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.以下為光盤目錄：
1、氮化鎵類化合物半導體發光*件及其制造方法
[技術摘要]提供出光效率高的氮化鎵類化合物半導體發光*件及其制造方法。這樣的氮化鎵類化合物半導體發光*件，在基板上，按包含氮化鎵類化合物半導體的n型半導體層、發光層、p型半導體層的順序將它們層疊，在該p型半導體層上層疊透光性正極，并在該透光性正極上設置正極接合墊，在n型半導體層上設置有負極接合墊的氮化鎵類化合物半導體發光*件中，在透光性正極的表面的至少一部分形成無序的凹凸面。

2、氮化物半導體*件和其制造方法
[技術摘要]本發明的氮化物半導體*件包括：p型氮化物半導體層、n型氮化物半導體層以及夾持在所述p型氮化物半導體層和所述n型氮化物半導體層之間的激活層。p型氮化物半導體層具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半導體層、包含Mg的第二p型氮化物半導體層。第一p型氮化物半導體層位于所述激活層和所述第二p型氮化物半導體層之間，第二p型氮化物半導體層具有比第一p型氮化物半導體層的能帶間隙大的能帶間隙。

3、氮化物半導體器件及其制造方法
[技術摘要]本發明涉及一種氮化物半導體器件及其制造方法。根據本發明，其特征在于相互分離各個氮化物半導體單*器件的溝槽被裂縫抑制壁填充以消除空隙，因此使在激光剝離過程中可能在氮化物半導體單*器件中發生的裂縫和損壞最小化。此外，其特征在于通過連接加強板或裂縫抑制壁連接該器件至具有覆蓋其上的連接部件的載體基底，從而保持與載體基底的強連接力。

4、硅襯底上的氮化物半導體及其制造方法
[技術摘要]提供一種在硅襯底上形成的氮化物半導體及其制造方法。該方法包括：在硅襯底上形成緩沖層，以及在緩沖層上形成具有空隙的中間層。在中間層上形成平整層，和在平整層上形成氮化物半導體層。因此，可以以很低的成本大規模地制造出充分減少了晶體缺陷、位錯或裂紋的產生的氮化物半導體。

5、發光氮化物半導體器件及其制造方法
6、氮化物半導體發光器件
7、氮化物半導體發光器件及其制造方法
8、含P型三族氮化合物半導體的光電半導體*件的制造方法
9、氮化鎵基半導體發光裝置、光照明器、圖像顯示器、平面光源裝置和液晶顯示組件
10、氮化物半導體激光器
11、用于高縱橫比半導體器件的摻硼氮化鈦層
12、氮化鎵半導體裝置的封裝
13、氮化物半導體發光器件及其制造方法
14、氮化鎵類化合物半導體發光*件及其制造方法
*、氮化物半導體的生長方法、半導體器件及其制造方法
16、一種檢測氮化鎵基半導體發光二極管結溫的方法
17、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系化合物半導體裝置及電極形成方法
18、Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法、Ⅲ族氮化物半導體器件及其制造方法以及發光器件
19、基于Ⅲ族氮化物的半導體基片及其制造方法
20、基于第Ⅲ族氮化物的化合物半導體發光器件
21、氮化物半導體*件制造方法
22、一種Ⅲ族氮化物半導體材料及其生長方法
23、氮化物半導體激光器件及其制造方法
24、氮化鎵化合物半導體制造方法
25、含有Ⅲ族*素基氮化物半導體的電子器件
26、Ⅲ族氮化物半導體器件
27、氮化鎵半導體器件
28、氮化物半導體基底以及使用該基底的氮化物半導體裝置
29、氮化物半導體襯底及器件
30、制造氮化鎵半導體發光器件的方法
31、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法
32、氮化鎵系列化合物半導體*件
33、生產Ⅲ族氮化物半導體裝置的方法
34、氮化物系化合物半導體發光*件及其制造方法
35、Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
36、Ⅲ族氮化物半導體*件及其制造方法
37、氮化物半導體器件
38、氮化物半導體*件
39、氮化物類半導體疊層結構及半導體光*件以及其制造方法
40、制備Ⅲ族氮化物半導體的方法及Ⅲ族氮化物半導體器件
41、Ⅲ族氮化物基化合物半導體器件
42、氮化物半導體*件
43、具有多層緩沖層結構的氮化物型半導體*件及其制造方法
44、III族氮化物半導體發光二極管
45、氮化物系半導體發光*件及其制造方法
46、具有低阻抗歐姆接觸的ⅢA族氮化物半導體器件
47、生長半導體襯底的方法、氮化物基發光器件及其制造方法
48、制作氮化物半導體發光器件的方法
49、氮化物半導體裝置
50、III族氮化物半導體發光器件
51、制作半導體*件的方法和選擇性蝕刻氮化硅層的方法
52、編程硅氧化物氮化物氧化物半導體存儲器件的方法
53、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置及其制造方法
