半導體|半導體發光|半導體元件|半導體封裝生產技術工藝（168元/全套）歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；；資料（光盤）編號：F400369
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"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8110-0081-0001 半導體發光元件、發光裝置及半導體發光元件的制造方法
摘要 本發明公開了一種半導體發光元件，其為一種包括：基板4、裝在基板4上的藍色LED1及用以密封藍色LED1之周圍且由黃色熒光體粒子2及母材13(透光性樹脂)的混合體構成的熒光體層3的芯片型半導體發光元件。黃色熒光體柱子2，吸收藍色LED1所釋放出的藍色光，釋放出在550nm以上且600nm以下的波長區域中具有發光峰值的熒光，且由以化學式(Sr1-a1-b1-xBaa1Cab1Eux)2SiO4(0≤a1≤0.3，0≤b1≤0.8，0＜x＜1)表示的化合物為主體而構成的硅酸鹽熒光體。由于該硅酸鹽熒光體的粒子容易大致均勻地分散在樹脂中，所以可獲得良好的白色光。
8110-0087-0002 應用于微影制程的結構及半導體元件的制造方法
摘要 本發明是有關于一種應用于微影制程的結構及半導體元件的制造方法。該應用于微影制程的結構，是依序由配置在一基底上的至少一膜層、一光線阻隔層、一抗反射層以及一光阻層所組成。在微影制程中，光線阻隔層可用以阻擋光線穿透至底下的膜層。在本發明中，因為光阻層的底下是配置有光線阻隔層，所以曝光的光線就無法穿透光阻層底下的膜層再由基底表面反射出。換言之，光阻層底下的膜層厚度的變化將不會影響微影制程的關鍵尺寸，從而更加適于實用。
8110-0073-0003 決定集成電路ESD/閂鎖強度之方法
一種決定集成電路ESD/閂鎖強度之方法，具有以下步驟：藉由相同的制程步驟聯合產生一集成電路(1，2)及一測試結構(N3)，于該測試結構(N3)上之電子參數之測量，從該被測量之參數值導出特性值，該等特性值顯示被指派給該集成電路(1，2)之一ESD或閂鎖特性曲線之特征，以及測試該等特性值于各情況下是否位于被指派予它們之一預定范圍內，該范圍被選擇因此如果該等特性值于各情況下系位于它們的范圍之內，出現一想要的ESD/閂鎖強度。
8110-0170-0004 制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶體管的方法
摘要 提供了一種制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。該多晶硅薄膜是使用ICP-CVD在低溫時形成的。ICP-CVD后，在能量以預定梯級增加的同時實施ELA。使用ICP-CVD在大約150℃的溫度沉積多晶硅活性層和SiO2柵極絕緣層。該多晶硅具有大約3000或更高的大結晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高達1011/cm2。可以在低溫下制造具有良好電特性的晶體管，并因而能夠形成在耐熱塑料襯底上。
8110-0132-0005 半導體功率器件和形成方法
摘要 按照一種實施方式，應力緩沖層(40)被形成在功率金屬結構(90)與鈍化層(30)之間。應力緩沖層(40)通過功率金屬結構(90)減小施加于鈍化層(30)上的應力的作用。按照另一實施方式，功率金屬結構(130A)被分為多段(1091)，從而通過籽層(1052)和粘附/阻擋層(1050)的剩余部分在各段(1090)之間保持電連續性。獨立的多段(1090)施加比相當尺寸的連續功率金屬結構(9)更低的峰值應力。
8110-0016-0006 一種新的超薄含氮柵介質制備方法
摘要 本發明屬集成電路制造工藝技術領域。具體為一種新的柵介質層制備方法。采用ISSG方法先制備一層薄氧化硅，再移入氮等離子體腔進行氮化，完畢后立即進行氮氣氛退火。本發明提出一種高壓脈沖等離子體氮化技術，得到了濃度與分布可控的含氮氧化硅介質層。實驗證明，柵介質層溝道遷移率良好，柵極漏電流得到較大幅度抑制，同時硼穿透現象也被有效阻止。本發明方法可靠性好，操作性強。
8110-0202-0007 用于夾住引線的引線焊接設備和方法
摘要 控制器可以接收來自引線焊接監視系統的斷線信號和操作線夾以夾住斷線。可以包括拉線操作、線尾形成操作和小球形成操作的一系列操作可以自動執行。傳感器可以測量引線拉動毛細管的長度和可以在線尾上形成的小球的位置。為了利用傳感器信息拉動引線，輔助線夾可以安裝在線夾和毛細管之間。
