全套資料（光盤）售價：338元；辦理貨到付款，電話：0414-2114320 手機：13941407298。網址：www.39aa.net. QQ:547978981. 利技術也可以單項或者部分項目購買，單項專利技術，每一項收費50元（網傳價）。購兩項贈送一項。
2、這里是技術資料，不是實物產品，請注意哦！
3、本店提供定*務。把您想要的信息關鍵詞提供給我們如“火鍋”“脫發”“美容”........等，我們給您檢索出相關的地利用，從而節省寶貴時間和金錢。她是廣大企業和創業者了解技術發展現狀，避免重復研究，*技術發展動態，獲取免費技術解決方案的最佳途徑。
.以下為光盤目錄：
1、氮化物半導體元件及其制造方法
[技術摘要]本發明提供一種氮化物半導體的制造方法，包括：準備n-GaN基板的工序；在基板上形成具有與基板的主面平行的上面的多個條紋狀脊的工序；在多個條紋狀脊的上面選擇性地生長以第一濃度含有n型雜質的Alx

 鈮酸鋰/Ⅲ族氮化物異質結鐵電半導體薄膜制備方法及應用
2、緣經過研磨的氮化物半導體基片及其邊緣加工方法
[技術摘要]本發明涉及緣經過研磨的氮化物半導體基片及其邊緣加工方法。用旋轉砂輪傾斜地研削邊緣部分，但是成為使邊緣部分的面粗糙度惡化、晶片發生破碎、破裂、裂縫等的原因。使圓形獨立GaN晶片的邊緣部分的面粗糙度為Ra10nm～Ra5μm。最好為Ra10nm～Ra1μm。更好為Ra10nm～Ra0.1μm。一面用砂輪帶以弱的均勻的按壓力壓住晶片的側周，一面使晶片旋轉并改變砂輪帶進行加工。因為不斷地改變砂輪帶所以即便使用粒子細的砂輪帶也不會孔堵塞。通過用細粒子的砂輪帶能夠將晶片邊緣部分加工到卓越的平滑度。又，本方法不僅適用于GaN而且也適用于其它的氮化物半導體基片。

3、氮化合物系半導體裝置及其制造方法
[技術摘要]本發明的氮化合物系半導體裝置具備支承于具有導電性的基板構造物101的半導體疊層構造物。基板構造物101的主面具有：作為氮化合物系半導體的縱向生長的晶種而起作用的至少1個縱向生長區域；及使在所述縱向生長區域上生長的氮化合物半導體的橫向生長成為可能的多個橫向生長區域。在設定由*頭A表示的縱向生長區域的尺寸的總和為∑X，該方向的多個橫向生長區域的尺寸的總和為∑Y時，∑X/∑Y＞1.0的關系成立。

4、高速大功率氮化物半導體器件及其制造方法<
5、鈮酸鋰/Ⅲ族氮化物異質結鐵電半導體薄膜制備方法及應用
6、Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
7、基于氮化物的半導體發光二極管
8、氮化鎵基化合物半導體發光器件
9、氮化物半導體裝置
10、氮化物基半導體裝置的制造方法
11、氮化物半導體器件
12、用于n型Ⅲ族氮化物半導體的n型歐姆電極、具有該電極的半導體發光器件及用于形成n型歐姆電極的方法
13、半導體發光器件和氮化物半導體發光器件
14、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
15、Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法
16、氮化鎵基化合物半導體發光器件
17、可以**表里的矩形氮化物半導體基片
18、氮化物半導體元器件
19、氮化物半導體器件
20、氮化物半導體發光器件及其制造方法
21、氮化物半導體發光裝置
22、氮化鎵系列化合物半導體元件
23、氮化物半導體裝置及其制作方法
24、具有定向平面的單晶A-平面氮化物半導體晶片
25、氮化鎵類化合物半導體裝置及其制造方法
26、發光氮化物半導體器件及其制造方法
27、制備Ⅲ族氮化物半導體的方法及Ⅲ族氮化物半導體器件
28、在Ⅲ-V族氮化物半導體基板上制作產生輻射的半導體芯片的方法以及產生輻射的半導體芯片
29、氮化物半導體器件及其制備方法
30、氮化物半導體元件
31、氮化物半導體元件
32、氮化物系半導體元件及其制造方法
33、氮化物半導體襯底及其制造方法
34、復合氮化物半導體結構的外延成長
35、氮化物半導體發光元件
36、具有支持襯底的氮化物半導體器件及其制造方法
37、氮化物半導體發光器件及其制造方法
38、氮化物半導體發光元件
39、氮化物半導體的制造方法及半導體器件的制造方法
40、氮化物半導體元件及其制造方法
41、氮化物半導體元件制造方法
42、III族氮化物半導體發光裝置
43、Ⅲ族氮化物半導體發光組件的切割方法
44、氮化物半導體發光器件的制造方法
45、GaN基底和其制備方法、氮化物半導體器件和其制備方法
46、第三族氮化物半導體器件和其生產方法
47、晶片導向器，MOCVD裝置和氮化物半導體生長方法
48、氮化物半導體發光器件和制備氮化物半導體激光器的方法
49、基于氮化鎵的化合物半導體發光器件
50、氮化物系半導體激光元件
51、氮化物半導體光發射器件及其制造方法
52、氮化物半導體激光器
53、Ⅲ族氮化物半導體發光元件及其制造方法
54、具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ-Ｖ族化合物半導體器件及其制造方法
55、氮化物半導體激光器件及其制造方法
56、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
57、氮化物半導體自立基板及其制造方法、以及使用它的氮化物半導體發光元件
