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.以下為光盤目錄：
1、摻雜層中按設定圖形嵌入金屬層的半導體電致發光器件
[技術摘要]本發明涉及一種在有源光電子器件、光電集成等領域應用的摻雜層中按設定圖形嵌入金屬層的半導體電致發光器件，屬于集成光電子技術領域。其特征在于，在摻雜層中嵌入了外**有絕緣介質的金屬層，分布位置由設定圖形確定，而摻雜層的半導體介質則貫穿設定圖形區域外的其余部分。這種設計在保*載流子通過摻雜層注入有源區的同時，有效的利用了金屬表面等離子體對發光效率的增強效應。這有利于進一步提高基于在氮化鎵材料的電致發光器件的效率，同時為基于氧化鋅、納米晶硅等材料的電致發光器件的實際應用提供了可能。

2、制造半導體或液晶的裝置
[技術摘要]一種制造半導體或液晶的裝置中，在反應室1內加給反應氣體，陶瓷托架2具有嵌入其中的電阻加熱*件7。陶瓷圓柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2，另一端被固定在反應室1的一部分上。惰性氣體供送管4和惰性氣體排氣管5每一個都在圓柱形支承部件3內有開口。最好使圓柱形支承部件3內的惰性氣體保持在小于0.1MPa。采用這樣的布置，無需加給抗氧化密封或抗**密封，即可以防止設在陶瓷托架后表面上的各電極的氧化和**。這種制造半導體或液晶的裝置還保*陶瓷托架中熱的均勻性，并壓縮損失的能耗。此外，還能減小裝置的尺寸，并降低制造成本。

3、具有利用半球形晶粒生長形成的疊層電極的半導體器件
[技術摘要]半導體存儲器件包括：形成在半導體基片上覆蓋ＭＯＳ晶體管的源／漏區的層間絕緣薄膜（１３）；具有第一雜質離子濃度接觸源／漏區的接觸薄膜（１７），它沿著接觸孔側壁部分地嵌入接觸孔而形成，接觸孔穿過層間絕緣薄膜到達源／漏區而形成；具有第二雜質離子濃度形成在接觸薄膜上并完全嵌入接觸孔的防結晶薄膜（１６）；具有不平整部分并具有第三雜質離子濃度的導電薄膜（６），它形成在層間絕緣薄膜之上的防結晶薄膜上。第一雜質離子濃度大于第二雜質離子濃度。

4、半導體器件、引線框架及電子設備
[技術摘要]在引線框架中的島部分上安裝半導體芯片，所述引線框架由依次延續的具有島部分的引線、接地焊接引線部分和引線，以及其他引線端子部分到構成，之后，在嵌入樹脂以形成封裝之前，將半導體芯片的接地焊接電極和其他電極到分別通過金絲到絲焊到引線和其他引線端子到。構造其上安裝了半導體芯片的引線，使得延續至引線和島部分的接地焊接引線部分在沿金絲的縱向截面內不存在于絲焊區域相對于島部分的兩側。

5、半導體晶*嵌入電路板的封裝方法
6、半導體器件
7、半導體裝置
8、用銅布線膜生產半導體器件的方法
9、具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法
10、球柵陣列半導體封裝件用的承載裝置
11、接合器、以及使用其的半導體測試裝置
12、半導體存儲器及其控制方法
13、半導體自動發光汽**照
14、半導體用引線架
*、配線板、半導體器件及制造配線板和半導體器件的方法
16、一種半導體冷熱兩用摩托車安全頭盔
17、半導體基板的制造方法以及半導體裝置的制造方法
18、電子裝置和半導體裝置以及用于制造這些裝置的方法
19、具有多層互連結構的半導體器件
20、在半導體晶圓上制造一個或多個金屬嵌入式結構的方法
21、具有互連結構的半導體器件及其制造方法
22、半導體裝置以及其制造方法
23、半導體集成電路的制造方法及半導體集成電路
24、粗糙*型半導體激光器有源熱沉結構及制備方法
25、布線板、使用布線板的半導體器件、及其制造方法
26、半導體裝置
27、半導體裝置的布線形成方法及半導體裝置
28、半導體器件及其制造方法
