半導體|半導體元件|半導體封裝|化合物半導體器件生產技術工藝（168元/全套）歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；；資料（光盤）編號：F400406
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"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8151-0079-0001 半導體裝置和半導體裝置制造系統
摘要 具有沉陷和突起的絕緣膜形成于襯底上。半導體膜形成于絕緣膜上。這樣，為了用激光晶化，應變集中的部分選擇地形成于半導體膜中。更具體地，條形或矩形沉陷和突起提供在半導體膜中。然后，連續波激光沿著形成于半導體膜中的條形沉陷和突起或在矩形長軸或短軸的方向照射。
8151-0160-0002 高深寬比硅深刻蝕方法
摘要 本發明涉及一種高深寬比硅深刻蝕方法。采用具有雙路氣體自動切換功能的英國STS公司生產的STS Multiplex ICP高密度等離子刻蝕系統，采用如下的工藝條件：離子源功率：600W，承片臺功率：12～14W，刻蝕氣體流量：95sccm，刻蝕時間：13～15秒，鈍化氣體流量：95sccm，鈍化時間：9～11秒，刻蝕與鈍化重疊時間：0.5秒，反應壓力：18～36mTorr，刻蝕樣品：直徑100毫米硅片，刻蝕掩膜：普通正性光刻膠。解決了硅深刻蝕過程中刻蝕速率隨槽寬度變窄而降低的這一國際性難題，使采用復雜圖形和梳齒圖形的器件結構能夠用高深寬比硅刻蝕技術來實現，為MEMS器件的制造提供了一種有效可行的加工手段。可廣泛應用于微電子機械技術領域。
8151-0194-0003 硅光電器件以及利用這種器件的發光設備
本發明提供一種硅光電器件和利用此硅光電器件的發光設備。此硅光電器件包括：基于n-型或p-型硅的襯底；在襯底的一個表面上形成并用預定摻雜劑摻雜到超淺深度的摻雜區，上述預定摻雜劑為與襯底相反的類型，以便在摻雜區和襯底之間的p-n結通過量子約束提供光電轉換效應；在襯底上形成并將與摻雜區電連接的第一和第二電極。此硅光電器件進一步包括在襯底的一個表面上形成的控制層，以便用作形成摻雜區中的掩模并且用于限制超淺的摻雜區的深度。硅光電器件具有優異性能并可以用作發光器件或光接收器件。由于光電器件采用硅作為基礎原料，它可以以低成本制造。
8151-0149-0004 芯片尺度表面安裝器件及其制造方法
摘要 一種芯片尺度封裝，具有一個金屬氧化物半導體場效應管管芯，此管芯具有一個頂電極表面(37)，其被一層光敏液態環氧樹脂(111)所覆蓋，環氧樹脂被光刻成圖案以使電極(37)的一部分曝露在外，并用作鈍化層或焊料掩模。在留下的液態環氧樹脂層(111)的一部分上形成可焊接的接觸層(40)。每個單獨的管芯(30)以漏極邊朝下安裝在一金屬夾片(100)內，或者以漏極邊朝下安裝在一個殼內，此時漏極(34)與一個從殼底(101)伸出的法蘭邊(105)處在同一平面內。
8151-0152-0005 電聲轉換器
摘要 公開了一種電聲轉換器(1)，用于把電能轉換成預定頻率的機械振動。轉黃?1)用交流電源的電能供電。所述轉換器具有金屬前和后驅動體(3、5)、前陶瓷垛和后陶瓷垛(7、9)、前和后陶瓷垛之間的墊片(11)，以及在所述轉換器軸向延伸的、連接到所述前和后驅動體以把所述陶瓷垛和所述墊片夾緊在所述前和后驅動體之間的固定件。所述前和后陶瓷垛是壓電陶瓷材料，從而在從電源用交流電能供電時，壓電材料使所述轉換器以所述預定頻率共振地振動。墊片和前和后驅動體設有翼片用于從轉換器輻射熱。轉換器表現實質上均勻的溫度和在墊片內部的振動波節。
8151-0190-0006 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
摘要 提供一種半導體裝置及其制造方法，可以提高其特性和可靠性。該半導體裝置，包括：半導體襯底；在該半導體襯底上形成的，包含含有金屬元素的硅氧化膜的柵絕緣膜；以及在上述柵絕緣膜上形成的電極。上述含有金屬元素的硅氧化膜具有下表面附近的第一區、上表面附近的第二區、以及第一區和第二區之間的第三區；上述硅氧化膜中含有的金屬元素在厚度方向上的濃度分布在上述第三區中有最大點。
8151-0193-0007 準絕緣體上的硅場效應晶體管及實現方法
