裝置
[8126-0166-0038] 強電介質膜、電容器及它們的制造方法及強電介質存儲器
[8126-0003-0039] 一種半導體測試用的檢測卡
[8126-0167-0040] 半導體結構的制造方法
[8126-0151-0041] 基板處理裝置
[8126-0126-0042] 半導體器件
[8126-0208-0043] 半導體存儲設備
[8126-0194-0044] 散熱裝置
[8126-0073-0045] 半導體裝置
[8126-0010-0046] 制作鎢插塞的方法
[8126-0054-0047] 高功率發光二極管
[8126-0078-0048] 具有保護內部電路的保護電路的半導體器件
[8126-0061-0049] 真空處理裝置和基板傳送方法
[8126-0107-0050] 封裝的管芯封裝件上的直接增加層
[8126-0145-0051] 超導體方法和反應器
[8126-0148-0052] 一種半導體晶片載具內部的污染采樣方法
[8126-0030-0053] 集成電路
[8126-0036-0054] 互補式金屬氧化物半導體反相器
[8126-0077-0055] 導體襯底，半導體器件及其制造方法
[8126-0172-0056] 一種半導體晶體管的制造方法及其產品
[8126-0095-0057] led燈及其制造方法
[8126-0217-0058] 分離柵極閃存單元及其制造方法
[8126-0067-0059] 碳化硅溝槽式金氧半電晶體
[8126-0198-0060] 半導體裝置
[8126-0013-0061] 可改善銅金屬層結構的表面處理方法
[8126-0091-0062] 低噪聲雙極結型光敏場效應晶體管及制作方法
[8126-0120-0063] 電化學氧化
[8126-0083-0064] 分離柵極快閃存儲器單元及其制作方法
[8126-0213-0065] 半導體器件
[8126-0185-0066] 使用摻雜氧化物溝槽填充之溝槽絕緣
[8126-0189-0067] 半導體裝置的電容器的制造方法
[8126-0180-0068] 安裝半導體芯片的裝置
[8126-0205-0069] 具有均勻導通設計的靜電放電防護電路
[8126-0136-0070] 在充作基板之基礎芯片上具至少一半導體芯片之半導體組件及制造該組件之方法
[8126-0111-0071] 用于藍色磷光基有機發光二極管的材料與器件
[8126-0137-0072] 用于高縱橫比半導體器件的摻硼氮化鈦層
[8126-0056-0073] 低電流和高速相變存儲設備及用于驅動這種設備的方法
[8126-0160-0074] 一種制備p型zno晶體薄膜的方法
[8126-0103-0075] 集成電路中檢查層之間的覆蓋偏移的修正
[8126-0169-0076] 電子器件的制造方法和能量線吸收材料
[8126-0182-0077] 用于測試半導體器件的處理器
[8126-0197-0078] 熱膨脹系數匹配的專用散熱器組件
[8126-0154-0079] 從物體微觀結構中去除殘余物的方法和裝置
[8126-0050-0080] 疊層型光電元件及其制造方法
[8126-0165-0081] 晶片切割方法
[8126-0082-0082] 強電介體薄膜及其制造方法、強電介體存儲器、壓電元件
[8126-0020-0083] 利用導熱元件擴大散熱模組面積的結構
[8126-0005-0084] 防靜電破壞的ic元件測試系統
[8126-0130-0085] 制造熱穩定mtj單元的方法和裝置
[8126-0017-0086] 半導體裝置的制造方法
[8126-0181-0087] 用數字信號和射頻信號發射/識別電路測試rfid芯片的方法
[8126-0138-0088] 半導體裝置及其制造方法
[8126-0207-0089] 半導體裝置及其制造方法、電子設備、電子儀器
[8126-0034-0090] 半導體集成電路器件
[8126-0171-0091] 熱處理裝置、熱處理系統及熱處理裝置的溫度控制方法
[8126-0170-0092] 用于非易失性存儲器的氧-氮-氧介電層制造方法