54、制造p-型Ⅲ族氮化物半導體的方法和制造其電極的方法
55、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
56、氮化物半導體器件
57、氮化鎵類化合物半導體裝置
58、氮化物半導體*件及其制造方法
59、氮化物半導體激光*件及其制造方法
60、可以**表里的矩形氮化物半導體基片
61、氮化物半導體自立基板及其制造方法、以及使用它的氮化物半導體發光*件
62、半導體工藝設備的碳氮化物涂層部件及其制造方法
63、氮化物半導體發光器件及其制造方法
64、氮化物半導體基板及其制造方法
*、氮化物半導體發光器件及其制造方法
66、使用氮化物半導體的發光器件和其制造方法
67、氮化物半導體激光*件及其制造方法
68、氮化物系半導體襯底及其制造方法
69、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置
70、氮化物半導體發光*件
71、氮化物半導體激光器件及其制造方法
72、一種多電極氮化鎵基半導體器件的制造方法
73、氮化物基半導體裝置的制造方法
74、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
75、第三族氮化物半導體器件和其生產方法
76、氮化物半導體激光*件及其制造方法
77、氮化鎵系化合物半導體激光*件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光*件
78、使用氮化物半導體的發光器件和其制造方法
79、硅襯底上以三族氮化物為主材的半導體晶體生長方法及器件
80、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體
81、具有由氨氣中側氮化處理的多金屬柵結構的柵電極的半導體器件
82、第III族氮化物系化合物半導體發光*件及其制造方法
83、Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半導體*件
84、氮化物半導體*件
*、氮化物半導體*器件
86、一種用于雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體存儲器且具有二位清除能力的控制柵極***
87、氮化物系化合物半導體*件的制造方法
88、Ⅲ族氮化物半導體發光組件的切割方法
89、表面處理方法、氮化物晶體襯底、半導體器件和制造方法
90、氮化物半導體發光*件及氮化物半導體激光*件的制造方法
91、氮化物半導體及其制備方法
92、氧化鎵單晶復合體及其制造方法和使用氧化鎵單晶復合體的氮化物半導體膜的制造方法
93、Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件及其制造方法
94、發光器件及其制造方法，以及氮化物半導體襯底
95、使用氮化鋁膜制造半導體器件的柵極的方法
96、氮化物半導體發光器件及其制造方法
97、氮化物半導體發光器件及其制造方法
98、基于氮化物的半導體發光二極管
99、氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
100、氮化物半導體發光*件
101、III族氮化物半導體發光裝置
102、氮化鎵半導體激光器
103、氮化物半導體*件
104、基于氮化物的半導體發光二極管
105、氮化物半導體襯底、其制法及氮化物半導體發光器件用外延襯底
106、氮化物半導體器件及其制造方法
107、Ⅲ族氮化物系半導體發光*件
108、加工氮化物半導體晶體的方法
109、氮化合物系半導體裝置及其制造方法
110、第3-5族氮化物半導體多層襯底，用于制備第3-5族氮化物半導體自立襯底的方法和半導體*件
111、制造p型Ⅲ族氮化物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物半導體發光器件
112、利用硼離子注入法實現氮化物半導體器件的有源區之間隔離的方法
113、具有結晶堿土金屬硅氮化物/氧化物與硅界面的半導體結構
114、氮化物半導體發光器件的制造方法
1*、氮化物半導體發光*件以及氮化物半導體發光*件的制造方法
116、Ⅲ族氮化物半導體發光器件
117、制造氮化物基半導體器件的方法和如此制造的發光器件
118、氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法
119、Ⅲ族氮化物半導體藍色發光器件
120、硅氧化物氮化物氧化物半導體型存儲器件
121、用于氮化物基半導體裝置的低摻雜層
122、氮化物半導體激光器裝置及其制造方法
123、氮化物半導體外延層的生長方法
124、氮化物半導體發光器件及其制造方法
*、半導體集成電路硅單晶片襯底背面氮化硅層的新**方法
126、氮化物半導體*器件
127、氮化物半導體器件及其制造方法