8110-0141-0008 具有封裝內的定量和光譜檢測能力以及數字信號輸出的多片式發光二極管封裝件
摘要 一個多片式發光二極管組件，具有：支撐件；至少兩個設置在支撐件上的發光二極管芯片；至少一個設置在支撐件上的傳感器，該傳感器用來向控制器報告有關發光二極管的光輸出的量和光譜信息；信號處理電路，其包括設置在支撐件上的模擬-數字轉換器邏輯電路，用來將傳感器產生的模擬信號輸出轉換為數字信號輸出。
8110-0190-0009 制造半導體器件的方法
摘要 本發明公開一種制造半導體器件的方法，該方法在高電壓區域形成厚柵氧化物膜且在單元區域中形成薄遂穿氧化物膜。制造該半導體器件的方法是通過在該高電壓區域中生長約400埃厚度的柵氧化物膜，且進行使用BOE溶液的蝕刻過程及使用H3PO4的蝕刻過程，分別達120秒與12分鐘，以移除在該單元區域中殘余氮化物膜，因而減少過程時間且改進在該高電壓區域中的柵氧化物膜的均勻性。
8110-0042-0010 利用多電平技術實現IC之間信號傳輸的方法
摘要 一種利用多電平技術實現IC之間信號傳輸的方法，其數據信號傳輸通道上的信號采用多于等于3種的電平信號進行表示。由于本發明利用多電平技術實現IC之間信號傳輸時采用的電平可以是多個比特的組合，因而在相同的時鐘頻率下，提高了系統之間信號的傳輸比特率，且不會導致EMI/EMC問題嚴重。相反，在傳輸比特率一定時，時鐘頻率降低，本發明能夠減小系統的EMI/EMC問題。
8110-0194-0011 制造應變MOSFET的結構和方法
8110-0001-0012 半導體發光器件及制造方法、集成半導體發光設備及制造方法、圖像顯示設備及制...
8110-0037-0013 高精度模擬電路芯片制造方法
8110-0078-0014 單片半導體壓電器件結構和電-聲電荷傳送器件
8110-0176-0015 具有金屬柵電極和硅化物觸點的FET柵極結構
8110-0213-0016 利用淺溝槽絕緣方法絕緣半導體器件的方法
8110-0117-0017 超導飽和鐵心故障限流器
8110-0125-0018 傳送晶片的工具和外延生長臺
8110-0045-0019 薄膜晶體管數組基板及其修補方法
8110-0128-0020 電化學邊緣和斜面清潔工藝及系統
8110-0151-0021 顯示裝置及其制造方法
8110-0185-0022 半導體晶片的清洗方法
8110-0140-0023 有機電致發光顯示器
8110-0055-0024 一種層狀鈷基氧化物熱電材料的制備方法
8110-0093-0025 用于鈦硅化物制造工藝窗口的pMOS的制作方法
8110-0096-0026 評估半導體制程的方法
8110-0088-0027 光掩模的靜電放電保護的方法和結構
8110-0109-0028 半導體元件的結構
8110-0208-0029 攝像元件測試方法及裝置
8110-0017-0030 形成自動對準接觸窗方法
8110-0047-0031 大功率MOS晶體管及其制造方法
8110-0174-0032 在半導體器件中形成柵極的方法
8110-0011-0033 形成半導體材料晶片的方法及其結構
8110-0008-0034 電鍍和/或電拋光晶片的電鍍和/或電拋光臺以及方法
8110-0075-0035 半導體器件及其制造方法
8110-0094-0036 無導線架的晶片封裝方法
8110-0105-0037 ROM存儲器及其制造方法
8110-0067-0038 半導體裝置及其制造方法
8110-0173-0039 抑制柵極氧化膜劣化的方法
8110-0020-0040 一種鐵電薄膜紅外探測器硅微橋腐蝕裝置
8110-0206-0041 半導體集成電路器件的制造方法
8110-0142-0042 有機半導體溶液
8110-0062-0043 電荷控制雪崩光電二極管及其制造方法
8110-0133-0044 在連續多步拋光處理中防止晶片損傷的方法
8110-0217-0045 半導體裝置的制造方法
8110-0119-0046 玻態轉變襯底上的光滑層和阻擋層
8110-0139-0047 由光敏和/或X-射線敏傳感器組成的傳感器設備
8110-0196-0048 通過使用一個矩陣框架來制造一個半導體裝置的方法
8110-0180-0049 調整圖形臨界尺寸偏差的方法
8110-0108-0050 感光式半導體封裝件及其制法以及其導線架
8110-0164-0051 圖形形成方法