[8126-0114-0093] 用于控制基本平坦物體上的溫度的溫控卡盤和方法
[8126-0064-0094] 改善晶圓表面平坦度的方法
[8126-0174-0095] 具有鰭片結構的半導體元件及其制造方法
[8126-0057-0096] 硅基可協變襯底上生長三族氮化物的方法
[8126-0102-0097] 干蝕刻方法
[8126-0156-0098] 半導體組件的多重間隙壁寬度的制造方法
[8126-0087-0099] 固態成像裝置、信號處理裝置、攝像機及光譜裝置
[8126-0146-0100] 判斷造成半導體機臺異常原因的系統與方法
[8126-0099-0101] 具有恢復功能的相變存儲器和方法
[8126-0113-0102] 具有有機層的光輻射構件
[8126-0018-0103] 制造半導體集成電路的方法及由此制造的半導體集成電路
[8126-0177-0104] 用于采用超聲焊接在其上安裝半導體芯片的基板
[8126-0157-0105] 微晶圖制作過程
[8126-0127-0106] 絕緣體上外延硅(soi)溝槽光電二極管及其形成方法
[8126-0009-0107] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8126-0212-0108] 半導體器件及其制造方法
[8126-0080-0109] 半導體集成電路、電子機器及晶體管的背柵電位控制方法
[8126-0168-0110] 穩定材料層性質的方法
[8126-0059-0111] 半導體器件及其制造方法和半導體器件的測試方法
[8126-0084-0112] 非易失浮柵存儲單元及其陣列以及其形成方法
[8126-0068-0113] 倒裝芯片貼合機
[8126-0110-0114] 大功率led照明設備的散熱方式
[8126-0121-0115] 使用不用清理的助焊劑進行倒裝晶片的相互連接
[8126-0195-0116] 半導體芯片模塊及其散熱總成
[8126-0062-0117] 在電漿反應器中用以*電漿以及降低流量阻值的裝置與方法
[8126-0069-0118] 引線接合器
[8126-0105-0119] 通過交替層間電介質實現的無刻蝕阻止層的雙鑲嵌互連
[8126-0117-0120] 結晶裝置和結晶方法以及移相掩模
[8126-0096-0121] 半導體發光元件及其制造方法
[8126-0016-0122] 存儲器的制造方法和存儲器
[8126-0071-0123] 晶片無墨點測試方法及系統
[8126-0140-0124] 用于電子封裝的電磁干擾屏蔽
[8126-0024-0125] 壓鑄或鑄造成型的散熱端結構
[8126-0094-0126] 氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
[8126-0072-0127] 提高封裝集成電路的可測性和減少測試時間的方法及系統
[8126-0032-0128] 半導體裝置及其驅動方法、cpu、圖像處理電路及電子裝置
[8126-0158-0129] 振幅象差評價用掩模圖形、振幅象差評價方法及振幅象差消除濾光器
[8126-0202-0130] 半導體器件及其制造方法
[8126-0204-0131] 半導體器件及其設計方法
[8126-0196-0132] 用于從多個電子元件散熱的專用裝置
[8126-0008-0133] 相對于支撐臺定位基片的方法與設備
[8126-0139-0134] 含具有集成電路和金剛石層的管芯的電子組件及其制作方法
[8126-0116-0135] 半導體制造裝置以及半導體器件制造方法
[8126-0141-0136] 具有多重半導體芯片的半導體組件
[8126-0055-0137] 采用微電-機系統制造技術的射頻元件及其制造方法
[8126-0109-0138] ac性能改進的高電壓npn雙極型器件的生產方法
[8126-0106-0139] 埋入式電路及器件的方法與結構
[8126-0179-0140] 布線基板及其制造方法和半導體器件及其制造方法