58、氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法
59、氮化物半導體發光器件及其制造方法
60、氮化物半導體器件的制造方法及氮化物半導體器件
61、氮化物半導體發光器件
62、基板檢查方法及裝置、氮化物半導體元件制造方法及裝置
63、氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
64、Ⅲ族氮化物半導體器件
65、氮化物半導體LED及其制造方法
66、氮化物半導體元件
67、氮化物半導體發光器件及其制備方法
68、制造氮化物基半導體器件的方法和如此制造的發光器件
69、氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
70、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
71、III族氮化物半導體發光器件
72、氮化物半導體發光元件
73、基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
74、第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光元件
75、氮化物半導體器件及其制備方法
76、氮化物半導體單晶基材及其合成方法
77、氮化物半導體發光器件及其制造方法
78、氮化物半導體元件
79、氮化物半導體元件
80、氮化物半導體發光元件
81、氮化鎵系化合物半導體磊晶層結構及其制造方法
82、氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
83、Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體外延晶片
84、第三族氮化物半導體器件和其生產方法
85、氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
86、氮化物基半導體發光器件及其制造方法
87、基于氮化物的化合物半導體晶體襯底結構及其制造方法
88、有關氮化鎵的化合物半導體器件及其制造方法
89、制造氮化物半導體的裝置和方法及獲得的半導體激光器件
90、氮化物半導體發光器件
91、具有電流狹窄層的氮化物半導體激光器元件及其制造方法
92、氮化鎵基Ⅲ-V族化合物半導體發光器件及其制造方法
93、氮化物晶體、氮化物晶體襯底、含有外延層的氮化物晶體襯底、半導體器件及其制備方法
94、氮化物半導體元器件
95、發光裝置、用于制造該發光裝置的方法及氮化物半導體襯底
96、氮化物半導體激光元件及其制造方法
97、氮化物半導體發光器件及其制造方法
98、氮化物半導體元件和氮化物半導體結晶層的生長方法
99、氮化物半導體發光器件
100、氮化物半導體發光器件及其制造方法
101、基于Ⅲ族氮化物的半導體基片及其制造方法
102、Ⅲ族氮化物制造的半導體襯底及其制造工藝
103、含有Ga的氮化物半導體單晶、其制造方法以及使用該結晶的基片和器件
104、氮化物半導體器件
105、III－V氮化物半導體激光器件
106、一種氮化物半導體器件
107、氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法
108、Ⅲ族氮化物單晶體及其制造方法以及半導體器件
109、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體發光裝置
110、周期表第13族金屬氮化物結晶的制造方法以及使用其的半導體器件的制造方法
111、P型氮化物半導體結構以及雙極晶體管
112、第III族氮化物半導體激光器及其制造方法
113、氮化物半導體器件
114、氮化物基半導體發光二極管
115、Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半導體元件
116、氮化物半導體元件
117、氮化物半導體器件制造方法
118、氮化物半導體發光二極管芯片及其制造方法
119、一種Ⅲ族氮化物半導體材料及其生長方法
120、氮化物系半導體襯底及半導體裝置
121、氮化物半導體生長用襯底
122、自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體元件的制造方法
123、氮化鎵系化合物半導體發光元件及其窗戶層結構
124、氮化物半導體發光器件
125、氮化物半導體發光元件
126、III族氮化物半導體發光二極管
127、氮化物半導體發光器件
128、氮化鎵化合物半導體發光元件及其制造方法
129、雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體的控制柵極及字線電壓升壓設計
130、基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
131、III族氮化物半導體器件
132、氮化物基化合物半導體發光元件及其制造方法
133、氮化物半導體發光器件及其制造方法
134、氮化物半導體發光裝置制造方法
135、氮化物半導體元件
136、氮化物半導體發光元件
137、利用第三族氮化物四元金屬體系的半導體結構
