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1、形成介電膜的方法和利用該方法在半導體器件中形成電容器的方法
[技術摘要]提供一種在半導體器件中形成介電膜的方法，其中所述方法可以改善介電特性和漏電流特性。依照本發明的具體實施方案，形成介電膜的方法包括：在晶片上形成預定厚度的二氧化鋯 具有電容器*件的半導體器件
[技術摘要]本發明提供一種具有電容器*件的半導體器件，包括：電容器*件，其具有提供在半導體襯底上方的平板型下電極、提供在下電極上方并且與之平行的平板型TiN膜和提供在下電極和TiN膜之間的電容器膜；以及第一Cu栓塞，其與下電極的底表面接觸，并且由金屬材料構成，其中該電容器膜具有包含有機分子作為成分的膜。

2、具有“金屬上的電容器”結構的半導體器件的制造方法
[技術摘要]具有“金屬上的電容器”的半導體器件的形成方法，包括形成連接有源區的位線。用第一絕緣材料形成第一覆蓋層。用不同刻蝕率的第二絕緣材料形成第一層間介質膜。用第三絕緣材料形成第二覆蓋層。依次形成連接有源區的第一接觸孔和用于局部互連的第二接觸孔。淀積金屬充填第一和第二接觸孔形成栓和布線層。用第四絕緣材料只在周邊電路區內形成第二層間絕緣膜，其刻蝕率與第三絕緣材料不同。形成存儲電極、介質膜及平板電極。

3、半導體*件制造方法及電容器的制造方法
[技術摘要]本發明提供一種半導體*件制造方法及電容器的制造方法，具體涉及一種使用激光瞬間退*制造半導體*件的方法，包括提供一具有一表面的半導體基底，形成一柵極介電層于半導體基底的表面上，對柵極介電層進行一激光退*制程，在激光瞬間退*制程之后，圖形化柵極介電層且至少形成一柵極介電結構。之后，形成一源極和漏極區以形成一晶體管，并通過連接源極和漏極區以形成一電容器。本發明所述半導體*件制造方法及電容器的制造方法，在較少的聚集性、擴散性和熱預算成本下，對柵極介電層或電容器介電層進行退*，以得到較佳的電性。

4、半導體器件中的疊層電容器及其制造方法5、具有電容器*件的半導體器件
6、半導體陶瓷、層疊型半導體陶瓷電容器、半導體陶瓷的制造方法、層疊型的半導體陶瓷電容器的制造方法
7、用以形成半球形晶粒層及制造半導體裝置中之電容器的方法
8、半導體疊層電容器
9、具有金屬-絕緣體-金屬電容器的半導體器件及制造方法
10、在半導體器件中制造電容器的方法
11、具有電容器的半導體器件的制造方法
12、制造半導體電容器的方法
13、具金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
14、半導體器件的電容器的形成方法
*、帶有MIS_集成電容器的單片集成電路
16、一種電容器及半導體結構的制造方法
17、半導體MOS、CMOS器件和電容器及其制造方法
18、半導體存儲器*件的電容器及其制造方法
19、強電介質電容器及其制造方法以及半導體存儲裝置
20、互補金屬氧化物半導體工藝中的線性電容器結構
21、制造用于半導體裝置的圓柱型電容器的方法
22、具有電容器的半導體器件及其制造方法
23、半導體陶瓷電容器的基片生產工藝
24、半導體*件的制造方法及在其內制造電容器的方法
25、具有電容器保護層的半導體存儲器件及其制備方法
26、內置有電容器的半導體裝置及其制造方法
27、金屬薄膜及其制造方法、電介質電容器及其制造方法及半導體裝置
28、制造半導體器件中的電容器的方法
29、半導體存儲*件的電容器及其制造方法
30、半導體基板中增加儲存電容之電容器排列
31、半導體電容器結構及其制造方法
32、半導體器件中電容器的制造方法
33、半導體器件的電容器及其制造方法
34、半導體集成電路、升壓電路和電容器
35、用于制造包含每單位面積有高電容的電容器的半導體組件的方法
36、形成在半導體襯底上的精密**電容器
37、半導體器件及其制造方法與電容器結構及其制造方法
38、電容器制程運用于半導體制程的方法
39、MIM電容器及其制造方法、半導體器件及其制造方法
40、用于半導體*件的電容器及其制造方法
41、具有電容器的半導體存儲器件
42、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
43、半導體可變電容器及其制造方法
44、半導體裝置的電容器的制造方法
45、具有電容器的半導體存儲器件
46、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
47、半導體裝置的電容器及其制備方法
48、電容器模塊和使用電容器模塊的半導體器件
49、具有接觸電容器電極的插塞的半導體存儲器及其制備方法
50、在半導體器件內安置在支撐架上的電容器及其制造方法
51、包含集成格狀電容器結構的半導體組件