29、半導體器件及其制造方法
30、半導體集成電路器件的制造方法
31、半導體裝置
32、半導體封裝
33、一種用于半導體器件生產的自動全加熱裝置
34、一種基于半導體光存儲器單*的光探測器和光**單*
35、半導體發光*件封裝結構
36、半導體圖*傳感器及其制造方法
37、具有位置對照用標記的半導體器件
38、疊層型半導體封裝
39、具有多層銅線路層的半導體器件及其制造方法
40、半導體器件以及其制作方法
41、螺旋接觸器及該裝置制造方法，以及應用該裝置的半導體檢測設備和電子*件
42、配線板、半導體器件及制造配線板和半導體器件的方法
43、散熱型半導體封裝件
44、發射和 或接收電磁輻射的半導體*器件和用于這種*器件的外殼基體
45、具有半導體芯片和無源部件的半導體部件及其制造方法
46、半導體器件及制造這種器件的方法
47、半導體結構及制造該半導體結構的方法
48、半導體器件及其制造方法
49、半導體器件
50、半導體裝置
51、樹脂封裝方法及裝置、半導體器件及其制造方法及樹脂材料
52、倒裝芯片半導體器件的側面焊接方法
53、半導體裝置的制造方法
54、制造半導體器件的方法
55、半導體器件的控制方法以及半導體器件
56、集成電路半導體器件及其內建存儲器自修復電路和方法
57、半導體存儲裝置及其編程方法
58、一種金屬半導體場效應發光晶體管及其制作方法
59、半導體器件及其制造方法
60、半導體晶片的封裝方法及其成品
61、半導體裝置及其制造方法
62、具有嵌入在背面金剛石層中的*件的半導體器件
63、探針板和半導體芯片的測試方法、電容器及其制造方法
64、嵌入式功率半導體封裝結構
*、半導體裝置及半導體裝置的制造方法
66、加固了的半導體晶片容器
67、半導體集成電路及其測試方法
68、半導體器件及其制造方法
69、半導體*件與記憶體及其操作方法
70、制造半導體器件結構的方法
71、制造半導體或液晶的裝置
72、高電壓金屬氧化物半導體裝置
73、半導體激光器耦合尾纖用嵌入式槽型光纖支架
74、切割?小片接合用粘合片以及半導體裝置的制造方法
75、具有硅通孔的半導體芯片構造及其堆疊組合
76、半導體結構
77、熱電半導體裝置
78、半導體器件的凸出電極形成方法
79、半導體裝置及半導體裝置的制造方法
80、具隔離結構的金屬氧化物半導體場效晶體管及其制作方法
81、高功率半導體照明燈
82、具有溝槽隔離的半導體器件及其制造方法
83、非易失性半導體存儲設備及其制造方法
84、具有低電感的半導體半橋模塊
*、具有帶易于浮島形成的臺階式溝槽的電壓維持層的功率半導體器件的制造方法
86、一種半導體致冷組件專用散熱器
87、P-I-N半導體二極管及其形成方法
88、半導體器件及其制造方法
89、具有嵌入式電容的半導體*件基材
90、半導體集成電路及其制造方法
91、凹入式柵極金屬氧化物半導體晶體管裝置及其制作方法
92、半導體器件的制造方法
93、金屬立方體半導體器件與方法
94、半導體激光頭泵浦源用*通道熱沉結構及制備方法
95、半導體器件結構以及制造具有此結構的半導體器件的方法
96、半導體器件及半導體器件形成方法
97、集成型半導體激光*件及其制造方法
98、半導體器件及其制造方法
99、具有嵌入到塑料殼體中的半導體結構組件的半導體構件
100、半導體裝置及半導體裝置的制造方法
101、半導體晶片清洗系統以及清洗方法
102、半導體裝置的制造方法
103、包括疊層芯片的半導體器件生產方法及對應的半導體器件
104、半導體*件結構及其制作方法
105、半導體裝置
106、半導體器件及其制造方法
107、絕緣型大功率電力半導體模塊
108、制造半導體或液晶的裝置
109、半導體材料電信號測試裝置
110、具有高擊穿電壓的半導體裝置及其制造方法