8110-0052-0052 新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管及其生產工藝
8110-0053-0053 分段溫差電元件
8110-0167-0054 激光照射方法以及晶質半導體膜的制作方法
8110-0204-0055 用于產生楔形-楔形引線連接的方法
8110-0035-0056 一種形成雙大馬士革結構中刻蝕阻擋層的方法
8110-0156-0057 硅結晶設備及硅結晶方法
8110-0022-0058 硅片IMD CMP后成膜方法
8110-0152-0059 用于大面積基板處理系統的裝載鎖定室
8110-0033-0060 一種集成電路制造工藝技術中的淺溝隔離工藝
8110-0110-0061 生產芯片級封裝用焊墊的方法與裝置
8110-0002-0062 控制晶體管結溫的穩態工作壽命試驗方法
8110-0112-0063 用于將銅與金屬-絕緣體-金屬電容器結合的方法和結構
8110-0159-0064 薄膜形成方法和裝置、有機電致發光裝置的制造方法
8110-0131-0065 對包含第VIII族金屬的表面采用氧化性氣體的平面化方法
8110-0210-0066 切削槽的測量方法
8110-0197-0067 微電子電路的平面型載體空腔氣密性封裝方法
8110-0071-0068 半導體器件及其制造方法
8110-0006-0069 具有清除裝置的氣體處理裝置
8110-0050-0070 提高染料敏化光電轉換器件性能的方法
8110-0076-0071 具有縱向超薄體晶體管的折疊位線動態隨機存取存儲器
8110-0060-0072 有機發光二極管的制作方法
8110-0107-0073 制作高紫外-臨界電位電可擦除可編程只讀取存儲器的方法
8110-0181-0074 從半導體晶片上移除不必要物質的方法及使用其的裝置
8110-0025-0075 提高表面降場型LDMOS器件耐壓的工藝
8110-0057-0076 用于智能結構的形狀記憶合金增強型壓電驅動器及制作工藝步驟
8110-0064-0077 用于有機硅酸鹽玻璃低K介質腐蝕應用的用于O2和NH...
8110-0102-0078 用于制造半導體晶片的半色調掩模的制造方法和結構
8110-0200-0079 形成倒裝芯片的凸塊焊盤的方法及其結構
8110-0178-0080 用于場效應晶體管的超薄高K柵介質的制作方法以及超薄高K柵介質
8110-0085-0081 半導體制程設備的清潔方法
8110-0092-0082 一種制作具有延伸閘極晶體管的方法
8110-0012-0083 可保持圖形完整性良好的厚外延方法
8110-0036-0084 使用光敏感材料有孔填涂大馬士革的工藝
8110-0122-0085 采用反射輻射監控襯底處理
8110-0154-0086 清洗高介電常數材料沉積室的方法
8110-0113-0087 立體集成電感及其制造方法
8110-0024-0088 一種減少通孔側壁上MOCVD TiN膜厚的等離子體處理工藝
8110-0004-0089 控片回收再生方法以及其控片結構
8110-0007-0090 在具有圖形的絕緣硅基襯底上制作硅薄膜的方法
8110-0216-0091 用于低K介電材料的包括回蝕的鑲嵌互連結構
8110-0023-0092 一種制備多孔低介電常數薄膜材料的方法
8110-0175-0093 改善熱載子注入效應的方法
8110-0201-0094 半導體器件和使用了半導體器件的電子裝置
8110-0019-0095 晶片鍵合表面處理劑及晶片鍵合方法
8110-0089-0096 一種避免漩渦效應缺陷的方法
8110-0193-0097 垂直碳納米管場效應晶體管
8110-0189-0098 半導體裝置的制造方法
8110-0046-0099 非揮發性存儲器結構及其制造方法
8110-0218-0100 預防雙重金屬鑲嵌結構的金屬漏電的氮化物阻障層
8110-0015-0101 一種可以減小柵特征尺寸的兩步削減刻蝕工藝
8110-0191-0102 半導體器件的導線形成方法
8110-0084-0103 帶豎立式熱處理腔的半導體快速熱處理設備
8110-0203-0104 半導體芯片及其制造方法、和半導體裝置
8110-0198-0105 半導體器件的制造方法
8110-0186-0106 流體供給噴嘴、基板處理裝置及基板處理方法
8110-0120-0107 用于發光二極管器件的發白光的磷光體混合物
8110-0070-0108 在原位干涉量測終點偵測及非干涉量測終點監控中執行氮化物墊片蝕刻工藝的方法...
