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[2104-0104-0001] 一種固體電解質及其制備方法和用途
[摘要] 本發明的固體電解質是由無機電解質和有機高分子電解質組成的復合體系,利用有機電解質和無機電解質之間的相互作用,使得離子傳導率高達10-3S/cm;有機物的加入,大大提高了體系的機械加工性能。本發明可以用在鋰離子二次電池,電致變色器件和傳感器等領域。
[2104-0134-0002] 半導體清洗液以及使用其制造半導體器件的方法
[摘要] 本發明提供了一種半導體清洗液,它能夠使半導體器件在清洗時其形狀基本上不發生變化,并且能夠使清洗能力長時間保護穩定。該清洗液是將有機酸銨鹽加入到由氫氧化銨、過氧化氫和水組成的混合液(NH4OH:H2O2:H2O)中而制成的。所加入的有機酸銨鹽是從乙酸銨、檸檬酸銨、甲酸銨和草酸銨中選出的一種或幾種鹽。有機酸銨鹽的加入濃度為0.1mol/l到20mol/l。
[2104-0045-0003] 用于場效應晶體管放大器的偏壓電路
在具有源極接地的FETQ的直流偏壓電路中,為了不論直流參數作何變化都能維持FET的漏源電壓和漏極電流的自動恒定,在FETQ1漏極與柵極之間設置第一PNP晶體管Q2。包括一第二PNP晶體管Q3的偏壓電路與第一PNP晶體管Q2的基極相連。晶體管Q2和Q3具有大致一樣的特性以致由于晶體管Q2的因溫度而引發的發射極—基極電壓的變化而造成的漏極電壓與漏極電流的變化可以被補償,從而防止了漏極電流的實質性變化。
[2104-0098-0004] 一種層間絕緣膜受到保護的半導體器件和制作方法
[摘要] 一種半導體器件,其中形成在設置于半導體基底上的層間絕緣膜上的孔中隱埋互連材料,該半導體器件包括一保護層,該保護層形成于層間絕緣膜的表面上,在化學機械拋光過程中,其具有較互連材料更低的拋光率。本發明還揭示了制作這種半導體器件的方法。
[2104-0208-0005] 制造大規模集成電路的處理設備
[摘要] 處理室中有用于預定處理的活性氣體,處理室的部分外壁構成從此外壁延伸到空氣中的突起部件。入射側窗安裝于突起部件上,通過該窗導入激光。障板設置于突起部件內,用于在將激光導入此窗時,如果產生不規則反射光,阻止導入到室中的光的不必要部分。在窗的空氣側表面上涂抗反射層。在突起部件上形成凈化氣體入口,用于將凈化氣體沿窗的內表面吹散。因此,可以防止處理氣體沉積在入射側窗的處理室內表面上和光束擋板的表面上,所以處理室內部不會被污染,因而以測量處理室內懸浮或落下的細顆粒的弱散射光。
[2104-0061-0006] 半導體器件
[摘要] 一種半導體器件,多個晶體管單元平行設置在半導體襯底(1)的主表面上。每個所述晶體管單元包括:成一列設置的多個基本單元。
[2104-0076-0007] 一種高能脈沖電沉積陶瓷涂層的方法
[摘要] 一種高能脈沖電沉積陶瓷涂層的方法,實現該方法須具有一高能脈沖電源、在基材表面施加水膜和特定的電極結構,該方法是利用高能脈沖電源所產生的高能脈沖放電能量,將水膜中的金屬鹽、陶瓷溶膠—凝膠或納米級陶瓷顆粒反應沉積到基材表面,以形成陶瓷涂層,通過高能脈沖電源的電極和基材的相對運動,以及向基材表面的施加水膜的方式,可于基材表面沉積獲得各種陶瓷涂層,可以制備功能陶瓷涂層,也可以制備耐熱、耐腐蝕、耐磨損、高阻抗的結構陶瓷涂層。
[2104-0088-0008] 半導體基板和層疊的半導體封裝及其制作方法
[摘要] 半導體基板和層疊的半導體封裝及其制作方法,可以在有限的面積內實現高集成度的半導體組件。半導體基板包括:非導電的基板主體,其內部有多根已構圖的導線;在基板主體的中心上部形成的腔體;垂直通過基板主體邊緣部分的多個通孔。
[2104-0053-0009] 具有珀爾帖器件的光電元件模塊
[摘要] 一種光電元件模塊包括光電元件、冷卻光電元件的珀爾帖單元和封裝該光電元件和帖爾帖單元的管殼。光電元件直接或通過一固定部件間接安裝在珀爾帖單元的第一表面上。珀爾帖單元的第二表面通過接合結構與管殼的安裝面接合,同時使珀爾帖單元能沿管殼的安裝面移動。由珀爾帖單元的第二表面和管殼的安裝面的熱膨脹系數間差別產生的熱應力被沿管殼安裝面相對于管殼的珀爾帖單元的位置移動釋放掉。接合結構產生用于接合的一磁場力或彈性力。
[2104-0157-0010] 陶瓷/鋁共連續復合材料的制造方法
[摘要] 陶瓷/鋁共連續復合材料的制造方法,屬于復合材料制備領域,它的特點是首先制備具有三維連通孔洞的陶瓷預制件,將含有Mg、Si的鋁合金加熱熔化,待鋁合金熔化后,將制備好的陶瓷預制件浸入鋁液中,通惰性或非氧化性氣氛保護,并將鋁液溫度升至760—1200℃保溫1—10小時,取出陶瓷預制件,冷卻至室溫,便制得陶瓷/鋁共連續復合材料,該方法不僅工藝簡單,可實現無壓滲鋁,而且不受陶瓷預制件尺寸、形狀限制、可近終形成型。
[2104-0005-0011] 電子設備和使用該電子設備的外部裝置
[2104-0188-0012] 半導體器件的制作方法
[2104-0124-0013] 半導體器件及其制造方法
[2104-0048-0014] 調幅多路廣播裝置
[2104-0059-0015] 具有低電阻區的半導體器件及其制造方法