摘要 本發明提出了一種準絕緣體上的硅(SOI)金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)器件的新結構及實現方法。其特征在于源漏區下方埋氧是連續的；而溝道區下方的埋氧是非連續的。采用注氧隔離技術來實現的工藝過程是：(1)在半導體襯底中注入低于最優劑量的離子；(2)在器件溝道區光刻生成掩模；(3)在源漏區第二次注入離子，使源漏區注入的總劑量達到最優劑量；高溫退火后在源漏區下方形成連續埋氧，溝道區下方形成非連續的埋氧；(4)常規CMOS技術完成器件制作。由于溝道下方的埋氧是非連續的，溝道和硅襯底之間電耦合，從而克服了SOI MOSFET器件的浮體效應和自熱效應二大固有缺點。
8151-0012-0008 具有氮化物穿隧層的非揮發性破碎器的編程以及抹除方法
摘要 一種具有氮化物穿隧層的非揮發性存儲器的編程以及抹除方法，其中編程方法是對此存儲器的柵極導體層施加一第一電壓，并將基底接地，以打開氮化物穿隧層下方以及源極區與漏極區之間的信道區，再對漏極區施加一第二電壓，并將源極區接地，以于信道區引發一電流并于信道區產生熱電子，并使熱電子經由氮化物穿隧層注入電荷陷入層中。其中抹除方法是對存儲器的漏極區施加一第一正偏壓，以及對柵極導體層施加一第二正偏壓，并將基底與源極區接地，以于氮化物穿隧層下方以及源極區與漏極區之間的信道區中產生熱電洞，并使熱電洞經由氮化物穿隧層注入電荷陷入層中。
8151-0033-0009 基底銅層的磨光方法
摘要 磨光一基底的銅層的方法能夠提高磨削率等。該方法包括下列步驟：將一基底供應到在一磨光板上的一磨光墊的上，并使銅層面對磨光墊；借助一壓頭用一背墊將基底壓到磨光墊上；相對于磨光板相對地轉動壓頭，并將軟膏供應到在磨光墊上。背墊是由Asker C硬度為75-95、壓縮率為10％或更小的材料制成，磨光軟膏包括用來螯合銅的螯合劑、用來蝕刻銅層表面的蝕刻劑、用來氧化銅層表面的氧化劑以及水。
8151-0128-0010 覆蓋有金屬阻障層的內連線結構及其制作方法
摘要 一種覆蓋有金屬阻障層的內連線結構及其制作方法，包括有至少兩個相鄰的金屬導線之間是隔著一開口；金屬阻障層是形成于金屬導線的側壁上；介電層是覆蓋金屬阻障層與金屬導線的曝露區域，且填滿開口至一預定高度；接觸插塞是貫通介電層而與金屬導線的頂部形成電連接。具有通過覆蓋層來增加內連線結構與內金屬介電層之間的附著性及防止內金屬介電層的出氣現象的功效。
8151-0056-0011 半導體模塊及其制造方法
8151-0116-0012 半導體器件內形成銅引線的方法
8151-0141-0013 絕緣柵型雙極晶體管
8151-0131-0014 雙側連接型半導體裝置
8151-0112-0015 淺溝隔離制程的含有氮元素的氧化硅襯層的制造方法
8151-0052-0016 制造閃存單元的方法
8151-0125-0017 半導體裝置及其制造方法
8151-0183-0018 電子器件
8151-0124-0019 半導體裝置及其制造方法
8151-0070-0020 半導體裝置及其制造方法
8151-0006-0021 雙層硅碳化合物阻障層
8151-0020-0022 在基體或塊體特別是由半導體材料制成的基體或塊體中切制出至少一個薄層的方法
8151-0068-0023 電荷泵裝置
8151-0024-0024 利用多孔性材料實現陶瓷基板表面平坦化的方法
8151-0187-0025 半導體器件及其制造方法
8151-0171-0026 復晶矽/復晶矽電容的制造方法
8151-0101-0027 半導體器件及其制造方法
8151-0019-0028 半導體制造系統及其控制方法
8151-0121-0029 半導體功率器件
8151-0199-0030 以磷摻雜硅并在蒸汽存在下生長硅上氧化物的方法
8151-0181-0031 散熱模組及其制造方法
8151-0173-0032 體硅MEMS器件集成化方法
8151-0150-0033 半導體器件及方法
8151-0136-0034 一種高耦合率快閃存儲器及其制造方法
8151-0147-0035 晶片熱處理的方法和設備
8151-0216-0036 一種晶圓階段記憶體預燒測試電路及其方法
8151-0205-0037 基于LED的發射白色的照明單元