8110-0150-0109 多晶硅膜的形成方法
8110-0116-0110 發光二極管芯片模塊
8110-0077-0111 2F2存儲器件的系統和方法
8110-0136-0112 具有特性薄膜的半導體元件搬運裝置
8110-0169-0113 半導體器件的制作方法
8110-0104-0114 帶有氧化層隔離物的DRAM結構及其制造方法
8110-0101-0115 用銅制造高電容量電容器的方法及其結構
8110-0051-0116 采用砷化鎵基含磷材料的紫外增強光電探測器及制作方法
8110-0054-0117 溫差電元件與電極的壓接方法
8110-0161-0118 用于制造半導體器件的方法
8110-0199-0119 應力衰減型電子元器件、布線板及其安裝體
8110-0038-0120 一種高壓集成電路的制造方法
8110-0149-0121 多晶硅膜的形成方法
8110-0026-0122 一種薄膜晶體管的制造方法
8110-0146-0123 制造薄膜晶體管陣列基板的方法
8110-0034-0124 可分別對雙鑲嵌工藝的中介窗與溝槽進行表面處理的方法
8110-0111-0125 直接連結式芯片封裝結構
8110-0157-0126 半導體器件的制造方法
8110-0106-0127 非揮發性內存元件的制造方法及金屬內連線制程
8110-0097-0128 定位結構及其定位方法
8110-0069-0129 次載具和半導體組件
8110-0147-0130 半導體裝置的制造方法、半導體裝置、電路基板、電子設備
8110-0137-0131 形成極限尺寸的電連接裝置的方法及包含該裝置的器件
8110-0014-0132 精確控制離子注入濃度的方法及同步控制壓力補償因子的方法
8110-0163-0133 用于制造電子器件的結構體及使用它的電子器件制造方法
8110-0211-0134 靜電卡盤、基片支持、夾具和電極結構及其制造方法
8110-0018-0135 晶圓噴洗裝置
8110-0215-0136 半導體器件的制造方法
8110-0048-0137 畫素結構與薄膜晶體管陣列及其修補方法
8110-0123-0138 金屬容器結構的平面化
8110-0126-0139 使用衰減相移反射掩膜在半導體晶片上形成圖案的方法
8110-0212-0140 電子裝置的通用矩陣托盤
8110-0003-0141 用于高密度等離子體制程的注射裝置
8110-0043-0142 集成電路芯片結構
8110-0188-0143 形成介電薄膜的方法
8110-0118-0144 可控電阻型超導故障限流器
8110-0030-0145 硅鍵合片界面缺陷的檢測方法
8110-0086-0146 低溫多晶硅薄膜的制造方法
8110-0010-0147 半導體器件的制造裝置
8110-0041-0148 散熱裝置及其制備方法
8110-0121-0149 具有分段行修復的半導體存儲器
8110-0153-0150 襯底處理器件及其清洗方法
8110-0100-0151 集成電路布局數據的處理方法
8110-0029-0152 芯片同步時鐘的測試方法及可同步測試時鐘功能的芯片
8110-0214-0153 半導體元件和隔離半導體元件的方法
8110-0005-0154 一種在基板上轉移制作薄膜的方法
8110-0207-0155 使用具有真空通道的機械開槽的存儲托盤的管芯級檢驗
8110-0028-0156 多規格直徑焊球自動投放裝置
8110-0166-0157 激光照射裝置、激光照射方法及晶質半導體膜的制作方法
8110-0143-0158 用于顯示裝置的密封結構
8110-0168-0159 低缺陷氮化物半導體薄膜及其生長方法
8110-0080-0160 發光二極管
8110-0183-0161 拋光墊
8110-0130-0162 由多晶物質形成微米級結構
8110-0187-0163 半導體裝置制造方法及其半導體裝置
8110-0209-0164 半導體集成電路器件的制造方法
