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.以下為光盤目錄：
1、印制線路板的金屬基片的制造方法
[技術摘要]一種制造ＰＣＢ金屬基片的方法，包括以下步驟：在金屬基片上形成通孔；用絕緣材料填充通孔；用真空泵抽吸所填充的絕緣材料，使部分絕緣材料留下并附著于通孔的內壁上，從而涂敷在通孔的內壁上；并用絕緣材料涂敷金屬基片的其余表面。因而，可以制造質優價廉的ＰＣＢ金屬基片。

2、熱解石墨基片上*結構的實現方法
[技術摘要]本發明公開一種*機電技術領域的熱解石墨基片上*結構的實現方法，采用熱解石墨作為基片，對基片進行平整化、清洗、絕緣化處理以及再清洗；在熱解石墨基片背面做光刻對準標記，通過多層套刻，實現多層結構或高深寬比結構；在基片正面濺射金屬薄膜作為種子層，甩正膠，光刻、顯影，制作電鍍模具，電鍍結構層，經兩次甩正膠、光刻、顯影和電鍍后，去正膠、超聲清洗、濺射氧化鋁，而后研磨基片并做清潔處理；在氧化鋁上濺射金屬薄膜作種子層，再在種子層上甩SU8負膠，通過光刻、顯影和電鍍，去SU8負膠，去氧化鋁，實現熱解石墨上制作高深寬比*結構。本發明基片材料新穎，加工器件具有特殊性能。

3、用于對基片上的溫度進行空間和時間控制的裝置
[技術摘要]一種用于對基片上的溫度進行空間和時間控制的裝置，該裝置具有溫度受控基座、加熱器、金屬板以及電介質材料層。所述加熱器熱連接至金屬板的下側，而與所述金屬板電絕緣。第一粘合材料層將所述金屬板和所述加熱器粘結至溫度受控基座的頂表面。該粘結層具有機械柔性，并且具有設計成平衡所述加熱器和外部加工的熱能以在裝置的表面上提供所需溫度圖案的物理特性。第二粘合材料層將電介質材料層粘結至所述金屬板的頂表面。該第二粘合劑層具有設計成將所述期望的溫度圖案傳遞至所述裝置的表面的物理特性。所述電介質材料層形成靜電夾緊機構并支撐所述基片。

4、薄膜晶體管基片、其轉移法及顯示器件
[技術摘要]一種包括*素區的薄膜晶體管基片，其中柵極線排列在用基片夾著半導體圖形和柵絕緣體的絕緣基片上，設置半導體圖形和柵極線的形狀使得薄膜晶體管基片安裝在金屬基座上時由下列等式得到的k的值小于第一設定值：k＝××S，其中，Ca表示在各半導體層圖形和金屬基座之間的電容，Cb表示在各半導體層圖形和柵極線之間的電容，Ce表示在各柵極線和金屬基座之間的電容，L表示各柵極線的長度，及S表示其中一條柵極線每單位長度充電的基片表面面積。

5、有源矩陣基片、顯示裝置及制造有源矩陣基片
6、一種納米碳化硅-氧化鋁陶瓷基片的表面貼裝片式熔斷器及其制備方法
7、**多孔硅用的**液、使用該**液的**方法及用該**液制作半導體基片的方法
8、電光器件基片，電光器件，電子器件和投影顯示設備
9、基片電極**型射頻感性耦合等離子體源
10、半導體器件及制造方法、器件形成基片和布線連接測試法
11、多層電路基片及其制造方法
12、低阻抗聚合物基片的熔斷裝置和方法
13、硅基片上有序納米碳管陣列的制備方法
14、帶反向ＭＩＳＦＥＴ基片的超導場效應晶體管及其制作方法
*、半導體封裝用芯片支持基片、半導體裝置及其制造方法
     
16、含硅鍺層的互補金屬氧化物半導體器件和基片及形成方法
17、電路基片和有電路形成的懸式基片及其生產方法
18、硅絕緣體基片、半導體基片及它們的制造方法
19、復合基片，用它的EL面板及其制造方法
20、布線基片、半導體器件和布線基片的制造方法
21、在半導體基片上形成溝槽絕緣的方法
22、組合基片只讀存儲器及其制造方法
23、于支持基片上安裝芯片形成的半導體器件以及此支持基片
24、用于低機械撓曲強度的電氣路由選擇基片的探針板結構
25、鍵盤電路薄膜基片與按鍵一體化軟性鍵盤
26、在超柔基片上絲焊集成電路的方法
27、絕緣陶瓷、多層陶瓷基片和層疊的陶瓷電子部件
28、沒有基片的尺寸穩定場致發光燈
29、電路基片，形成電路的支承基片及其生產方法
30、玻璃基片裝載架傳動機構
     