138、氮化鎵基化合物半導體發光器件及其制造方法
139、氮化物半導體及其制備方法
140、制造p型Ⅲ族氮化物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物半導體發光器件
141、生產第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的方法
142、氮化物類半導體元件及其制造方法
143、用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
144、氮化物半導體元器件
145、具有氮化氧化物層的半導體器件及其方法
146、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的制造方法
147、半導體用氮化物襯底的制備方法及氮化物半導體襯底
148、具有多層緩沖層結構的氮化物型半導體元件及其制造方法
149、可以**表里的矩形氮化物半導體基片
150、制造Ⅲ族氮化物半導體的方法
151、氮化物半導體發光裝置
152、氮化物半導體元器件
153、氮化物半導體器件
154、制備III族氮化物半導體的方法及III族氮化物半導體器件
155、具三族氮化合物半導體緩沖層的光電半導體組件和其制造方法
156、氮化物半導體裝置及其制造方法
157、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
158、氮化物半導體元件及其制法
159、第Ⅲ族元素氮化物半導體元件的生產方法
160、氮化物半導體器件
161、氮化物半導體激光元件及其制造方法
162、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
163、氮化物系半導體元件的制造方法及氮化物系半導體元件
164、氮化物半導體發光器件及其制造方法
165、氮化鎵基化合物半導體發光器件
166、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
167、第13族金屬氮化物結晶的制造方法、半導體器件的制造方法和這些制造方法中使用的溶液和熔融液
168、氮化物半導體基底以及使用該基底的氮化物半導體裝置
169、氮化物半導體裝置
170、氮化物半導體發光器件及其制造方法
171、氮化物半導體及其制備方法
172、氮化物半導體元件及其制造方法
173、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
174、Ⅲ族氮化物半導體多層結構
175、晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件
176、氮化物系化合物半導體元件的制造方法
177、氮化物半導體器件及其制造方法
178、氮化物半導體激光器元件
179、一種氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的電極
180、I I I族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導體、基于氧化鎵的化合物半導體發光器件、以及使用半導體發光器件的光源
181、氮化物半導體元件及其制造方法和氮化物半導體基板的制造方法
182、編程硅氧化物氮化物氧化物半導體存儲器件的方法
183、氮化物類半導體元件
184、加工氮化物半導體晶體的方法
185、氮化物半導體激光元件
186、氮化鎵系化合物半導體發光器件
187、用于第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的n-電極
188、氮化物系半導體發光元件及其制造方法
189、立方晶體氮化物半導體器件及其制造方法
190、倒裝型氮化物半導體發光器件
191、第III族氮化物系化合物半導體發光元件及其制造方法
192、氮化物半導體器件及其制造方法
193、Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
194、氮化物半導體器件
195、基于氮化物的半導體發光二極管
196、氮化物半導體發光器件及其制造方法
197、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
198、使用氮化物半導體的發光器件和其制造方法
199、氮化物半導體發光器件及其制造方法
200、氮化物半導體元件
201、自激振蕩型氮化物半導體激光裝置及其制造方法
202、氮化物半導體元件
203、氮化物半導體、其制造方法以及氮化物半導體元件
204、氮化物半導體發光元件以及氮化物半導體發光元件制造方法
205、氮化鎵類化合物半導體裝置
206、氮化物類半導體發光元件及其制造方法
207、具有減少相分離、利用第三族氮化物四元金屬體系的半導體結構及其制備方法
208、氮化物半導體的生長方法、半導體器件及其制造方法
209、氮化物半導體發光元件及其制造方法
210、氮化物半導體發光器件
211、氮化物類半導體元件的制造方法
212、氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
213、表面處理方法、氮化物晶體襯底、半導體器件和制造方法
214、氮化鎵基化合物半導體發光器件
