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.以下為光盤目錄：
1、陶瓷及其制造方法、以及電介質電容器、半導體裝置及*件
[技術摘要]一種陶瓷的制造方法，包括：形成一個具有氧八面體結構的復合氧化物材料與對該復合氧化物材料具有觸媒作用的常介電體材料混合存在的膜；之后對該膜進行熱處理，所述常介電體材料，由構成*素中含有Si的層狀觸媒物質，以及構成*素中含有Si及Ge的層狀觸媒物質構成。所述熱處理包括燒結及退*，優選至少該退*在含有氧及臭氧中的一種氣體的加壓環境下進行。陶瓷是具有氧八面體結構的復合氧化物，該復合氧化物中含有Si及Ge。

2、半導體器件中的電容器及其制造方法
[技術摘要]一種半導體器件的電容器，其具有多晶硅-介電層-金屬層結構。該電容器包括：多晶硅層，設置在半導體襯底上；電容器介電層，設置在該多晶硅層上；絕緣層，設置在該電容器介電層上；金屬層，設置為穿過該絕緣層的第一區域連接至該電容器介電層；上金屬布線層，設置在該絕緣層上并連接至該金屬層；以及下金屬布線層，設置在該絕緣層上，并經過金屬接觸部連接至該多晶硅層，其中該金屬接觸部穿過該絕緣層的第二區域和該電容器介電層。

3、制造電容器和半導體器件的方法
[技術摘要]在制造電容器和半導體器件的方法中，在具有接觸插塞的襯底上形成模制層。該模制層包括露出接觸插塞的開口。在接觸插塞、開口的內側壁以及模制層上形成導電層。形成光致抗蝕劑圖形，以基本填充該開口。通過部分去除導電層，形成圓柱形下電極。選擇性地去除模制層，同時光致抗蝕劑圖形防止破壞下電極、接觸插塞和襯底。去除光致抗蝕劑圖形，然后，在下電極上形成介質層和上電極。因為存在光致抗蝕劑圖形，所以在選擇性地去除模制層期間，可以有效防止破壞下電極和接觸插塞。

4、一種形成低電容半導體器件的方法及其結構
[技術摘要]在一個實施例中，形成一個帶有柵極結構的晶體管，其柵極結構上具有一個開口。一個絕緣體至少在該開口的側壁上形成，并且在該絕緣體上形成一個導體。

5、制造半導體存儲器件的電容器的方法
6、一種半導體金屬電容
7、形成半導體器件的電容器的方法
8、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
9、半導體瓷片電容器自動測量聯動機
10、半導體裝置、半導體駐極體電容話筒及其制造方法
11、在用于功率放大器的深度亞*米金屬氧化物半導體中的組合的晶體管-電容器結構
12、具有減小的柵極-源極 漏極電容的半導體晶體管
13、電容性動態量傳感器和半導體器件
14、一種鈦酸鍶系半導體陶瓷電容器的制造方法
*、制造半導體器件的電容器的方法
16、電容絕緣膜及其制造方法、電容*件及其制造方法和半導體存儲裝置及其制造方法
17、具有電容器的半導體器件及其制造方法
18、具有嵌入式電容的半導體裝置及其制造方法
19、減少半導體容器電容器中的損傷
20、耦合電容器及使用其的半導體存儲器件
21、具有最小覆蓋電容的金屬氧化物半導體場效應晶體管
22、帶可變阻功能的層疊型半導體陶瓷電容器及其制造方法
23、半導體器件中電容器的制造方法
24、在雜質擴散區之間具有減小的寄生電容的半導體器件
25、接觸半導體電容脈沖發電裝置
26、一種低電容半導體過壓保護器芯片
27、具有電容*件的半導體裝置及其制造方法
28、半導體器件和MIM電容器
29、半導體器件電容器及其制備方法
30、半導體陶瓷電容器瓷片半導化工藝方法
31、低電容大面積半導體光電檢測器及光電檢測系統
32、電容器及制造電容器的方法、半導體裝置和液晶顯示裝置
33、具有堆疊的去耦電容器的半導體器件
34、具有減小的寄生電容和短啟動時間的半導體集成電路
35、制作半導體器件中圓筒形疊層電容器的方法
36、具有形成在電容器上的可流動絕緣層的半導體裝置及其制造方法
37、具有電容器*件的半導體器件
38、半導體器件形成期間用于垂直定向電容器的支撐
39、制造半導體器件的電容器的方法
40、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
41、電容*件的制造方法、半導體裝置的制造方法及半導體制造裝置
42、半導體存儲*件的電容器及其制造方法
43、MIM電容器及其制造方法、半導體器件及其制造方法
44、電容器及其制造方法、以及包含該電容器的半導體器件
45、在半導體襯底上制造電容器的方法
46、有疊層式電容器單*的半導體存儲器件及制法
47、具有電容*件的半導體器件及其形成方法
48、制造半導體器件電容器的方法和半導體器件電容器
49、半導體裝置的電容器及其制備方法
50、制造半導體器件的電容器的方法
51、制造半導體器件的裝置及制造半導體器件電容器的方法
52、場效應半導體器件中電容*件的動態控制
53、半導體器件中的疊層電容器及其制造方法