128、氮化物半導體*器件
129、氮化物半導體生長工藝
130、氮化物半導體發光*件及其制造方法
131、氮化物半導體發光*件以及氮化物半導體發光*件制造方法
132、利用始于溝槽側壁的橫向生長來制造氮化鎵半導體層
133、緣經過研磨的氮化物半導體基片及其邊緣加工方法
134、氮化物半導體發光器件
135、氮化鎵基半導體*件、使用其的光學裝置及使用光學裝置的圖像顯示裝置
136、氮化物類半導體發光*件及其制造方法
137、自激振蕩型氮化物半導體激光裝置及其制造方法
138、氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法
139、氮化物半導體發光器件及其制備方法
140、氮化物半導體發光器件
141、氮化物半導體激光器*件及其制作方法
142、氮化鎵基化合物半導體發光器件
143、氮化物半導體發光*件
144、氮化物半導體發光器件
145、氮化物半導體器件及其制造方法
146、氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
147、氮化物半導體發光二極管芯片及其制造方法
148、氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法
149、在硅底材上成長三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法
*0、在Ⅲ-V族氮化物半導體基板上制作產生輻射的半導體芯片的方法以及產生輻射的半導體芯片
*1、P型氮化物半導體結構以及雙極晶體管
*2、氮化物半導體LED和其制造方法
*3、高熱導率氮化硅電路襯底和使用它的半導體器件
*4、氮化物半導體*件及其制法
*5、氮化物半導體*件的制造方法
*6、制造Ⅲ族氮化物半導體*件的方法
*7、Ⅲ族氮化物功率半導體器件
*8、改善氮化鎵基半導體發光二極管歐姆接觸的合金方法
*9、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
160、氮化物半導體*件
161、氮化物半導體器件
162、氮化物半導體；使用該半導體的發光器件，發光二極管，激光器件和燈；及其制造方法
163、氮化物半導體*件及其制造方法
164、一種氮化物半導體器件
1*、氮化物半導體發光裝置制造方法
166、氮化物半導體發光器件
167、基于Ⅲ－氮化物半導體超晶格的單極發光器件
*、氮化物半導體*件
169、氮化物基半導體發光器件及其制造方法
170、氮化物基化合物半導體發光器件
171、N型Ⅲ族氮化物半導體疊層結構
172、氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
173、通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導體層的方法及由此制作的氮化鎵半導體結構
174、氮化物基的半導體發光器件及其制造方法
175、氮化鎵基半導體器件
176、基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
177、Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法
178、氮化硅膜、半導體器件、顯示器件及制造氮化硅膜的方法
179、氮化物系半導體發光*件及其制造方法
180、氮化物系半導體*件及其制造方法
181、基于氮化鎵半導體的紫外線光檢測器
182、氮化物半導體發光器件
183、碳化硅層的制造方法、氮化鎵半導體器件以及硅襯底
184、氮化物半導體激光二極管及其制作方法
1*、Ⅲ族氮化物半導體基板
186、氮化物半導體發光器件及其制造方法
187、Ⅲ族氮化物半導體多層結構
188、具有氮化層和氧化層的半導體器件的制造方法
189、氮化物半導體*件
190、以氮化鎵為基底的半導體發光裝置
191、基于氮化物的半導體發光二極管及其制造方法
192、第Ⅲ族*素氮化物半導體*件的生產方法
193、倒裝型氮化物半導體發光器件
194、氮化物半導體*件
195、高質量氮化物半導體薄膜及其制作方法
196、氮化物半導體激光器件
197、氮化鎵基半導體層疊結構、其制造方法以及采用該層疊結構的化合物半導體和發光器件
*、氮化物半導體發光*件
199、發光裝置、用于制造該發光裝置的方法及氮化物半導體襯底
200、Ⅲ族氮化物單晶體及其制造方法以及半導體器件
201、氮化物系半導體發光*件
202、氮化物單晶生長方法、氮化物半導體發光裝置及制造方法
203、碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件
204、制作氮化鎵半導體*件中劈裂鏡面的方法
205、氮化物半導體*件
206、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