215、具有埋設金屬硅化物位線的金屬氧氮氧半導體裝置
216、氮化物基半導體發光器件及其制造方法
217、氮化物半導體元件
218、基于氮化物的半導體發光二極管及其制造方法
219、制作氮化物半導體發光器件的方法
220、氮化物類半導體元件
221、基于平面結構的Ⅲ族氮化物半導體發光二極管及其制備方法
222、氮化物半導體基板及其制造方法
223、氮化物半導體激光器
224、硅氧化物氮化物氧化物半導體型存儲器件
225、氮化鎵基半導體層疊結構、其制造方法以及采用該層疊結構的化合物半導體和發光器件
226、氮化物基半導體發光裝置及其制造方法
227、氮化物半導體發光器件
228、氧氮化物磷光體和半導體發光器件
229、高質量氮化物半導體薄膜及其制作方法
230、利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體元件制成方法
231、Ⅲ族氮化物半導體發光器件
232、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體
233、Ⅲ族氮化物半導體襯底
234、氮化物基半導體器件及其制造方法
235、氮化物半導體器件及其制造方法
236、半導體工藝設備的碳氮化物涂層部件及其制造方法
237、氮化物半導體元器件
238、第Ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半導體器件
239、一種用于氮化物半導體材料退*的新型加熱襯托
240、氮化物系半導體襯底及其制造方法
241、氮化物半導體激光器件
242、氮化物半導體垂直腔面發射激光器
243、用于氮化物基半導體裝置的低摻雜層
244、氮化物半導體發光元件及制造氮化物半導體發光元件的方法
245、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及其制造方法
246、氮化物半導體發光器件
247、氮化物半導體元件及其制造方法
248、GaN單晶基底、氮化物類半導體外延生長基底、氮化物類半導體器件及其生產方法
249、氮化物半導體自支撐襯底和氮化物半導體發光元件
250、反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導體發光器件
251、氮化物系半導體發光元件
252、一種用于雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體存儲器且具有二位清除能力的控制柵極***
253、氮化物半導體元件的制造方法
254、氮化物半導體生長工藝
255、氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光元件
256、氮化物半導體發光器件及其制造方法
257、氮化物基的半導體發光器件及其制造方法
258、氮化物半導體發光器件的制造方法
259、氮化物半導體激光器裝置及其制造方法
260、含有Ⅲ族元素基氮化物半導體的電子器件
261、氮化物基半導體發光二極管
262、氮化物半導體襯底、其制法及氮化物半導體發光器件用外延襯底
263、非極性單晶A-面氮化物半導體晶圓及其制備
264、Ⅲ族氮化物半導體發光元件
265、氮化物半導體激光器件及其制造方法
266、氮化物半導體發光器件的制造方法
267、氮化物半導體元件
268、加工氮化物半導體晶體表面的方法和由該方法得到的氮化物半導體晶體
269、基于氮化物的半導體發光二極管
270、制造Ⅲ族氮化物半導體元件的方法
271、氮化物半導體元件
272、氮化物半導體發光元件
273、具有低阻抗歐姆接觸的ⅢA族氮化物半導體器件
274、氮化物系半導體元件的制造方法
275、氮化物半導體器件及其制造方法
276、氮化物半導體激光器件
277、氮化物半導體發光器件
278、自鈍化非平面結三族氮化物半導體器件及其制造方法
279、雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體陣列金屬位結構及單個單元操作
280、形成第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件用的電極的方法
281、一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法
282、氮化物半導體發光器件及其制造方法
283、用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
284、氮化鎵基化合物半導體器件
285、氮化物半導體外延層的生長方法
286、氮化物半導體元件
287、氮化物半導體激光裝置以及提高其功能的方法
288、生產Ⅲ族氮化物半導體裝置的方法
289、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
290、制造第III族元素氮化物晶體的方法、其中所用的制造裝置以及由此制造的半導體元件
291、氮化物半導體器件及其制造方法
292、硅襯底上Ⅲ族氮化物半導體外延生長技術
293、氮化物半導體元件
294、氮化物半導體激光元件及其制造方法
295、氮化物半導體光****及其制造方法
296、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體基板及其評價方法