8151-0001-0038 半導體器件
8151-0067-0039 半導體裝置
8151-0014-0040 半導體存儲器及其制造方法
8151-0013-0041 電光器件、液晶器件和投射型顯示裝置
8151-0129-0042 IC芯片破損少的薄型高頻模塊
8151-0003-0043 導線架帶和制造使用導線架帶的半導體封裝的方法
8151-0169-0044 芯片管腳名稱驗證方法
8151-0086-0045 基底噪聲分配方法
8151-0103-0046 適用于PLCC型封裝電路的分離器
8151-0080-0047 制造OLED裝置的原位真空方法
8151-0043-0048 內連線的形成方法
8151-0072-0049 半導體集成電路
8151-0117-0050 非揮發性存儲器結構及其制造方法
8151-0104-0051 層疊芯片封裝件的制造方法
8151-0133-0052 半導體器件
8151-0206-0053 半導體裝置的制造設備
8151-0036-0054 一種具有散熱片的半導體封裝
8151-0102-0055 避免尖峰現象的方法
8151-0168-0056 晶圓級測試卡的探針構造及其制造方法
8151-0202-0057 具有表面金屬敷層的半導體器件
8151-0208-0058 栓釘插入裝置及其方法
8151-0029-0059 去除焊墊窗口蝕刻后殘留聚合物的方法
8151-0123-0060 陣列型焊墊晶片內部電路結構及其制造方法
8151-0098-0061 形成半導體器件的薄膜的方法
8151-0011-0062 堆迭式閘極快閃記憶元件
8151-0191-0063 降低絕緣體上的硅晶體管源漏串聯電阻的結構及實現方法
8151-0107-0064 具有散熱布線設計的集成電路封裝裝置
8151-0138-0065 使用了部分SOI襯底的半導體器件及其制造方法
8151-0218-0066 半導體器件的元件隔離膜的形成方法
8151-0037-0067 半導體器件及其制造方法、電路基板及電子裝置
8151-0209-0068 保護膜圖案形成方法以及半導體器件制造方法
8151-0115-0069 布線結構的形成方法
8151-0094-0070 壓電彎曲變換器及其使用
8151-0096-0071 線上激光晶圓承座清潔裝置
8151-0090-0072 組件中的嵌入式電容部件
8151-0113-0073 槽型元件分離結構
8151-0215-0074 內存測試機與集成電路分類機的直接連接界面裝置
8151-0027-0075 晶圓清洗裝置及其刷洗總成
8151-0054-0076 掩膜只讀存儲器的制造方法
8151-0126-0077 半導體元件的熔絲結構
8151-0022-0078 具有雙柵極結構的溝槽型雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
8151-0018-0079 用于改善襯底烘烤均勻性的可變表面熱板
8151-0081-0080 熱電模塊
8151-0045-0081 積體電路的雙鑲嵌結構的制作方法
8151-0055-0082 模塊殼體和功率半導體模塊
8151-0023-0083 膜形成裝置和膜形成方法以及清潔方法
8151-0130-0084 半導體裝置及其制造方法、線路基板及電子機器
8151-0114-0085 內金屬介電層的制作方法
8151-0031-0086 氧化硅膜制作方法
8151-0021-0087 具有三維載體安裝集成電路封裝陣列的電子模塊
8151-0163-0088 抗光阻去除液侵蝕的氧化膜形成方法
8151-0110-0089 離子照射裝置
8151-0197-0090 一種低成本壓電多層微位移器及制作方法
8151-0161-0091 金屬鑲嵌制程的去除光阻的方法
8151-0119-0092 晶片的制造方法、使用了該晶片的半導體器件及其制造方法
8151-0177-0093 降低內連線的電漿制程的異常放電的方法
8151-0004-0094 集成電路封裝裝置及其制造方法
8151-0097-0095 具有多次照射步驟的微影制程
8151-0095-0096 封裝的微電子器件
8151-0051-0097 晶體管形成方法