52、半導體器件中的電容器及其制造方法
53、制造半導體器件電容器的方法
54、半導體器件的電容器制造方法
55、形成半導體器件的電容器的方法
56、包括金屬-絕緣體-金屬電容器排列的半導體器件
57、晶界層半導體陶瓷電容器制造方法
58、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
59、制造隱匿于半導體基底的水平溝槽電容器的方法
60、處理半導體結構的方法以及使用其形成用于半導體器件的電容器的方法
61、電容器、半導體裝置和其制造方法、電光裝置及電子機器
62、具有電容器的半導體器件及其制造方法
63、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
64、半導體存儲*件的電容器及其制造方法
*、制造半導體器件的電容器的方法
66、探針板和半導體芯片的測試方法、電容器及其制造方法
67、半導體器件電容器及其制造方法
68、具有接觸電容器電極的插塞的半導體存儲器及其制造方法
69、用于制備半導體裝置中的電容器的方法
70、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
71、使用無定形碳制造半導體存儲器件的電容器的方法
72、半導體器件的電容器的制造方法
73、半導體芯片中具有降低的電壓相關性的高密度復合金屬-絕緣體-金屬電容器
74、具備電容器的半導體裝置及其制造方法
75、半導體設備的電容器和使用同樣電容器的存儲器設備
76、制造半導體裝置的電容器的方法
77、具有階梯狀柱形結構的電容器的半導體器件及其制造方法
78、半導體器件的包封金屬結構及包括該結構的電容器
79、半導體器件中的電容器結構及其形成方法
80、半導體裝置的電容器的制造方法
81、用于制造半導體器件的電容器的方法及電容器結構
82、半導體器件的電容器及其形成方法
83、形成半導體器件的電容器的方法
84、半導體器件形成期間用于垂直定向電容器的支撐
*、包含垂直退耦電容器的半導體器件
86、半導體電容器*件
87、半導體*件中的電容器裝置和驅動裝置
88、電容器、半導體存儲器件及制造電容器的方法
89、制造半導體器件的裝置及制造半導體器件電容器的方法
90、帶有電容器和熔斷層的半導體器件
91、半導體器件的電容器、存儲器件及其制造方法
92、含有電容器的半導體存儲器件的制造方法
93、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
94、用于形成半導體器件電容器的方法
95、具有電容器的半導體器件及其制造方法
96、防止半導體器件中大電流損傷的電容器擊穿測試結構
97、在半導體裝置中制造電容器的方法
98、在半導體襯底上制造電容器的方法
99、半導體存儲*件的電容器及其制造方法
100、金屬-絕緣-金屬結構的電容器、半導體裝置及制造方法
101、強電介質膜、強電介質電容器、強電介質存儲器、壓電*件、半導體*件
102、具有電容器的半導體存儲器件
103、半導體器件的非易失性電容器、半導體存儲器及工作方法
104、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
105、制備半導體器件中的電容器電荷儲存電極的方法
106、半導體駐極體電容器麥克風
107、半導體*件之電容器與金屬柵極之制造方法
108、半導體存儲器電路的電容器的制造方法
109、減少半導體容器電容器中的損傷
110、用于半導體器件的存儲電容器及形成該存儲電容器的方法
111、包括電容器和至少一個半導體構件的電子電路以及該電路的設計方法
112、半導體器件電容器及其制備方法
113、形成半導體器件的電容器的方法
114、半導體存儲器的電容器結構及其制備方法
1*、晶界層半導體陶瓷電容器制造方法
116、具有MIM電容器的半導體器件及其制造方法
117、具有平行板溝槽電容器的半導體器件
118、在半導體裝置中形成電容器之存儲節點的方法
119、電容器和半導體裝置
120、陶瓷及其制造方法、以及電介質電容器、半導體裝置及*件
121、具有形成在多層布線結構中電容器的半導體器件
122、具有電容器的半導體器件及其制造方法
123、制作半導體存貯器件的電容器下電極的方法
124、具有SOI結構的晶體管及電容器且非易失地存儲數據的半導體裝置
*、電容器裝載型半導體器件
126、包括無電容器的存儲單*的半導體存儲器件
127、一種鈦酸鍶系半導體陶瓷電容器的制造方法
128、半導體器件及其制造方法與電容器結構及其制造方法
129、半導體組件中電容器的制備方法
130、半導體陶瓷電容器瓷片半導化工藝方法
131、陶瓷及其制造方法、以及電介質電容器、半導體裝置及*件
132、鐵電電容器與半導體器件