207、氮化物半導體發光裝置的制造方法
208、氮化物基半導體發光二極管
209、具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ-Ｖ族化合物半導體器件及其制造方法
210、雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體陣列金屬位結構及單個單*操作
211、氮化鎵類半導體*件及其制造方法
212、氮化物半導體發光器件
213、制造具有絕緣性能提高的氮化膜的半導體器件的方法
214、氮化物半導體裝置及其制造方法
2*、氮化物半導體光****及其制造方法
216、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
217、高速大功率氮化物半導體器件及其制造方法
218、氮化物基半導體發光二極管
219、基于氮化鎵的化合物半導體發光器件
220、Ⅲ族氮化物半導體晶體和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體器件
221、基于平面結構的Ⅲ族氮化物半導體發光二極管及其制備方法
222、氮化物半導體發光器件及其制造方法
223、氮化半導體器件及其制造方法
224、氮化物半導體發光*件及其制造方法
225、氮化鎵系化合物半導體發光器件
226、氮化物半導體激光器芯片及其制造方法
227、金屬間介質半導體制造中*硅玻璃薄膜的氧氮化硅蓋層
228、制造第III族*素氮化物晶體的方法、其中所用的制造裝置以及由此制造的半導體*件
229、氮化物半導體發光器件
230、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
231、Ⅲ－Ⅴ族氮化物半導體的生長方法及氣相生長裝置
232、氮化物半導體激光*件和氮化物半導體*件
233、氮化物半導體垂直腔面發射激光器
234、第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件
235、生產第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的方法
236、氮化物類半導體*件及其制造方法
237、氮化物半導體器件制造方法
238、倒裝芯片氮化物半導體發光二極管
239、氮化物半導體發光*件
240、氮化物系半導體襯底及半導體裝置
241、利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體*件制成方法
242、包括氮化層的半導體器件
243、氮化物半導體發光器件及其制備方法
244、氮化物半導體襯底的制造方法及復合材料襯底
245、氮化物半導體*件
246、一種氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的電極
247、氮化物半導體*器件
248、氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
249、氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
250、I I I族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導體、基于氧化鎵的化合物半導體發光器件、以及使用半導體發光器件的光源
251、氮化物半導體裝置及其制造方法
252、Ⅲ族*素氮化物結晶半導體器件
253、氮化物半導體裝置
254、不對稱的脊形氮化鎵基半導體激光器及其制作方法
255、氮化物半導體激光*件及其制造方法
256、氮化物半導體發光*件
257、氮化物半導體發光*件及其制造方法
258、第三族氮化物半導體器件和其生產方法
259、氮化鎵系半導體的成長方法
260、Ⅲ族氮化物半導體襯底
261、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
262、反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導體發光器件
263、一種用于氮化物半導體材料退*的新型加熱襯托
264、具有定向平面的單晶A-平面氮化物半導體晶片
2*、氮化鎵化合物半導體發光*件及其制造方法
266、粘貼有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體層的襯底和半導體器件
267、氮化物半導體發光*件
268、氮化鎵半導體襯底及其制造方法
269、氮化物半導體器件
270、氮化鎵基半導體發光二極管及其制造方法
271、氮化鎵系化合物半導體發光*件
272、氮化鎵基化合物半導體發光器件
273、氮化物半導體發光器件
274、氮化物半導體薄膜及其生長方法
275、氮化物半導體器件及其制造方法
276、單一ELOG生長的橫向P-N結氮化物半導體激光器