8110-0021-0165 一種利用二氧化硫混合氣體消除有機物的等離子刻蝕方法
8110-0177-0166 形成用于半導體器件的柵極結構的方法和半導體器件
8110-0074-0167 具有機械像素開關的發光顯示裝置
8110-0182-0168 氮化物系化合物半導體元件的制造方法
8110-0099-0169 控制回蝕刻截面輪廊的方法和裝置
8110-0058-0170 一種具有高磁電阻效應的磁性隧道結及其制備方法
8110-0039-0171 非揮發性存儲器結構及其制造方法
8110-0179-0172 襯底表面清洗方法、薄膜制造方法、半導體裝置及其制法
8110-0066-0173 使用一步快速熱退火工藝及尾端處理形成硅化鎳的方法
8110-0040-0174 集成電路多晶硅高阻電阻的制作方法
8110-0192-0175 半導體裝置和半導體裝置的制造方法
8110-0059-0176 一種各向異性磁電阻坡莫合金薄膜的制備方法
8110-0090-0177 消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法
8110-0027-0178 核探測器碲鋅鎘晶片表面鈍化的方法
8110-0031-0179 一種保護有源區面積的淺結隔離槽工藝
8110-0160-0180 基板處理裝置
8110-0162-0181 制造半導體器件中的電感的方法
8110-0082-0182 低成本的二維運動彎曲致動器
8110-0148-0183 自診斷方法和裝置
8110-0009-0184 辨別不良圖形節距以增進微影制程的方法
8110-0072-0185 半導體輻射襯底及其生產方法和組件
8110-0184-0186 具有獨立限位環和多區域壓力控制結構的氣動隔膜式拋光頭及其使用方法
8110-0068-0187 半導體裝置及其制造方法
8110-0205-0188 電子部件、電子部件制造方法及電子器械
8110-0044-0189 半導體封裝構造
8110-0127-0190 為電處理工藝提供電接觸的方法和系統
8110-0091-0191 晶圓快速冷卻退火的方法和裝置
8110-0079-0192 光伏器件、光伏器件連接裝置以及電氣或電子裝置
8110-0061-0193 一種化學-機械拋光漿料和方法
8110-0129-0194 曝光裝置、基片處理系統和器件制造方法
8110-0115-0195 半導體集成電路隧道氧化窗口區域設計的結構及方法
8110-0171-0196 多晶硅薄膜晶體管的多晶硅膜的形成方法
8110-0095-0197 晶片金屬互連線可靠性在線測試方法
8110-0155-0198 蝕刻高介電常數材料和清洗用于高介電常數材料的沉積室的方法
8110-0172-0199 半導體器件中形成插孔接觸點的方法
8110-0158-0200 半導體組件制造系統及其熱力補償次系統
8110-0032-0201 一種無硬掩模的淺槽隔離工藝
8110-0056-0202 一種增加超導量子干涉器件靈敏度的方法
8110-0103-0203 利用注入晶片的注入機的低能量劑量監測
8110-0145-0204 半導體電路器件及其設計方法和半導體電路的設計方法
8110-0144-0205 顯示裝置及其制造方法
8110-0013-0206 一種消除硅單晶片器件制作區原生坑缺陷的方法
8110-0065-0207 襯底處理方法及半導體裝置的制造方法
8110-0063-0208 Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半導體元件
8110-0135-0209 用于評價凹陷和/或空穴的產量影響的測試結構和模型
8110-0195-0210 半導體芯片的拾取裝置及其拾取方法
8110-0098-0211 在集成電路器件的大馬士革銅工藝中電容器制造的方法及其結構
8110-0138-0212 功率半導體模塊
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