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1、非揮發性存儲器器件結構
[技術摘要]本發明提供一種非揮發性存儲器器件結構，屬于半導體集成電路器件設計及制造技術領域。該結構包括位于襯底之上隧穿氧化層、位于隧穿氧化層之上的襯底阻擋層、位于襯底阻擋層之上的陷阱電荷存儲層、位于陷阱電荷存儲層之上的柵阻擋層以及位于最頂層的柵電極，其中襯底阻擋層采用禁帶寬度介于3eV至6eV，且體內陷阱態密度小的材料，襯底阻擋層阻擋存儲電荷的回遷，但是基本不阻擋襯底電子的寫入，增強了數據保存特性，使得該存儲器件的總體性能得以顯著提升。

2、非揮發性半導體存儲裝置
[技術摘要]現有的虛地方式的存儲裝置中，在存儲單*中獲得差動式的讀出判定操作中成為基準的特性時，由于通過與參考單*鄰接的單*的漏泄電流在過程中產生偏差，所以難以實現穩定的讀出。本發明公開了一種非揮發性半導體存儲裝置，對與參考單*鄰接的存儲單*，設置位線電位選擇裝置，用于對電荷累積側的位線施加寫入電位，對另一側的位線施加接地電位。利用該結構對鄰接單*進行寫入操作，由于從參考單*到鄰接單*的漏泄電流消失，因此能夠將參考單*的原有特性作為基準側特性，反映到讀出操作中，能夠實現穩定的讀出。

3、單柵極具多比特儲存的非揮發性存儲器的操作方法
[技術摘要]本發明提出一種單柵極具多比特儲存的非揮發性存儲器的操作方法。該非揮發性存儲器的存儲胞為單柵極，其是在一P型或N型半導體基底上設置一晶體管及一電容結構，晶體管包含一第一導電柵極堆疊在一介電層表面，且二側形成有離子摻雜區以作為源極及漏極，電容結構則包含一離子摻雜區及其上堆疊的介電層、第二導電柵極，且電容與晶體管的導電柵極是相電連接而形成存儲胞的單浮接柵極。本發明由施以不同柵極電壓會產生不同起始電壓進而達成多比特儲存的目的。

4、非揮發性內存及其制造方法
[技術摘要]一種非揮發性內存及其制造方法，其基板隔離區形成于半導體基板上并突出于基板介電區域。然后選擇閘線形成。后一浮置閘層沉積并進行蝕刻，直至基板隔離區*露，且浮置閘層至少自選擇閘線的一個部分移除。介電層形成于浮置閘層上，且控制閘層沉積并向上突出于每一選擇閘線上，突出部獨立地定義控制閘于任何*影對準中，浮置閘然后獨立地定義于*影對準，而非涉及圖案化基板隔離區域與選擇閘線的對準。介電層具有一連續圖案并覆蓋于浮置閘和選擇閘上。控制閘覆蓋于浮置閘和介電層的連續圖案上，但不覆蓋于選擇閘上。選擇閘線穿過基板隔離區域，每一選擇閘線具有平坦的頂端表面，但位于基板隔離區域的選擇閘線的底面為高低起伏的。

5、非揮發性記憶體及其操作方法
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6、用長壽命非揮發性存儲芯片提高內部或外部存儲器壽命
7、用長壽命非揮發性存儲芯片提高內部或外部存儲器使用壽命
8、非揮發性半導體存儲器及其制作方法
9、非揮發性半導體存儲器及其制作方法
10、半導體*件與非揮發性存儲器的制作方法
11、非揮發性記憶*件及其制造方法
12、非揮發性半導體存儲器*件及其制造方法
13、半導體結構與非揮發性存儲器的結構及制造方法
14、非揮發性存儲器的寫入方法
*、基于納米異質結構的非揮發性浮柵存儲器
     
16、可增加操作效率的單閘極非揮發性儲存*件及操作方法
17、非揮發性存儲器的制造方法
18、單閘極的非揮發性內存及其操作方法
19、具有氮化硅-氧化硅介電層的非揮發性記憶*件
20、可程式化非揮發性記憶體及其形成方法
21、非揮發性記憶單*的集成電路的制作方法
22、電荷捕捉非揮發性記憶體及其操作方法
23、為防止第二位*效應的非揮發性記憶晶胞
24、形成非揮發性存儲*件的方法
25、非揮發性存儲器器件結構
26、非揮發性內存的制造方法及其結構
27、形成納米單晶硅的方法和非揮發性半導體存儲器制造方法
28、非揮發性存儲器寫入過程的位*開關壓降補償
29、非揮發性存儲器結構及其制造方法
30、平坦型非揮發性半導體存儲*件
     
31、非揮發性存儲器結構及其制造方法
32、形成非揮發性記憶體的方法
33、P通道非揮發性記憶*件的操作方法
34、電子電路、系統、非揮發性存儲器及其操作方法
35、非揮發性存儲器的低氫濃度電荷捕獲層結構及其形成方法
36、分離式位線結構的非揮發性半導體存儲單*
37、多重閘極電荷捕捉非揮發性記憶體的制作方法
38、非揮發性存儲器的寫入方法
39、非揮發性記憶*件的操作方法
40、形成嵌合式非揮發性存儲器的方法
41、向半導體非揮發性存儲器的信息的記錄方法
42、非揮發性存儲器及其制造方法
43、電荷捕捉非揮發性記憶體及其操作方法
44、雙柵極非揮發性儲存單*、陣列及制造方法與操作方法
45、非揮發性半導體存儲器件
     
46、非揮發性半導體存儲單*結構及其制作方法
47、非揮發性存儲器結構及其制造方法
48、形成非揮發性記憶胞的方法及用這方法形成的半導體結構
49、非揮發性內存及其制造方法
50、單一晶體非揮發性記憶體*件的制法
51、基于雙層納米硅結構的非揮發性浮柵存儲器及制備方法
52、一種制作金屬納米晶非揮發性存儲器的方法
53、雙位溝槽式柵極非揮發性快閃存儲單*及其操作方法
54、非揮發性半導體存儲器件
55、非揮發性半導體存儲器件
56、非揮發性存儲器的擦除方法
57、具尖角的非揮發性記憶體的制造方法
58、非揮發性存儲器的寫入方法
59、用長壽命非揮發性存儲芯片提高內或外部存儲器使用壽命 "
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