31、多區域液晶顯示器及其薄膜晶體管基片
32、等離子體增強沉積薄膜裝置的基片臺
33、一種用于制造電絕緣線圈的絕緣基片
34、有源矩陣基片、顯示裝置及制造有源矩陣基片的方法
35、多層布線基片及其制造方法
36、半導體基片及其制造方法
37、薄膜晶體管基片、其CAD程序和轉移法及顯示器件
38、燒結的功率半導體基片及其制造方法
39、具有金屬接觸層的功率半導體基片及其制造方法
40、連接基片及用該連接基片的多層布線板和半導體插件用基片和半導體插件以及它們的制造方法
41、耐熱性、低介電聚合物，和使用該聚合物的膜、基片、電子部件和耐熱性樹脂模塑件
42、電路基片的制造方法及電路基片和其電力**模塊
43、位于透明基片上的彩色圖像傳感器及其制造方法
44、半導體器件的制造方法以及使用SOI基片的半導體芯片
45、用于在一個基片上電鍍－導電層的方法
     
46、有源矩陣基片、具有該基片的液晶顯示裝置和該基片的制造方法
47、用于柔性印刷線路板的層壓基片
48、用于密封地封閉基片中腔體的制備方法
49、曝光方法及利用該曝光方法制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管基片的方法
50、從基片的處理表面上去除銅氧化物薄膜的方法
51、半導體基片的制作方法
52、帶有發光*件的撓性基片及其固定用的系列組合配件
53、基片、具有該基片的液晶顯示器及其制造方法
54、陣列基片及其制造方法和具有此陣列基片的液晶顯示面板
55、復合式絕緣體上硅薄膜基片及其制作方法
56、半導體基片及其制造方法
57、半導體裝置及其制造方法、半導體模塊裝置以及布線基片
58、研磨劑、基片的研磨法和半導體裝置的制造方法
59、研磨劑、基片的研磨法和半導體裝置的制造方法
60、在基片測試系統中用于連接測試頭和探針板的裝置
     
61、玻璃基片表面絕緣性二氧化鈦納米薄膜的制備方法
62、基于平板基片的輻射探測器
63、具有改進電特性的復合基片的制造方法
64、半導體基片的制作方法
*、電路基片、形成電路的支承基片及其生產方法
66、具有拉伸應變基片的MOSFET器件及其制備方法
67、平面化半導體基片的方法
68、半導體裝置及其制造方法、電路基片和電子儀器
69、布線結構、利用該布線結構的薄膜晶體管基片及其制造方法
70、感光絕緣膏和厚膜多層電路基片
71、噴墨頭基片、噴墨頭及其制造方法和噴墨頭使用方法及噴墨裝置
72、玻璃基片裝載架傳動機構
73、電光器件基片，電光器件，電子器件和投影顯示設備
74、高度穩定的組裝基片和溴化的1，2－二氫化茚衍生物
75、熱打印頭和用于打印頭的基片以及該基片的制造方法
     
76、多層布線基片
77、顯示器和陣列基片
78、矩陣基片、液晶裝置和顯示裝置以及它們的制造方法
79、半導體封裝的基片、其制造方法及用該基片的堆疊式半導體封裝
80、貼合絕緣體基外延硅基片及其制造方法與半導體裝置
81、半導體基片和制造半導體器件的方法
82、薄膜集成電路的制造方法和*件基片
83、發光顯示*件和往電布線基片上連接的方法、及制造方法
84、有源矩陣基片、顯示裝置及制造有源矩陣基片的方法
*、具有SOI基片的*機電系統的錨固件及其制造方法
86、感光絕緣膏和厚膜多層電路基片
87、薄膜晶體管基片
88、陣列基片
89、電光器件基片，電光器件，電子器件和投影顯示設備
90、供高溫力學量傳感器用的納米多晶硅-氮化鋁隔膜-硅單晶襯底基片
     
91、制造具有絕緣層的基片和采用該基片的顯示器的方法
92、SOI基片及其制造方法
93、用于處理玻璃基片或晶片的除灰裝置
94、制造帶有基片上形成*件的磁頭及帶有磁頭的基片的方法
95、電光器件基片，電光器件，電子器件和投影顯示設備
96、研磨劑、基片的研磨法和半導體裝置的制造方法
97、電路基片、形成電路的支承基片及其生產方法
98、能夠獲得可靠連接的柔性基片及其連接方法
99、單層基片表面貼裝式壓敏電阻器
100、金屬基片和使用金屬基片的電子組件 "
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