297、氮化物半導體發光裝置制造方法
298、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置
299、氮化物半導體基板及制法和使用該基板的氮化物半導體裝置
300、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
301、氮化物半導體器件的肖特基電極及其制作方法
302、Ⅲ族氮化物半導體藍色發光器件
303、氮化物系半導體發光元件
304、氮化物半導體發光器件及其制備方法
305、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
306、具有結晶堿土金屬硅氮化物/氧化物與硅界面的半導體結構
307、第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件
308、Ⅲ族氮化合物半導體器件
309、硅襯底上以三族氮化物為主材的半導體晶體生長方法及器件
310、氮化物半導體發光器件
311、氮化物半導體發光器件的透明電極及其制法
312、氮化物半導體器件制造方法
313、低缺陷氮化物半導體薄膜及其生長方法
314、粘貼有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體層的襯底和半導體器件
315、氮化物半導體發光元件及氮化物半導體激光元件的制造方法
316、氮化物半導體發光器件
317、Ⅲ族氮化物系化合物半導體發光元件及其制造方法
318、氮化鎵類化合物半導體發光元件及其制造方法
319、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
320、氮化物半導體基板及其制造方法
321、氮化物半導體發光器件
322、氮化物基化合物半導體發光器件的制造方法
323、氮化物半導體裝置及其制造方法
324、氮化物半導體激光元件及其制造方法
325、基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
326、Ⅲ族氮化物半導體發光器件
327、氮化物半導體元件
328、Ⅲ族氮化物晶體、其制造方法以及Ⅲ族氮化物晶體襯底及半導體器件
329、Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件及其制造方法
330、氮化物半導體發光器件及其制備方法
331、蝕刻金屬氧化物半導體柵極構造的氮氧化方法
332、氮化物半導體元器件
333、氮化物半導體發光器件
334、氮化物半導體元器件
335、氮化物基化合物半導體發光器件
336、氮化物單晶生長方法、氮化物半導體發光裝置及制造方法
337、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底、其制造方法及Ⅲ-Ⅴ族氮化物系發光元件
338、倒裝芯片氮化物半導體發光二極管
339、氮化物半導體元件和其制造方法
340、基于Ⅲ－氮化物半導體超晶格的單極發光器件
341、氮化物半導體器件
342、含P型三族氮化合物半導體的光電半導體元件的制造方法
343、Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體的制造方法和發光器件的制造方法
344、以氮化物為基礎的半導體發光器件及其制造方法
345、氮化鎵化合物半導體制造方法
346、氧化鎵單晶復合體及其制造方法和使用氧化鎵單晶復合體的氮化物半導體膜的制造方法
347、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
348、使用氮化物半導體的發光器件和其制造方法
349、氮化物半導體發光器件及其制造方法
350、氮化物半導體激光器芯片及其制造方法
351、氮化物半導體發光器件
352、單一ELOG生長的橫向P-N結氮化物半導體激光器
353、N型Ⅲ族氮化物半導體疊層結構
354、氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法
355、氮化物半導體發光器件的制造方法
356、制造p-型Ⅲ族氮化物半導體的方法和制造其電極的方法
357、氮化物半導體器件及其制造方法
358、用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件
359、氮化物半導體元件的制造方法和氮化物半導體元件
360、氮化物基化合物半導體發光器件及其制造方法
361、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法
362、氮化物半導體裝置及其制造方法
363、氮化物半導體激光器元件及其制作方法
364、氮化物半導體元件
365、Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法、Ⅲ族氮化物半導體器件及其制造方法以及發光器件
366、氮化物半導體發光元件以及氮化物半導體發光元件的制造方法
367、Ⅲ族元素氮化物結晶半導體器件
368、基于氮化物的半導體發光二極管
369、Ⅲ族氮化物晶體襯底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半導體器件
