半導體|半導體電路|半導體封裝|半導體芯片生產技術工藝（168元/全套）歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；；資料（光盤）編號：F400421
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"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8166-0209-0001 模擬小波變換器件
摘要 一種模擬小波變換器件，在壓電基片上設置2～5組由輸入叉指換能器和相對應的輸出叉指換能器構成不同頻率的濾波器，將壓電基片按常規半導體器件工藝封裝。本發明與數字型小波變換器件相比，速度能夠達到兩個數量級，對一維模擬信號進行小波變換，本發明的反應速度比數字型小波變換器件快三個數量級以上，對于二維信號本發明的反應速度比數字型小波變換器件快五個數量級。
8166-0142-0002 半導體制作方法
摘要 本發明涉及到一種半導體電路的半導體制作方法，該電路具有多個一種類型的有源器件NMOS1,NMOS2,NPN1,NPN2。該方法包括下列步驟：在半導體襯底(1)上安排第一區域(4,16)，并在所述第一區域(4,16)中實現兩個具有不同種特性的所述類型的有源器件。實現所述有源器件的步驟包括在所述第一區域(4,16)中形成第一(6’,10’)和第二(6”,10”)子區域，并進一步包括分別引入不同劑量參數的第一P1,P3和第二P2,P4摻雜劑，到所述第一區域的第一和第二區域，所述摻雜劑是同一類p型，以及包括退火所述襯底(1)以分別形成所述第一(6’,10’)和第二(6”,10”)子區域，由此兩個具有不同摻雜分布的子區域能夠被制作在單個集成電路上。
8166-0155-0003 集成電路電力和地線路
一種集成電路，它包括多個單元塊以及帶有用于信號和電力路由的導線的多個層。獨立單元的電力和地連接，由單元級第一導線層中的電力和地導線提供。塊級的電力和地導線由最高級的層中的電力和地導線提供，通過層疊的通路和第一層的電力和地導線相連。導體的中間層可被用于信號路由。這個路由技術和現有技術相比，提高了電路密度，現有技術中的塊級電力和地導線在第二層，即導體的較低層，而不是在最高層。還公開了一種布局方法，其中依賴于塊級電力導線和地導線的布置，來確定信號路由的導線。
8166-0165-0004 多芯片模組裝置及其制造方法
摘要 一種多芯片模組裝置及其制造方法。多芯片模組裝置包括：一基板，基板形成有一穿孔，在其一個表面上設有預定的電路軌跡；一第一芯片單元，具有粘接墊安裝表面及粘接墊，安裝于基板的其中一個表面上以致于在第一芯片單元與基板的穿孔的孔壁之間形成有一芯片單元容置空間且粘接墊與基板的對應的電路執跡電連接；及至少一第二芯片單元，置于芯片單元容置空間內且其粘接墊與第一芯片單元的對應的粘接墊電連接。
8166-0033-0005 3－5μm硅鍺/硅異質結內發射紅外探測器及其制備方法
摘要 本發明屬紅外探測器技術領域，具體為一種3－5μm SiGe/Si異質結內發射紅外探測器。其中的紅外探測窗口為由分子束外延長的Si1－xGex/Si異質結材料。該紅外探測器工作波段為3－5μm，工作溫度為80K，最高可達到105K，具有良好的性能。例在室溫環境中可以用液態氮作致冷劑進行工作，而在太空中(溫度為105K)則不需要任何制冷劑而工作；探測器還具有高的黑體響應率和黑體探測率；可采用大尺寸硅片研制；成品率高，均勻性好，適宜于制作大規模紅外探測器焦平面陣列；有優越的性能價格比。
8166-0087-0006 在低壓制造工藝中實現高壓信號輸入的電壓轉換裝置
摘要 本發明提供了一種在不改變集成電路的低壓制造工藝的情況下而可實現直接把高壓輸入集成電路的電壓轉換裝置。該裝置包括含有兩個串聯電阻的分壓電路以及含有兩個二極管的保護電路。使用該電壓轉換裝置的集成電路在輸入100伏的高壓信號情況下仍可正常工作，信號響應時間＜1μs。
8166-0106-0007 芯片倒裝型半導體器件及其制造方法
摘要 一種芯片倒裝型半導體器件，其配備的半導體芯片的表面上有多個焊盤電極。焊料電極與各個焊盤電極連接，金屬芯柱與各個焊料電極連接。在半導體芯片中含有焊盤電極的一側表面上涂覆絕緣樹脂層，焊盤電極和焊料電極的全部以及金屬芯柱的一部分埋入該絕緣樹脂層內。金屬芯柱的其余部分從絕緣樹脂層伸出以形成凸起。形成外層焊料電極以覆蓋此凸起。使凸起的高度為外層焊料電極的一端與絕緣樹脂層表面之間距離的7％到50％。
8166-0166-0008 電子束曝光方法以及所使用的掩膜和電子束曝光系統