[8126-0199-0141] 帶有可見標識的散熱片
[8126-0216-0142] 半導體存儲器件及其讀出放大器部分
[8126-0162-0143] 氣化器
[8126-0049-0144] 薄膜晶體管的雙柵極布局結構
[8126-0115-0145] 電子部件的安裝裝置和安裝方法
[8126-0085-0146] 非易失浮柵存儲單元及其陣列以及其形成方法
[8126-0028-0147] 半導體器件及其制造方法
[8126-0147-0148] 制程水路系統
[8126-0173-0149] 半導體器件的制造方法
[8126-0041-0150] 半導體集成電路器件
[8126-0143-0151] 記憶胞元
[8126-0183-0152] 基片支撐件
[8126-0011-0153] 多層半導體集成電路結構的制作方法及其電路結構
[8126-0039-0154] 快閃存儲單元及其制造方法
[8126-0118-0155] 拋光方法及裝置
[8126-0184-0156] 具有半導體晶片載置臺的半導體處理裝置
[8126-0119-0157] msq-基多孔低-k薄膜材料的等離子體固化
[8126-0063-0158] 場效晶體管的一種閘極結構的制造方法
[8126-0186-0159] 形成瓶型溝槽的方法及瓶型溝槽電容的制造方法
[8126-0051-0160] 光生伏打元件的制造方法
[8126-0047-0161] 半導體結構
[8126-0152-0162] 晶圓/芯片上再分布層的保護方法
[8126-0088-0163] 半導體器件
[8126-0142-0164] 對稱溝槽mosfet器件及其制造方法
[8126-0098-0165] 形成磁性隨機存取存儲器的磁性隧道結層的方法
[8126-0108-0166] 具有esd保護裝置之半導體結構
[8126-0023-0167] 組合式導熱模組
[8126-0112-0168] 包含有機發光二級管的屏幕的吸濕裝置及其制造工藝
[8126-0175-0169] 固態成像裝置及其制造方法
[8126-0101-0170] 干蝕刻方法
[8126-0211-0171] 半導體器件
[8126-0178-0172] 半導體器件的制造方法、柔性襯底和半導體器件
[8126-0046-0173] 電壓控制的容性元件及半導體集成電路
[8126-0128-0174] 在基體材料上構造氧化層的方法
[8126-0031-0175] 拍攝照片用光源裝置
[8126-0014-0176] 半導體器件的制造方法
[8126-0001-0177] 樹脂密封半導體器件、樹脂密封的方法和成型模具
[8126-0037-0178] 具有電容器的半導體設備及其制造方法
[8126-0090-0179] 肖特基勢壘晶體管及其制造方法
[8126-0144-0180] 改進的太陽能電池
[8126-0043-0181] 具有獨立可控的控制柵的雙向讀取/編程非易失性浮柵存儲單元及其陣列和形成方...
[8126-0012-0182] 形成半導體裝置的金屬線的方法
[8126-0033-0183] 半導體集成電路器件
[8126-0123-0184] 從熱剝離型膠片熱剝離晶片切片的方法、電子部件和電路板
[8126-0092-0185] 半導體光接收器件及其制造方法
[8126-0025-0186] 熱超導散熱模組的制造方法
[8126-0029-0187] 半導體器件
[8126-0132-0188] 薄膜形成裝置的洗凈方法
[8126-0040-0189] 快閃存儲胞及其制造方法
[8126-0060-0190] 等離子體處理裝置和高頻電力供給裝置
[8126-0079-0191] 半導體封裝和制造方法
[8126-0053-0192] 發光二極管模塊裝置
[8126-0190-0193] 一種半導體集成電路的制造方法及其產品
[8126-0006-0194] 相對于支撐臺確定襯底位置的方法和裝置
[8126-0019-0195] 可以將熱量傳遞遠距離的導熱塊
[8126-0214-0196] 減少埋層接觸帶外擴散的半導體結構、其制造方法以及半導體存儲器裝置的形成方...