[2104-0144-0016] 輸出信號重復周期不同于輸入信號的鉗形運動延遲電路
[2104-0044-0017] 軟啟動的燈管限流裝置
[2104-0067-0018] 非接觸電測量旋轉扭矩的方法
[2104-0123-0019] 縮短溝道長度的半導體器件
[2104-0110-0020] 敏感膜--陰極復合型壓力傳感器
[2104-0035-0021] 半導體器件及其制造方法
[2104-0094-0022] 頻率補償的二極管衰減器
[2104-0197-0023] 高頻電子儀器
[2104-0014-0024] 一種基于GPS信號的定時方法和設備
[2104-0129-0025] 波紋管和用管子作為套的導線束
[2104-0163-0026] 具有多層互連結構的半導體器件
[2104-0212-0027] 一種半導體器件
[2104-0116-0028] 含大量絕緣柵場效應晶體管的高集成電路半導體器件
[2104-0194-0029] 流體安全控制裝置
[2104-0111-0030] 恒磁電磁接觸器/繼電器
[2104-0206-0031] 具有鄰近驅動晶體管源極小區域的靜態隨機存取存儲器
[2104-0069-0032] 半導體器件及其生產方法
[2104-0174-0033] 存儲器集成電路及應用它的主存儲器系統和圖形存儲器系統
[2104-0070-0034] 節省功耗的便攜式電子裝置和電池組
[2104-0117-0035] 停電應急照明裝置
[2104-0090-0036] 天線共用器
[2104-0166-0037] 電子記事簿及聲控漢字識別方法
[2104-0096-0038] 非易失性半導體存儲器件的擦除方法
[2104-0189-0039] 抗靜電活動地板
[2104-0126-0040] 在半導體芯片進行接合的構造和應用該構造的半導體裝置
[2104-0168-0041] 相鄰電路之間平面和非平面柔性電連通的方法和設備
[2104-0190-0042] 抗靜電粉末涂料及其噴涂方法
[2104-0175-0043] 一種具有溫控自動保護電路的燈具
[2104-0010-0044] GPS導航系統信號監視裝置
[2104-0078-0045] 回路基板
[2104-0141-0046] 存儲器專用控制器件和方法
[2104-0170-0047] 半導體延遲電路
[2104-0177-0048] 多注速調管濾波器加載寬帶輸出回路
[2104-0003-0049] 增強GPS系統的信號檢測性能
[2104-0097-0050] 半導體器件及其輸出電路
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[2104-0199-0052] 一種快速測量的電子體溫計
[2104-0205-0053] 一種半導體存儲器件
[2104-0127-0054] 加工電池卷繞體的裝置及傳送電池卷繞體的裝置和方法
[2104-0150-0055] 半導體裝置及其制造方法
[2104-0019-0056] 一種帶有折流元件的生物反應器
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[2104-0009-0058] 衛星無線導航系統的偽噪聲信號接收機
[2104-0138-0059] 采用熱管傳導散熱的溫差電致冷器
[2104-0115-0060] 廢電池的綜合利用
[2104-0119-0061] 蓄壓器總成
[2104-0109-0062] 用于匯流條分配器的電絕緣匯流條
[2104-0136-0063] 歐姆電極的形成方法及半導體裝置
[2104-0066-0064] 多電荷耦合元件校正方法及其裝置
[2104-0095-0065] 用于具有低相位噪聲的數字高級電視信號的振蕩器
[2104-0132-0066] 場效應管和含有場效應管的功率放大器
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[2104-0153-0068] 電子裝置、電子裝置的測定裝置以及測定方法
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[2104-0002-0070] 自動更新電子交通地圖的方法及系統
[2104-0173-0071] 制造半導體器件的清洗組合物和用其制備該器件的方法
[2104-0184-0072] 利用化學機械拋光工藝的半導體器件制造方法
[2104-0151-0073] 利用平面化技術制造半導體器件的方法
[2104-0034-0074] 半導體器件中的互連系統
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[2104-0202-0078] 集熱管以及采用該集熱管的熱水裝置
[2104-0154-0079] 彩色顯象管曝光臺的光源產生裝置及方法
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[2104-0160-0082] 交互式手寫輸入裝置
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