摘要 本發明涉及一種分段掩膜圖案轉印型電子束曝光方法，其中預定圖案被分為多個分區，在每個所述分區形成分段圖案，依次地對每個所述分區進行曝光，完成整個所述指定圖案的投影；包括如下步驟；對分區執行曝光，并且在其上面轉印分段圖案，用各個所述分段圖案的反轉圖案的散焦電子束對所述分段圖案的每個投影區域執行糾正曝光，從而糾正由于圖案曝光所造成的鄰近效應。本發明可以容易地在光刻步驟中為鄰近效應糾正進行糾正曝光調節。
8166-0048-0009 電子部件及其制造方法
摘要 本發明的目的在于，提供能夠在內壁具有梯級的組件的規定位置上高精度安裝元件的電子部件。因此，在組件13的內壁具有梯級26，梯級26的上端面上形成內壁連接電極14。又，在組件13的底面形成密封電極15，在密封電極15上通過連接層16固定元件17。元件17與內壁連接電極14用導線19進行電氣連接。在將元件17和導線19中的至少一個固定于規定的位置時對位置利用設置于組件13底面的未形成電極部18a、18b進行。
8166-0135-0010 用于壓電驅動器的、經改進的錘子以及制造該錘子的方法
摘要 一種用于壓電驅動器的性能得到加強的錘子，它具有從由一錘體件支持的環形體水平延伸出來且一體形成的兩臂。所述錘體件有一垂直延伸的心軸用于使環形體處于正中心位置。所述環形件座落在錘體件的基部上。所述環形及基部分別模制成單體的部件，然后裝配在一起以完成錘子的裝配。
8166-0193-0011 用于制造電子元件的濕法處理方法
8166-0009-0012 一種陶瓷厚膜電路炸裂的控制方法
8166-0215-0013 對準管芯與柔性基板上互連金屬的裝置、方法及其產品
8166-0008-0014 各向異性導電粘接材料及連接方法
8166-0131-0015 提高集成電路中互連金屬化性能的方法和組合物
8166-0026-0016 直流或交流電場輔助退火
8166-0078-0017 可調節擊穿電壓而不增加寄生電容的二極管及其制造方法
8166-0032-0018 光電元件及其制造方法和包線與導體的連接方法
8166-0049-0019 扁平型半導體裝置、其制造方法及使用該裝置的變換器
8166-0077-0020 半導體器件
8166-0130-0021 側壁堆積物除去用組合物和側壁堆積物除去方法
8166-0123-0022 固體攝像器件及其制造方法
8166-0016-0023 半導體器件及其制造方法
8166-0208-0024 電致發光顯示器件
8166-0184-0025 燈退火器及用于控制其處理溫度的方法
8166-0202-0026 一種半導體的封裝結構
8166-0018-0027 自發光設備及其制造方法
8166-0011-0028 半導體器件及其制造方法
8166-0025-0029 半導體器件的包封金屬結構及包括該結構的電容器
8166-0112-0030 空穴傳輸劑和包括它的光電轉化設備
8166-0194-0031 形成薄膜的方法
8166-0004-0032 安裝半導體芯片的方法
8166-0199-0033 制備與硅平面工藝兼容的納米晶SnO2薄膜的方法
8166-0038-0034 用于封裝或測試應用中的多線格柵
8166-0140-0035 使納米級微孔二氧化硅機械強度最優化的方法
8166-0071-0036 具有漏極延伸區的橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件
8166-0107-0037 半導體器件的載體襯底的電極結構
8166-0188-0038 組合元件分離方法、薄膜制造方法和組合元件分離設備
8166-0183-0039 半導體器件的制造方法和設備
8166-0090-0040 半導體器件及其制造方法
8166-0110-0041 高電子遷移率晶體管及其制作方法
8166-0161-0042 半導體裝置及其制造方法
8166-0169-0043 薄膜晶體管的制造方法
8166-0137-0044 元件粘貼方法和設備
8166-0100-0045 有機膜的腐蝕方法、半導體器件制造方法及圖形形成方法
8166-0136-0046 作為發光二極管的穩定電子注入電極的金屬氧化物薄層
8166-0091-0047 雙電鍍模具的導線架制造方法
8166-0046-0048 發光二極管及其制法與胚片
8166-0143-0049 高壓屏蔽
8166-0014-0050 CMOS半導體器件及其制造方法
8166-0054-0051 控制液體中溶解氣體濃度的方法和系統
8166-0061-0052 光斷續器及其框架
8166-0057-0053 具有防止電磁輻射作用的集成電路芯片
8166-0002-0054 量子線場效應晶體管結構材料及器件制備方法