[8126-0026-0197] 半導體器件及其制造方法
[8126-0104-0198] 晶片的形狀評價方法及晶片以及晶片的揀選方法
[8126-0125-0199] 電路組件及其制造方法
[8126-0135-0200] 用于金屬布線的化學機械拋光的漿液組合物
[8126-0076-0201] 制作半導體存儲器件的方法
[8126-0122-0202] 高溫靜電夾盤
[8126-0124-0203] 利用銅擴散阻擋結構的高多孔低k電介質膜的結構加強
[8126-0164-0204] 用碳納米管形成半導體裝置用導電線的方法及半導體裝置
[8126-0192-0205] 形成cmos晶體管的方法
[8126-0200-0206] 具有散熱裝置的高性能冷卻裝置
[8126-0100-0207] 在絕緣體上的外延半導體結構和器件
[8126-0044-0208] 具有多方位的絕緣層上覆硅芯片及其制作方法
[8126-0075-0209] 防止深渠溝的頂部尺寸擴大的領型介電層制程
[8126-0066-0210] 半導體機臺氣體反應室的氣體配送系統及方法
[8126-0021-0211] 熱傳導性復合片及其制造方法
[8126-0129-0212] mgb2高密度超導體塊狀體的制備方法,最終產品及應...
[8126-0089-0213] 薄膜晶體管及其制造方法
[8126-0022-0214] 熱超導塊、片、蓋體的制造方法
[8126-0086-0215] 浮柵存儲器單元的半導體存儲器陣列
[8126-0131-0216] 基座軸的真空泵吸
[8126-0058-0217] 在絕緣體上制造應變結晶層的方法和半導體結構及得到的半導體結構
[8126-0070-0218] 半導體裝置的制造方法
[8126-0219-0219] 半導體器件及其制造方法
更多技術請點擊：大成技術資料網（http://www.9999868.com）
本站每項專利技術資料均含有正式專利全文說明書，含技術配方、加工工藝、質量標準、專利發明人姓名、發明人地址、專利號、專利申請日期、權利要求書、說明書和附圖，并含國家發明專利、實用新型專利、科研成果、技術文獻、技術說明書、工藝流程等，是專業技術人員研發產品和企業產品升級必備的寶貴資料。
保證100%正規專利，技術真實性保證100%，從國家專利局可以查詢，假一罰十。專業為單位或個人產品研發升級創新提供一流的技術支持！
本站提供1000多萬項專利技術、科技文獻、科技論文：技術為從1985年到購買當天的最全最新技術。您如果暫時在我站檢索找不到需要的技術，可來電或在線QQ81803648 911342956咨詢！我們可為您專門定制一套！
購買方式：
(1)、銀行匯款：(網頁標價均為網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號，款到發貨！
中國郵政銀行：6210982250000577108 戶名：潘玉環
中國建設銀行：6227000601700008251 戶名：潘玉環
中國農業銀行：6228481010628176818 戶名：潘玉環
中國工商銀行：0706002301102089632 戶名：潘玉環
中 國 銀 行：6013820500990868543 戶名：潘玉環
公 司 賬 號：7000004507227 （48小時到賬） 開戶銀行：本溪市商業銀行股份有限公司建設支行
(2)、歡迎通過淘寶、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：81803648 911342956聯系辦理。
(3)、郵局地址匯款：117000遼寧本溪市溪湖東路37號200-1-79號 收款人: 潘玉環
(4)、辦理貨到付款業務（比正常購買多付15-30元費用），請與QQ：81803648 911342956聯系。
匯款后請用手機短信（15241901638）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：本溪永昇人力資源開發有限公司
地址：遼寧本溪市溪湖東路37號200-1-79號
電 話：0414-3582217
手 機：15241901638 13358890338
客服QQ：81803648 911342956
本公司供應G816799半導體,半導體結構,半導體晶片,半導體組件技術資料 (198元質量保證，歡迎咨詢洽談。
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