133、耦合電容器及使用其的半導體存儲器件
134、材料層與電容器和半導體存儲器及其制造方法
135、包括層疊電容器的半導體器件
136、帶可變阻功能的層疊型半導體陶瓷電容器及其制造方法
137、深亞*米互補型金屬氧化半導體的交指形狀多層電容器結構
138、強電介質膜、強電介質電容器、強電介質存儲器、壓電*件、半導體*件、強電介質膜的制造方法、和強電介質電容器的制造方法
139、在用于功率放大器的深度亞*米金屬氧化物半導體中的組合的晶體管-電容器結構
140、電容器充電裝置、用于其的半導體集成電路
141、電容器及制造電容器的方法、半導體裝置和液晶顯示裝置
142、半導體裝置的電容器的制造方法
143、具備電容器的半導體裝置及其制造方法
144、半導體器件中電容器的制造方法
145、半導體器件和MIM電容器
146、半導體器件中電容器的形成方法
147、具有鐵電存儲電容器的半導體存儲器件
148、形成硅氧化物膜的方法和制造電容器與半導體裝置的方法
149、制造半導體器件中的電容器的方法
*0、補償半導體*件的結電容的溫度依存性的電容器制造方法
*1、半導體瓷片電容器自動測量聯動機
*2、半導體電容器及其制備方法
*3、制造電容器和半導體器件的方法
*4、包含場效應晶體管以及減少漏電流與提高單位面積電容量的被動電容器的半導體裝置
*5、制造半導體器件的電容器的方法
*6、制造半導體器件的電容器的方法
*7、帶多層電容器的半導體存儲器裝置
*8、半導體陶瓷合成物和半導體陶瓷電容器
*9、制造半導體存儲器件的電容器的方法
160、用于制造用于半導體器件的電容器的方法
161、制作半導體器件中圓筒形疊層電容器的方法
162、具有電容器的半導體器件
163、電化學處理半導體基片的方法和形成電容器結構的方法
164、具有鐵電電容器的半導體器件及其制造方法
1*、具有相同平面上的熔絲和電容器的半導體器件及制造方法
166、包含鐵電電容器的半導體器件及其制造方法
167、半導體存儲*件的電容器的形成方法
*、帶有電容器和熔斷層的半導體器件及其制造方法
169、有疊層式電容器單*的半導體存儲器件及制法
170、設有電容器的半導體裝置的制造方法
171、用于半導體存儲單*的有隔離環的溝槽電容器的制造方法
172、具有電容器的半導體*件的制造方法
173、半導體器件的電容器底電極及其制造方法
174、半導體存儲器之電容器結構的制備方法
175、包含金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
176、具有電容器的半導體存儲器件
177、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
178、具有形成在電容器上的可流動絕緣層的半導體裝置及其制造方法
179、有模擬電容器的半導體器件及其制造方法
180、半導體*件的電容器及其制造方法
181、用于半導體器件的電容器及其制造方法
182、半導體器件的電容器的制造方法
183、半導體器件用電容器、其制造方法及采用它的電子器件
184、陶瓷膜及其制造方法、以及鐵電體電容器、半導體裝置及其他*件
1*、電容器及其制造方法、以及包含該電容器的半導體器件
186、具有電容器的半導體器件
187、具有堆疊的去耦電容器的半導體器件
188、包括溝槽電容器的半導體器件及其制造方法
189、應用于可變容量電容器和放大器的半導體器件
190、用于制造半導體器件疊層電容器的方法
191、具有電容器的半導體存儲器件
192、具有電容器的半導體存儲器件
193、制造半導體器件冠式電容器的方法
194、半導體陶瓷電容器
195、包括金屬-絕緣體-金屬電容器的集成電路裝置和半導體裝置
196、鐵電電容器和半導體器件
197、具有MIM電容器的半導體裝置及其制造方法
*、制造半導體陶瓷電容器基片用組合燒結爐
199、電力電容器控制用半導體開關
200、鐵電電容器及積體半導體內存芯片之制造方法
201、具有電容器的半導體設備及其制造方法
202、半導體器件中的電容器及制造方法
203、具有高Q晶片背面電容器的半導體集成電路器件
204、具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
205、半導體存儲器件的電容器及其制造方法
206、具有電容器的半導體存儲器件
207、用于制造半導體器件的電容器的方法
208、具有高介電常數介質層的半導體器件電容器的制造方法
209、制造半導體器件電容器的方法和半導體器件電容器
210、包括溝槽電容器和溝槽電阻器的半導體結構
211、制造半導體器件電容器的方法 "
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