277、氮化物半導體發光*件及其制造方法
278、氮化硅陶瓷電路基片及使用該陶瓷基片的半導體器件
279、具有減少相分離、利用第三族氮化物四*金屬體系的半導體結構及其制備方法
280、氮化物半導體發光器件
281、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
282、氮化物半導體發光*件
283、氮化物半導體發光器件
284、GaN基底和其制備方法、氮化物半導體器件和其制備方法
2*、氮化鎵基半導體器件及其制造方法
286、基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
287、一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法
288、非極性單晶A-面氮化物半導體晶圓及其制備
289、一種提高氮化鎵基半導體材料發光效率的方法
290、氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
291、氮化物半導體裝置及其制作方法
292、氮化物半導體發光器件及其制造方法
293、氮化硅層的制造方法及半導體*件的制造方法
294、氮化物半導體*件及其制造方法
295、氮化物半導體裝置及其制造方法
296、氮化物半導體激光*件
297、氮化物半導體*件
298、氮化物系半導體*件及其制造方法
299、氮化物半導體發光*件
300、具有支持襯底的氮化物半導體器件及其制造方法
301、氮化物半導體發光器件的制造方法
302、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
303、氮化物半導體發光器件及其制造方法
304、等離子體氮化處理方法、半導體裝置的制造方法和等離子體處理裝置
305、氮化硅膜、半導體裝置及其制造方法
306、氮化物基化合物半導體發光*件及其制造方法
307、氮化物基化合物半導體發光器件及其制造方法
308、氮化物基化合物半導體發光裝置及其制造方法
309、制造氮化物半導體的裝置和方法及獲得的半導體激光器件
310、氮化物半導體生長用襯底
311、半導體裝置的制造方法、半導體裝置、等離子體氮化處理方法、控制程序和計算機存儲介質
312、氮化物半導體發光器件及其制造方法
313、氮化物半導體*件
314、具三族氮化合物半導體緩沖層的光電半導體組件和其制造方法
3*、氮化物半導體*器件
316、一種氮化鎵基半導體光電器件的制作方法
317、氮化鎵基化合物半導體器件
318、氮化物半導體器件
319、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
320、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底、其制造方法及Ⅲ-Ⅴ族氮化物系發光*件
321、氮化物半導體襯底及其制造方法
322、半導體制造中去除鈦或氮化鈦層上的光刻膠的方法
323、氮化物半導體自支撐襯底和氮化物半導體發光*件
324、氮化物半導體發光器件及其制造方法
325、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及其制造方法
326、氮化鎵基化合物半導體發光器件
327、III族氮化物半導體器件
328、氮化物半導體激光器件
329、氮化物半導體器件及其制造方法
330、利用第三族氮化物四*金屬體系的半導體結構
331、第III族氮化物半導體激光器及其制造方法
332、氮化物系半導體發光*件
333、在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導體層，并由此制造氮化鎵半導體結構的方法
334、新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管
335、氮化鎵基化合物半導體發光器件及其制造方法
336、氮化物半導體發光器件
337、生產氮化鎵膜半導體的生產設備以及廢氣凈化設備
338、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
339、氮化物半導體發光器件
340、氮化物類半導體*件及其制造方法
341、Ⅲ族氮化合物半導體器件
342、氮化物半導體激光器*件
343、氮化物半導體發光器件的制造方法
344、氮化硅膜、半導體裝置及其制造方法
345、氮化物半導體及其制備方法
346、氮化物半導體發光器件及其制造方法
347、用于n型Ⅲ族氮化物半導體的n型歐姆電極、具有該電極的半導體發光器件及用于形成n型歐姆電極的方法
348、加工氮化物半導體晶體表面的方法和由該方法得到的氮化物半導體晶體
349、Ⅲ族氮化物半導體發光器件
350、制造Ⅲ族氮化物半導體的方法
351、Ⅲ族氮化物系化合物半導體發光*件及其制造方法