54、具有電容器保護層的半導體存儲器件及其制備方法
55、電力電容器控制用半導體開關
56、用于超低電容互連的有空氣隙的半導體裝置的制造
57、處理半導體結構的方法以及使用其形成用于半導體器件的電容器的方法
58、電容器充電裝置、用于其的半導體集成電路
59、半導體芯片中具有降低的電壓相關性的高密度復合金屬-絕緣體-金屬電容器
60、半導體集成電路、升壓電路和電容器
61、具有瓶狀深溝槽電容的半導體*件及其制造方法
62、具有階梯狀柱形結構的電容器的半導體器件及其制造方法
63、半導體器件的電容器的制造方法
64、用于半導體*件的電容器及其制造方法
*、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
66、金屬與半導體接觸電容熱電池
67、包含鐵電電容器的半導體器件及其制造方法
68、強電介質電容器及其制造方法以及半導體存儲裝置
69、包括層疊電容器的半導體器件
70、內置有電容器的半導體裝置及其制造方法
71、探針板和半導體芯片的測試方法、電容器及其制造方法
72、半導體存儲器之電容器結構的制備方法
73、包括金屬-絕緣體-金屬電容器的集成電路裝置和半導體裝置
74、制造半導體器件電容器的方法
75、制造半導體器件冠式電容器的方法
76、用于具有最小圖案密度要求的半導體技術的電感和電容*件
77、半導體*件制造方法及電容器的制造方法
78、具有電容*件的半導體裝置及其制造方法
79、在半導體裝置中形成電容器之存儲節點的方法
80、具有均化電容的高壓和低導通電阻橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管
81、有模擬電容器的半導體器件及其制造方法
82、用于半導體器件的電容器及其制造方法
83、半導體*件的制造方法及在其內制造電容器的方法
84、強電介質膜、強電介質電容器、強電介質存儲器、壓電*件、半導體*件、強電介質膜的制造方法、和強電介質電容器的制造方法
*、半導體設備的電容器和使用同樣電容器的存儲器設備
86、用于制造半導體器件的電容器的方法
87、具有電容器的半導體存儲器件
88、接觸半導體電容脈沖動力裝置
89、半導體器件中的MIM電容和用于該MIM電容的方法
90、半導體器件中電容器的制造方法
91、具有電容*件的半導體器件及其制造方法
92、具有電容器的半導體器件
93、具有鑲嵌式MIM型電容的半導體器件的制造方法
94、靜電放電電路和減少半導體芯片的輸入電容的方法
95、一種電容器及半導體結構的制造方法
96、具有高Q晶片背面電容器的半導體集成電路器件
97、具有準確的電容提取的半導體集成電路的設計方法
98、半導體器件的電容器及其制造方法
99、含由導電極和托盤形導電層構成的電容電極的半導體器件
100、防止半導體器件中大電流損傷的電容器擊穿測試結構
101、具有SOI結構的晶體管及電容器且非易失地存儲數據的半導體裝置
102、半導體器件電容器及其制造方法
103、包括金屬-絕緣體-金屬電容器排列的半導體器件
104、半導體器件及其制造方法與電容器結構及其制造方法
105、半導體存儲*件的電容器及其制造方法
106、200610000914.3
107、具有鐵電電容器的半導體器件及其制造方法
108、鐵電電容器和半導體器件
109、接觸半導體電容脈沖傳熱裝置
110、具有電容器的半導體器件及其制造方法
111、半導體*件的電容器及其制造方法
112、具有溝槽電容的半導體的制造方法
113、制造半導體陶瓷電容器基片用組合燒結爐
114、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
1*、半導體存儲器電路的電容器的制造方法
116、制備半導體器件中的電容器電荷儲存電極的方法
117、半導體器件的電容器的形成方法
118、半導體加工工具中的電容性距離感測
119、光電容法確定半導體量子點電荷密度的方法
120、具有電容器的半導體設備及其制造方法
121、具有電容器的半導體存儲器件
122、半導體電容結構
123、含靜電電容*件的半導體裝置及其制造方法
124、電容器、半導體存儲器件及制造電容器的方法
*、具有MIM電容器的半導體器件及其制造方法
126、電容*件埋入半導體封裝基板結構及其制作方法
127、具金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
128、經降低線間電容及串話噪聲的半導體器件
129、半導體放大電路和半導體駐極體電容擴音器
130、具有增加的節點電容的半導體存儲器件
131、敞開式短尾半導體電容套管
132、半導體分形電容的制造方法
133、金屬 絕緣體 金屬電容結構的半導體裝置
134、用于制造半導體器件疊層電容器的方法
135、半導體器件用電容器、其制造方法及采用它的電子器件
