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.以下為光盤目錄：
1、絕緣柵半導體器件及其制造方法
[技術摘要]根據本發明的槽MOSFET包括：槽之間的臺面區，該臺面區與發射電極相連以固定臺面區電位使得臺面區不會引起任何浮動結構；分布在臺面區內的p型基極區；和設有發射極結構的分布的p型基極區。根據本發明的槽MOSFET有利于在將槽IGBT的導通狀態壓降抑制得和IEGT的導通狀態壓降一樣低的同時降低開關損耗，減少總損耗，并提高其導通屬性。根據本發明的槽MOSFET還有利于減少柵極與其發射極之間的電容，因為減少了柵電極面向發射極結構的區域。以有點窄的間隔設置槽柵極結構的根據本發明的槽MOSFET有利于緩解在槽的底部的電場局部化并獲得高擊穿電壓。根據本發明的槽MOSFET使槽之間的臺面區寬度變窄使得可以通過施加約幾伏的電壓容易地耗盡延伸到槽之間的臺面區中的n型層的延伸

2、半導體光*件及其制造方法
[技術摘要]在p型基板上的低臺面埋入*件結構中，為了具有高的*件特性，提高制造的成品率和run-to-run的再現性，使*件的接觸層成長前，即上部金屬包層成長后的截面形狀變平坦，達到不使接觸層的結晶性有問題的程度。在p型半導體基板上具有至少是由p型金屬包層、活性層和n型金屬包層構成的帶狀層疊體，利用電流阻斷層埋入層疊體的兩側，在電流阻斷層和層疊體上配置n型上部金屬包層和n型接觸層。n型上部金屬包層為使電流阻斷層和層疊體的上表面的凹凸變平坦的半導體結晶。

3、半導體器件及其制造方法和用于制造半導體器件的襯底
[技術摘要]半導體器件及其制造方法和所用的襯底。可保*在半導體層中制造出良好的可解理表面。半導體層２堆疊在藍寶石襯底１上以形成激光器結構。沿應制造腔體邊緣３的半導體層２，在臺面部分１２的相對兩側的位置上，將條形解理輔助槽４制造成平行于半導體層２的（１１—２０）取向表面延伸，并從解理輔助槽４將半導體層２和藍寶石襯底１解理，以制造由半導體層２的可解理表面制成的腔體邊緣３。

4、制作半導體臺面側向電流*結構的技術
[技術摘要]本發明涉及制作半導體臺面側向電流*結構的技術，襯底在生長上目標器件要求的材料后被**或刻蝕成臺面，采用氣相外延生長含阻塞層的二次外延層，然后將對應于臺面上方的部分阻塞層挖穿，再生長三次外延層。由于避免了現有技術中的帶掩膜的生長工藝，該方法適用于各種襯底，而且工藝過程易于控制，工藝容差大，并能夠獲得更好的器件性能。

5、半導體裝置以及半導體裝置的制造方法6、半導體器件芯片臺面噴腐局部防護方法及裝置
7、半導體器件及其制造方法
8、半導體器件及其制造方法
9、表面發光型半導體*件及其制造方法
10、半導體器件的制造方法和回旋管
11、半導體器件臺面防護方法及裝置
12、半導體器件
13、半導體光裝置
14、半導體器件
*、半導體器件
     
16、半導體發光器件
17、半導體平臺工藝
18、利用硼離子注入法實現氮化物半導體器件的有源區之間隔離的方法
19、功率半導體器件及制造方法
20、半導體器件及制造方法
21、氮化物半導體發光*件
22、半導體發光*件
23、半導體光學*件
24、用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片
25、一種量子阱邊發射半導體激光器的制作方法
26、一種半導體*件芯片灌膠后的脫模方法及機構
27、半導體結構及其方法
28、用于光電子學的半導體芯片及其制造方法
29、半導體器件和生產這種器件的方法
30、半導體激光器及其制造方法
     