370、生長半導體襯底的方法、氮化物基發光器件及其制造方法
371、氮化物系化合物半導體和化合物半導體的清洗方法、這些半導體的制造方法及基板
372、氮化物半導體薄膜及其生長方法
373、Ⅲ族氮化物半導體晶體和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體器件
374、Ⅲ族氮化物基化合物半導體器件
375、氮化物半導體元件
376、氮化物半導體襯底及器件
377、氮化物半導體元件
378、硅襯底上的氮化物半導體及其制造方法
379、Ⅲ族類氮化物半導體器件及其制造方法
380、Ⅲ族氮化物功率半導體器件
381、氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
382、第3-5族氮化物半導體多層襯底，用于制備第3-5族氮化物半導體自立襯底的方法和半導體元件
383、氮化物半導體發光器件
384、氮化物半導體發光元件
385、氮化物半導體；使用該半導體的發光器件，發光二極管，激光器件和燈；及其制造方法
386、發光器件及其制造方法，以及氮化物半導體襯底
387、氮化物半導體激光元件及其制造方法
388、氮化物半導體發光元件及其制造方法
389、利用硼離子注入法實現氮化物半導體器件的有源區之間隔離的方法
390、氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
391、氮化物半導體材料及氮化物半導體結晶的制造方法
392、氮化物系半導體元件
393、氮化物半導體器件及其制造方法
394、氮化物類半導體元件及其制造方法
395、摻氮Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體的成膜方法
396、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
397、氮化物半導體發光器件及其制造方法
398、氮化物半導體元件
399、氮化物半導體襯底的制造方法及復合材料襯底
400、氮化物系半導體元件及其制造方法
401、氮化物半導體發光器件及其制造方法
402、氮化物半導體LED和其制造方法
403、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系化合物半導體裝置及電極形成方法
404、氮化物半導體分層結構以及結合該分層結構部分的氮化物半導體激光器
405、氮化物基化合物半導體發光裝置及其制造方法
406、氮化物半導體發光元件及其制造方法
407、氮化物半導體元件及其制造方法
408、氮化物半導體激光二極管及其制作方法
409、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置及其制造方法
410、氮化物系半導體發光元件及其制造方法
411、Ⅲ族氮化物半導體基板
412、氮化物半導體激光元件和氮化物半導體元件
413、Ⅲ－Ⅴ族氮化物半導體的生長方法及氣相生長裝置
414、氮化物半導體基板及氮化物半導體基板的加工方法
415、Ⅲ族氮化物半導體元件及其制造方法
416、氮化物半導體發光元件及其制造方法
417、氮化物系化合物半導體發光元件及其制造方法
418、氮化物半導體發光元件
419、在硅底材上成長三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法 "
查詢更多技術請點擊：
金博專利技術網（http://www.39aa.net）

購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）

本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號，款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913    收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417     收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中國    銀行：418330501880227509    戶  名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站   收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電  話：0414-2114320   3130161
手  機：13941407298   13050204739
客服QQ：547978981    824312550   517161662

敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。

本公司經營技術、資料、工藝、配方，質量保證，歡迎咨詢洽談。

本公司供應BF19474氮化物半導體技術專利技術 專利技術 異質結鐵電半導體薄(338質量保證，歡迎咨詢洽談。

新手教學

批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。