136、半導體存儲*件的電容器及其制造方法
137、半導體電容裝置
138、半導體器件的電容器制造方法
139、設有電容器的半導體裝置的制造方法
140、用于制備半導體裝置中的電容器的方法
141、制造非晶金屬氧化物膜的方法以及制造具有非晶金屬氧化物膜的電容*件和半導體器件的方法
142、材料層與電容器和半導體存儲器及其制造方法
143、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
144、半導體器件和提供低襯底電容區域的方法
145、半導體集成電路及其相位補償用電容的電容值調整方法
146、半導體器件中的電容器及制造方法
147、制造半導體器件電容的方法
148、具有高度結構可靠性和低寄生電容的半導體器件
149、電容器制程運用于半導體制程的方法
*0、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
*1、半導體*件之電容器與金屬柵極之制造方法
*2、使用無定形碳制造半導體存儲器件的電容器的方法
*3、電容式半導體壓力傳感器
*4、半導體陶瓷合成物和半導體陶瓷電容器
*5、形成半導體器件的電容器的方法
*6、用于半導體器件的存儲電容器及形成該存儲電容器的方法
*7、電容器裝載型半導體器件
*8、設有電容的半導體裝置及其制造方法
*9、具有高介電常數介質層的半導體器件電容器的制造方法
160、去耦電容與半導體集成電路
161、帶有MIS_集成電容器的單片集成電路
162、包括電容器和至少一個半導體構件的電子電路以及該電路的設計方法
163、能減小寄生電容的半導體器件的制造方法
164、包括無電容器的存儲單*的半導體存儲器件
1*、半導體器件及其制造方法與電容器結構及其制造方法
166、具有嵌入式電容的半導體*件基材
167、鐵電電容器與半導體器件
*、具有金屬-絕緣體-金屬電容器的半導體器件及制造方法
169、具有電容器的半導體器件及其制造方法
170、半導體電容器及其制備方法
171、包括溝槽電容器和溝槽電阻器的半導體結構
172、具有“金屬上的電容器”結構的半導體器件的制造方法
173、具備電容器的半導體裝置及其制造方法
174、半導體器件的電容器的制造方法
175、半導體器件的電容器底電極及其制造方法
176、半導體器件電容區上多晶硅阻值的控制方法
177、晶界層半導體陶瓷電容器制造方法
178、制作半導體存貯器件的電容器下電極的方法
179、具有電容器的半導體*件的制造方法
180、用于半導體存儲單*的有隔離環的溝槽電容器的制造方法
181、接觸半導體電容脈沖電解水裝置
182、半導體電容結構
183、具有接觸電容器電極的插塞的半導體存儲器及其制備方法
184、在半導體器件內安置在支撐架上的電容器及其制造方法
1*、半導體電容器結構及其制造方法
186、半導體集成電容性加速度傳感器及其制造方法
187、用于制造用于半導體器件的電容器的方法
188、半導體器件中電容器的形成方法
189、帶電容的半導體器件的制造方法
190、半導體陶瓷電容器
191、金屬薄膜及其制造方法、電介質電容器及其制造方法及半導體裝置
192、雙電容金屬氧化物半導體硅基高速高調制效率電光調制器
193、用于制造包含每單位面積有高電容的電容器的半導體組件的方法
194、半導體裝置和電容測量方法
195、半導體組件中電容器的制備方法
196、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
197、具有電容器的半導體存儲器件
*、半導體的制造方法以及降低寄生電容的方法
199、半導體器件的非易失性電容器、半導體存儲器及工作方法
200、半導體存儲*件的電容器的形成方法
201、包含溝槽式電容的半導體裝置及其制造方法
202、電容器、半導體裝置和其制造方法、電光裝置及電子機器
203、半導體結構和形成電容電路*件的方法
204、半導體接觸電容熱電池
205、具有相同平面上的熔絲和電容器的半導體器件及制造方法
206、半導體器件的電容器、存儲器件及其制造方法
207、形成在半導體襯底上的精密**電容器
208、半導體基板中增加儲存電容之電容器排列
209、制造隱匿于半導體基底的水平溝槽電容器的方法
210、半導體可變電容器及其制造方法
211、用于制造半導體器件的電容器的方法及電容器結構
212、具有電容器的半導體存儲器件
213、一種半導體金屬電容的結構及其刻蝕方法
214、制造半導體器件中的電容器的方法
2*、包含場效應晶體管以及減少漏電流與提高單位面積電容量的被動電容器的半導體裝置
216、在半導體裝置中制造電容器的方法
217、半導體存儲器*件的電容器及其制造方法
218、半導體裝置的電容器的制造方法
219、半導體*件的自動協調電阻電容時間常數的電路及方法
220、半導體存儲器件的電容器及其制造方法