31、半導體激光裝置及其制造方法
32、制造半導體基底部件的方法
33、功率半導體器件
34、垂直腔面發射半導體激光器制作中刻蝕非閉合環形溝槽法
35、半導體波導型感光*件及其制造方法
36、一種半導體芯片的灌膠方法及模具
37、半導體薄片材料的橫向研磨方法
38、光波導、半導體光學集成*件及其制造方法
39、低電感門控晶閘管及其功率半導體組件
40、半導體芯片串壓**的芯片夾持裝置
41、具有低量廢留樹脂的半導體器件樹脂密封模具組
42、制造半導體器件的方法和采用此方法獲得的半導體器件
43、超級自對準的溝-柵雙擴散金屬氧化物半導體器件
44、半導體吸收式**系統
45、肖特基勢壘半導體器件
     
46、用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件
47、在焊盤臺面及連接面上開孔的半導體芯片上電極制作方法
48、表面發光型半導體激光器及其制造方法
49、制造帶有MOVPE層序列的半導體本體的方法
50、表面發射型半導體激光器及其制造方法
51、半導體激光器裝置
52、半導體激光器裝置及使用該激光器裝置的光學拾取裝置
53、半導體晶片的熱處理裝置
54、半導體臺面器件鈍化工藝
55、氮化物半導體發光器件
56、氮基半導體激光器件和其生產方法
57、具有硫族化物介電涂層的臺面狀半導體發光器件
58、環形熱管散熱半導體功率組件
59、半導體受光*件及其制造方法
60、半導體發光二極管及其制備方法
     
61、平面發射型半導體激光器件及其制造方法
62、臺面半導體器件玻璃鈍化工藝
63、臺面型半導體裝置的制造方法
64、用于光電子學的半導體芯片及其制造方法
*、免閉*功率金屬氧化物半導體一雙極型晶體管
66、一種硅半導體臺面器件的復合鈍化工藝
67、陶瓷封裝半導體抗電涌器件
68、半導體器件及其制造方法
69、半導體裝置的制造方法
70、生產半導體器件的方法以及采用這種方法獲得的半導體器件
71、半導體激光器件、其制造方法以及使用其的光學拾取器件
72、半導體貯存夾具、操作方法及生產系統
73、用于鍵合并轉移一種材料以形成半導體器件的方法
74、半導體塑封模
75、一種用化合物半導體制造光****的方法
     
76、半導體器件
77、環形熱管散熱半導體功率組件
78、高增益、低噪聲980nm半導體*腔光放大器結構
79、一種臺面半導體器件鈍化工藝及設備
80、低電感門控晶閘管及其功率半導體組件
81、半導體激光器列陣的組裝設備
82、溝槽金屬氧化物半導體
83、垂直腔面發射半導體激光器制作中刻蝕環形分布孔法
84、氮化物半導體發光*件
*、在半導體本體內制造接觸孔的方法以及半導體結構
86、用于半導體晶片封裝的載物臺
87、導電性半導體襯底上的電極焊盤
88、表面發射型半導體激光器
89、半導體器件芯片臺面噴腐磁力吸附局部防護裝置
90、表面發射半導體激光器及其制造方法
     
91、制備銻化鎵基半導體器件用的化學**液體系
92、大臺面電力半導體器件的玻璃鈍化方法
93、一種磷化銦基量子級聯半導體激光器及制作方法
94、光學研磨機及用其加工半導體用蘭寶石晶體基片的方法
95、超小型半導體器件及其制造和連接方法
96、氮化物半導體發光*件
97、紅光鋁鎵銦磷半導體激光器光纖耦合模塊的制備方法
98、半導體結構及其制造方法
99、具有夾在杯狀引線框和具臺面和谷的引線框之間的管芯的半導體封裝
100、具有多柵結構的半導體器件及其制造方法
101、半導體硅片手動作業的工作臺面及其制造方法
102、具有降低接通電阻的超級自對準的溝－柵雙擴散金屬氧化物半導體器件
103、形成半導體*件的方法
104、臺面型半導體器件的制造方法
105、半導體結構及其制造方法
     
106、多光束半導體激光器
107、一種制作高亮度半導體錐形激光器 放大器的方法
108、具有以鋸法完成的臺面結構的半導體芯片
109、超級自對準的溝-柵雙擴散金屬氧化物半導體器件 "
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