8151-0053-0098 用于提高刷新特性的半導體元件的制造方法
8151-0166-0099 芯片元件供給裝置
8151-0200-0100 用于焊料結合中焊料擴散控制的方法和裝置
8151-0040-0101 淺溝渠隔離的制造方法
8151-0156-0102 半導體晶片表面保護粘結膜及使用其的半導體晶片加工方法
8151-0017-0103 顯示元件的封裝結構及其封裝方法
8151-0085-0104 Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件及其制造方法
8151-0189-0105 半導體器件及其制造方法
8151-0050-0106 氮化硅內存的制造方法
8151-0093-0107 壓電-彎曲換能器及其應用
8151-0057-0108 基片或芯片輸入輸出接點上金屬凸塊結構及其制造方法
8151-0042-0109 內金屬介電層的整合制造方法
8151-0010-0110 跨導基本上恒定的電路
8151-0088-0111 低相對介電常數的SiOx膜、制造方法和使用它的半導體裝置
8151-0077-0112 可對象限Q4和Q1響應的雙向靜態開關
8151-0176-0113 鑲嵌式內連導線上形成選擇性銅膜的制造方法
8151-0108-0114 檢測圖案缺陷過程的方法
8151-0155-0115 利用彈性體電鍍掩模做為芯片級封裝的方法
8151-0048-0116 布線結構的形成方法
8151-0034-0117 閃光輻射裝置與光加熱裝置
8151-0078-0118 功率金屬氧化物半導體場效晶體管裝置及其制造方法
8151-0157-0119 芯片及其制造方法
8151-0118-0120 設計系統大規模集成電路的方法
8151-0201-0121 具有氧化物領狀體應用的STI的本地和異地腐蝕工藝
8151-0207-0122 處理液配制和供給方法及裝置
8151-0030-0123 半導體晶圓的熱氧化制作工藝
8151-0137-0124 使用金屬接觸板的嵌入式非揮發性存儲器
8151-0049-0125 布線結構的形成方法
8151-0174-0126 淺溝槽隔離物的制造方法
8151-0016-0127 周期性波導結構半導體光電探測器及制作方法
8151-0099-0128 利用鋁的防止銅擴散膜的形成方法
8151-0064-0129 電路裝置
8151-0008-0130 具有將電源電壓轉換為工作電壓的降壓電路的半導體裝置
8151-0109-0131 識別半導體器件測試處理機中器件傳送系統的工作位置的裝置和方法
8151-0158-0132 使用解理的晶片分割方法
8151-0120-0133 球格陣列封裝體
8151-0204-0134 半導體器件
8151-0140-0135 具有面板的平板顯示器件及其制造方法
8151-0170-0136 復晶矽/復晶矽電容的制造方法
8151-0082-0137 磁阻元件
8151-0059-0138 半導體裝置及其制造方法
8151-0146-0139 含有柵絕緣層的異質結型有機半導體場效應晶體管及制作方法
8151-0212-0140 切割保護帶條的方法及使用該方法的保護帶條粘貼設備
8151-0198-0141 絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法
8151-0184-0142 半導體裝置
8151-0180-0143 模塑封裝接觸式模塊制作方法
8151-0127-0144 用于隔離多孔低K介電薄膜的結構和方法
8151-0069-0145 半導體裝置及其制造方法
8151-0195-0146 一種太陽能轉換多結極聯光電池
8151-0188-0147 半導體器件及其制造方法
8151-0192-0148 利用金屬誘導橫向結晶的多柵薄膜晶體管及其制造方法
8151-0144-0149 層疊型壓電陶瓷元件的制造方法
8151-0075-0150 發光裝置、制造發光裝置的方法、及其制造設備
8151-0185-0151 互補金屬氧化物半導體薄膜晶體管及其制造方法
8151-0165-0152 制造半導體封裝件用打線方法及系統
8151-0122-0153 側吹式散熱裝置
8151-0151-0154 半導體器件及其制造方法