221、包含集成格狀電容器結構的半導體組件
222、半導體封裝裝置及成型物質引起的寄生電容的計算方法
223、形成半導體器件的電容器的方法
224、半導體疊層電容器
225、帶有電容器和熔斷層的半導體器件
226、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
227、制造用于半導體裝置的圓柱型電容器的方法
228、半導體*件中的電容器裝置和驅動裝置
229、金屬與半導體接觸電容脈沖發電裝置
230、半導體存儲器的電容器結構及其制備方法
231、深亞*米互補型金屬氧化半導體的交指形狀多層電容器結構
232、具有電容器的半導體器件及其制造方法
233、半導體器件的包封金屬結構及包括該結構的電容器
234、電容*件及其制造方法和半導體裝置及其制造方法
235、形成硅氧化物膜的方法和制造電容器與半導體裝置的方法
236、包含垂直退耦電容器的半導體器件
237、晶界層半導體陶瓷電容器制造方法
238、具有金屬－絕緣體－金屬電容的半導體器件
239、形成介電膜的方法和利用該方法在半導體器件中形成電容器的方法
240、半導體*件及制造鑲嵌結構中的金屬絕緣金屬電容的方法
241、復合式金屬氧化物半導體電容以及*相環
242、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
243、測量金屬氧化物半導體組件的本征電容的方法
244、靜電電容式半導體物理量傳感器及其制造方法
245、半導體芯片中的電容
246、提高半導體集成電路器件中深溝槽電容的集成方案
247、具有接觸電容器電極的插塞的半導體存儲器及其制造方法
248、互補金屬氧化物半導體工藝中的線性電容器結構
249、半導體駐極體電容器麥克風
250、電容器和半導體裝置
251、具有電容器的半導體器件
252、帶有電容器和熔斷層的半導體器件及其制造方法
253、補償半導體*件的結電容的溫度依存性的電容器制造方法
254、包含金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
255、半導體電容器*件
256、半導體陶瓷電容器的基片生產工藝
257、電容*件、半導體存儲器及其制備方法
258、強電介質膜、強電介質電容器、強電介質存儲器、壓電*件、半導體*件
259、具有電容器的半導體器件的制造方法
260、半導體MOS、CMOS器件和電容器及其制造方法
261、電容器模塊和使用電容器模塊的半導體器件
262、半導體陶瓷、層疊型半導體陶瓷電容器、半導體陶瓷的制造方法、層疊型的半導體陶瓷電容器的制造方法
263、包括溝槽電容器的半導體器件及其制造方法
264、制造半導體器件中的電容器的方法
2*、具有減小的襯底電容的半導體器件和方法
266、具有形成在多層布線結構中電容器的半導體器件
267、具有電容器的半導體器件及其制造方法
268、制造半導體器件電容器的方法
269、具備電容器的半導體裝置及其制造方法
270、帶多層電容器的半導體存儲器裝置
271、陶瓷及其制造方法、以及電介質電容器、半導體裝置及*件
272、高速和低寄生電容的半導體器件及其制造方法
273、半導體電容
274、鐵電電容器及積體半導體內存芯片之制造方法
275、具有MIM電容器的半導體裝置及其制造方法
276、含有電容器的半導體存儲器件的制造方法
277、用于形成半導體器件電容器的方法
278、具有優良面積利用率的電容*件的半導體器件
279、半導體器件電容制備方法
280、電化學處理半導體基片的方法和形成電容器結構的方法
281、開關電容電路及其半導體集成電路
282、半導體裝置的電容器的制造方法
283、具有鐵電存儲電容器的半導體存儲器件
284、顯示裝置的半導體結構及其制造方法、以及像素電容結構
2*、半導體裝置的電容器的制造方法
286、應用于可變容量電容器和放大器的半導體器件
287、半導體器件的電容器及其形成方法
288、接觸半導體電容脈沖海水淡化裝置
289、半導體器件中的電容器結構及其形成方法
290、具有電容器的半導體存儲器件
291、電容*件及半導體存儲裝置
292、具有部分嵌埋型解耦合電容的半導體芯片
293、具有電容器的半導體存儲器件
294、半導體金屬電容
295、制造半導體裝置的電容器的方法
296、具有平行板溝槽電容器的半導體器件
297、降低半導體電容的漏電流的方法與相關的裝置
298、在半導體器件中制造電容器的方法
299、半導體電容結構及其布局
300、陶瓷膜及其制造方法、以及鐵電體電容器、半導體裝置及其他*件
301、具有電容器的半導體存儲器件
302、用以形成半球形晶粒層及制造半導體裝置中之電容器的方法
303、制造半導體電容器的方法 "
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