352、垂直氮化鎵半導體器件和外延襯底
353、氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
354、Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
355、氮化物半導體*器件
356、氮化物半導體激光裝置以及提高其功能的方法
357、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體發光裝置
358、用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
359、氮化物半導體器件的肖特基電極及其制作方法
360、氮化物基半導體器件及其制造方法
361、氮化物系半導體激光*件
362、基于氮化物的半導體發光二極管
363、氮化物半導體基板及制法和使用該基板的氮化物半導體裝置
364、氮化物半導體發光器件及其制造方法
3*、用于第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的n-電極
366、氮化物基化合物半導體發光器件的制造方法
367、具有氮化氧化物層的半導體器件及其方法
368、半導體工藝設備的氮化硼/氧化釔復合材料部件及其制造方法
369、氮化物半導體發光器件及其制造方法
370、有關氮化鎵的化合物半導體器件及其制造方法
371、氮化物半導體材料及氮化物半導體結晶的制造方法
372、等離子體濾波器氮化銦半導體薄膜
373、氮化物半導體*器件
374、氮化物半導體發光*件及制造氮化物半導體發光*件的方法
375、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的制造方法
376、氮化物系半導體*件的制造方法
377、氮化鎵半導體發光*件
378、氮化物系半導體*件的制造方法及氮化物系半導體*件
379、氮化鎵基Ⅲ-V族化合物半導體發光器件及其制造方法
380、鈮酸鋰/Ⅲ族氮化物異質結鐵電半導體薄膜制備方法及應用
381、自鈍化非平面結三族氮化物半導體器件及其制造方法
382、基于氮化物的化合物半導體晶體襯底結構及其制造方法
383、氮化物系化合物半導體和化合物半導體的清洗方法、這些半導體的制造方法及基板
384、Ⅲ族氮化物制造的半導體襯底及其制造工藝
3*、氮化物半導體*件和氮化物半導體結晶層的生長方法
386、氮化物系半導體*件
387、制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅層的半導體組件的方法
388、Ⅲ族氮化物晶體、其制造方法以及Ⅲ族氮化物晶體襯底及半導體器件
389、氮化物半導體發光器件和制備氮化物半導體激光器的方法
390、氮化物半導體發光器件及其制造方法
391、氮化物半導體發光器件
392、低介電氮化硅膜及其制造方法和半導體器件及其制造工藝
393、氮化鎵系化合物半導體磊晶層結構及其制造方法
394、立方晶體氮化物半導體器件及其制造方法
395、含碳的氮化鋁燒結體，用于半導體制造/檢測設備的基材
396、以氮化物為基礎的半導體發光器件及其制造方法
397、氮化物半導體*件
398、處理包含含氧氮化硅介質層的半導體器件的方法
399、氮化物半導體*件的制造方法和氮化物半導體*件
400、氮化物半導體*件
401、氮化物半導體單晶基材及其合成方法
402、氮化物基半導體發光裝置及其制造方法
403、低缺陷氮化物半導體薄膜及其生長方法
404、半導體用氮化物襯底及其制備方法
405、氮化物半導體器件及其制備方法
406、周期表第13族金屬氮化物結晶的制造方法以及使用其的半導體器件的制造方法
407、氮化物半導體器件及其制備方法
408、具有緩沖電極結構的氮化鎵半導體芯片
409、含碳的氮化鋁燒結體以及用于半導體制造/檢測設備的陶瓷基材
410、具有電流狹窄層的氮化物半導體激光器*件及其制造方法
411、基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
412、氮化物半導體發光裝置
413、Ⅲ族氮化物半導體發光*件及其制造方法
414、氮化物半導體LED及其制造方法
4*、氮化物半導體發光器件及其制備方法
416、半導體用氮化物襯底的制備方法及氮化物半導體襯底
417、氮化物半導體光發射器件及其制造方法
418、氮化物半導體發光器件的透明電極及其制法
419、氮化物半導體*件及其制造方法
420、氮化物半導體的制造方法及半導體器件的制造方法
421、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
422、刻蝕半導體結構中的鎢或氮化鎢柵極的方法
423、含碳的氮化鋁燒結體，用于半導體制造/檢測設備的基材
424、Ⅲ族氮化物晶體襯底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半導體器件