8151-0145-0155 磁開關元件和磁存儲器
8151-0164-0156 選擇外延法制造源漏在絕緣體上的場效應晶體管
8151-0047-0157 布線結構的形成方法
8151-0179-0158 高密度平坦單元型的罩幕式只讀存儲器制造方法
8151-0162-0159 在氮化硅層上形成氮氧化硅層的方法
8151-0038-0160 自動對準形成錫凸塊的方法
8151-0135-0161 應用于可變容量電容器和放大器的半導體器件
8151-0203-0162 雙極型晶體管
8151-0100-0163 匹配電路和等離子加工裝置
8151-0041-0164 半導體元件的元件隔離膜的形成方法
8151-0214-0165 裂開材料晶片各層的工藝
8151-0071-0166 半導體器件
8151-0105-0167 柵狀數組封裝的插腳表面粘著的制作方法
8151-0111-0168 集成制造高壓元件與低壓元件的方法
8151-0154-0169 形成微細尺寸結構的方法
8151-0015-0170 半導體元件的結構及其制造方法
8151-0217-0171 半導體器件的測試系統
8151-0211-0172 半導體器件制造方法和半導體器件制造裝置
8151-0063-0173 靜電防護電路
8151-0153-0174 注氧隔離技術制備全介質隔離的硅量子線的方法
8151-0046-0175 半導體器件及其制造方法
8151-0073-0176 在單個存儲單元中存儲多值數據的非易失性半導體存儲器
8151-0065-0177 電平變換電路
8151-0196-0178 Ⅲ族氮化物半導體藍色發光器件
8151-0186-0179 可隨機編程的非揮發半導體存儲器
8151-0143-0180 發光元件及其制造方法
8151-0009-0181 半導體元件、電路、顯示器件和發光器件
8151-0091-0182 載流子提取晶體管
8151-0084-0183 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件
8151-0167-0184 晶圓級探針卡及其制造方法
8151-0026-0185 半導體裝置及其制造方法
8151-0061-0186 半導體器件
8151-0007-0187 多晶硅界定階躍恢復器件
8151-0074-0188 光器件及其制造方法、光模件、電路基板以及電子機器
8151-0172-0189 在銅鑲嵌制程中形成金屬-絕緣-金屬型(MIM)電容器的方法
8151-0148-0190 利用快速熱退火與氧化氣體形成底部抗反射涂層的方法
8151-0044-0191 使用氧化線層作為介電阻擋層的雙鑲嵌制程
8151-0139-0192 光模塊、電路板及其電子機器
8151-0106-0193 焊接方法以及焊接裝置
8151-0002-0194 半導體裝置及其制造方法
8151-0025-0195 檢測光罩機臺修正精確度的方法
8151-0175-0196 一種同時形成圖形化埋氧和器件淺溝槽隔離的方法
8151-0062-0197 半導體芯片的封裝件
8151-0083-0198 用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所獲得的器件和電路
8151-0213-0199 保護帶條的粘貼方法與裝置以及保護帶條的分離方法
8151-0092-0200 制造電極的蝕刻方法
8151-0039-0201 在半導體治具板上建立新參考地平面的裝置
8151-0032-0202 一種金屬雙鑲嵌的制造方法
8151-0076-0203 假同晶高電子遷移率晶體管功率器件及其制造方法
8151-0178-0204 基于等效電路的集成電路電源網絡瞬態分析求解的方法
8151-0159-0205 利用非等向性濕蝕刻法來進行平坦化的方法
8151-0134-0206 半導體器件及其制造方法
8151-0005-0207 在低K互連上集成電線焊接的熔絲結構及其制造方法
8151-0142-0208 具有縱向金屬絕緣物半導體晶體管的半導體器件及其制造方法
8151-0028-0209 保護帶條的粘貼和分離方法
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