111、樹脂密封金屬模和樹脂密封型半導體器件及其制造方法
112、半導體IC內設模塊
113、半導體器件及制作方法
114、無電電鍍溶液及半導體器件
1*、便于測試印刷半導體器件的方法和設備
116、半導體器件及其制造方法
117、具有非晶硅MONOS存儲單*結構的半導體器件及其制造方法
118、一種新型封裝結構的半導體器件
119、半導體裝置及其制造方法
120、半導體*件的嵌入式金屬散熱座及其制造方法
121、半導體激光裝置及其制造方法
122、半導體裝置的制造方法、半導體裝置、電路基板、電子設備
123、半導體器件以及制造半導體器件的方法
124、可嵌入鑄模的散熱器、用該散熱器的半導體器件及制造方法
*、半導體激光輻照血液治療儀
126、半導體晶片的即期發貨包裝及其即期發貨包裝方法
127、半導體芯片疊層
128、配線板、半導體器件及制造配線板和半導體器件的方法
129、具有可調能帶帶隙的半導體裝置
130、半導體裝置及其制造方法
131、半導體芯片封裝
132、用于快速測試的半導體取送機
133、半導體器件及其制作方法
134、互補金屬氧化物半導體
135、多層配線板、使用多層配線板的半導體器件及其制造方法
136、圖像感應*件及其系統芯片半導體結構
137、高功率半導體照明燈
138、半導體IC、具有嵌入半導體IC的模塊以及它們的制造方法
139、可容置大尺寸芯片的半導體裝置及其制法以及相關載件
140、半導體集成電路器件
141、半導體裝置、嵌入式存儲器及其制造方法
142、無電電鍍溶液及半導體器件
143、半導體激光器的制造方法
144、具有嵌入式電容的半導體裝置及其制造方法
145、半導體器件及其制造方法
146、半導體圖*傳感器的結構及其制造方法
147、使用不同詢問頻率的互調分量進行物件**的半導體器件
148、半導體裝置及形成輔助介層窗的方法
149、半導體器件及其制造方法
*0、半導體裝置的制造方法
*1、半導體測試裝置
*2、制造半導體裝置的方法
*3、絕緣型大功率電力半導體模塊
*4、靜電放電保護電路的半導體結構及其形成方法
*5、非易失性半導體存儲器件
*6、半導體裝置及半導體裝置的制造方法
*7、包括半導體器件的紙及其制造方法
*8、具有溫度傳感器的功率半導體模塊
*9、半導體基板用研磨液組合物
160、非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
161、半導體*件及其制造方法
162、使半導體材料形成互相嵌入圖案的方法
163、光學半導體裝置的生產工藝和該工藝中使用的片
164、嵌入高電壓橫向擴散金屬氧化物半導體的快閃存儲器制程
1*、半導體器件及其制造方法
166、制造用于閃存半導體器件的隔離結構的方法
167、半導體裝置、預模制封裝結構及其制造方法
*、半導體裝置及制造其方法
169、半導體裝置及其制造方法
170、半導體芯片及其制造方法、半導體裝置及其制造方法
171、半導體電路裝置及其制造方法
172、在用于半導體器件的結構中的第二材料中嵌入的第一材料的表面上形成層的方法
173、半導體燈
174、半導體器件及其制造方法
175、半導體裝置及其制作方法
176、具有改良金屬布線的半導體器件
177、具有隔離結構的金屬氧化物半導體場效應晶體管
178、半導體存儲器
179、半導體器件
180、一種半導體致冷組件專用散熱器
181、嵌入有半導體IC的基板及其制造方法
182、基于Petri網與免疫算法的半導體生產線建模與優化調度方法
183、一種半導體晶圓片多路測試方法和多路測試探針臺
184、半導體器件及其制造方法
1*、加固了的半導體晶片容器 "
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