425、氮化物半導體激光*件及其制造方法
426、可以**表里的矩形氮化物半導體基片
427、氮化物半導體發光器件
428、Ⅲ族氮化物半導體發光*件
429、氮化物半導體器件制造方法
430、氮化物半導體器件的制造方法及氮化物半導體器件
431、制備III族氮化物半導體的方法及III族氮化物半導體器件
432、基于氮化物的半導體發光二極管
433、氮化物半導體分層結構以及結合該分層結構部分的氮化物半導體激光器
434、氮化鎵類化合物半導體裝置及其制造方法
435、半導體基片的UV增強的氧氮化
436、氮化物半導體發光裝置
437、氮化鎵序列的復合半導體發光器件
438、氮化物半導體、其制造方法以及氮化物半導體*件
439、氮化物半導體發光裝置制造方法
440、GaN單晶基底、氮化物類半導體外延生長基底、氮化物類半導體器件及其生產方法
441、用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
442、氮化物基半導體發光器件及其制造方法
443、氮化物半導體發光器件的制造方法
444、氮化物半導體基板及其制造方法
445、氮化物類半導體*件
446、氮化物半導體器件及其制造方法
447、氮化物半導體*件
448、Ⅲ族類氮化物半導體器件及其制造方法
449、雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體的控制柵極及字線電壓升壓設計
450、氮化物半導體*件
451、氧氮化物磷光體和半導體發光器件
452、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
453、第Ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半導體器件
454、Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體外延晶片
455、氮化物類半導體*件的制造方法
456、氮化鎵系化合物半導體發光*件及其窗戶層結構
457、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體基板及其評價方法
458、半導體發光器件和氮化物半導體發光器件
459、自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體*件的制造方法
460、氮化物半導體激光器
461、氮化物類半導體*件
462、晶片導向器，MOCVD裝置和氮化物半導體生長方法
463、絕緣膜氮化方法、半導體裝置及其制造方法、基板處理裝置和基板處理方法
464、氮化鎵基化合物半導體發光器件
4*、第13族金屬氮化物結晶的制造方法、半導體器件的制造方法和這些制造方法中使用的溶液和熔融液
466、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
467、復合氮化物半導體結構的外延成長
468、氮化物半導體器件
469、氮化物晶體、氮化物晶體襯底、含有外延層的氮化物晶體襯底、半導體器件及其制備方法
470、氮化物半導體基板及氮化物半導體基板的加工方法
471、基板檢查方法及裝置、氮化物半導體*件制造方法及裝置
472、氮化物半導體器件
473、第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光*件
474、含有Ga的氮化物半導體單晶、其制造方法以及使用該結晶的基片和器件
475、Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體的制造方法和發光器件的制造方法
476、形成第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件用的電極的方法
477、氮化鎵基半導體發光二極管及其制造方法
478、氮化物半導體器件
479、氮化物半導體*件
480、晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件
481、用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件
482、III－V氮化物半導體激光器件
483、硅襯底上Ⅲ族氮化物半導體外延生長技術
484、新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管及其生產工藝
4*、氮化物半導體*件
486、氮化物半導體*件
487、基于氮化物的半導體發光二極管
488、氮化物半導體*件及其制造方法
489、氮化物半導體*件及其制造方法和氮化物半導體基板的制造方法 "
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