8166-0151-0055 在兩側處理制造集成電路的方法
8166-0103-0056 鑲嵌結構的制造方法
8166-0189-0057 處理高縱橫比結構的方法
8166-0083-0058 涂敷和顯影系統
8166-0196-0059 制造電可尋址的藍寶石上硅光閥用的方法
8166-0086-0060 用于將半導體芯片安裝到基片上的設備
8166-0186-0061 發光半導體器件
8166-0211-0062 太陽能電池的制造方法
8166-0181-0063 掩膜檢測裝置和掩膜檢測方法
8166-0074-0064 具陶瓷基板及晶粒結構的二極管制造方法
8166-0158-0065 混合屋頂覆蓋件
8166-0017-0066 化合物半導體器件的制造方法和化合物半導體器件的制造設備
8166-0056-0067 存儲單元的制法
8166-0109-0068 具有寬安全工作范圍的高速、高頻半導體器件
8166-0178-0069 一種多選擇相干檢測方法
8166-0082-0070 成膜裝置
8166-0102-0071 模擬缺陷晶片和缺陷檢查處方作成方法
8166-0101-0072 連接構造體
8166-0020-0073 磁存儲器元件、磁存儲器及磁存儲器的制造方法
8166-0003-0074 不需打線之電子器件
8166-0213-0075 驅動裝置
8166-0187-0076 固定基片的裝置
8166-0034-0077 面發光裝置
8166-0019-0078 半導體發光二極管及其制備方法
8166-0096-0079 發光器件和電器
8166-0050-0080 用于制造混合式半導體器件的引線框架
8166-0085-0081 用于塑封的砷化鎵芯片鈍化方法
8166-0066-0082 散熱器制造裝置及方法
8166-0027-0083 使用粘結劑制造半導體器件
8166-0154-0084 利用溝道技術和介質浮柵的每單元8位的非易失性半導體存儲器結構
8166-0128-0085 蝕刻溶液,蝕刻制品和制造蝕刻制品的方法
8166-0064-0086 晶片保持架
8166-0152-0087 多晶硅電阻器及其制造方法
8166-0042-0088 多發射區擴散層接觸孔圓形構造
8166-0062-0089 發光二極管用磷進行波長轉換的方法和裝置
8166-0005-0090 具有可靠電連接的半導體器件
8166-0210-0091 帶自對準柵極的快閃存儲單元及其制造方法
8166-0174-0092 硅膜成形方法
8166-0115-0093 改進工藝窗口制作全自對準薄膜場效應晶體管的方法
8166-0153-0094 集成電路芯片、集成電路元件、印刷電路板及電子設備
8166-0176-0095 光產生電力裝置的制造方法
8166-0162-0096 混合熔絲技術
8166-0207-0097 發光器件
8166-0067-0098 從低缺陷密度的單晶硅上制備硅－絕緣體結構
8166-0125-0099 垂直MOS三極管及其制造方法
8166-0157-0100 太陽能電池模塊
8166-0163-0101 IC模塊處理裝置的冷卻系統
8166-0203-0102 表面安裝元件和表面安裝元件的安裝結構
8166-0084-0103 具有原位除去污物的離子束注入機
8166-0063-0104 其電極具有大量均勻邊沿的等離子聚合設備
8166-0182-0105 氫離子敏場效應管封裝方法
8166-0192-0106 藍寶石硅上的超高分辨率液晶顯示器
8166-0113-0107 堅固地粘附于下層的低阻硅化鎢膜和使用它的半導體器件
8166-0133-0108 用于X－射線成像的數字檢測器
8166-0001-0109 激光處理方法
8166-0206-0110 半導體裝置,液晶顯示裝置和它們的制造方法
8166-0159-0111 用作電源開關的碳化硅N溝場效應晶體管及其制造方法
8166-0076-0112 以氧化鋁為埋層的絕緣層上硅結構的襯底材料及制備方法
8166-0058-0113 半導體器件及其制造方法
8166-0060-0114 加工方法與裝置
8166-0052-0115 不易失存儲器
8166-0079-0116 具有平頂和陡邊響應的半導體光電探測器及實現方法
8166-0015-0117 半導體裝置及其制造方法
8166-0041-0118 半導體器件
8166-0075-0119 疊層柵式快閃存儲器的制造方法
8166-0141-0120 硅烷基多納米孔隙二氧化硅薄膜
8166-0037-0121 老化裝置的冷卻系統
8166-0035-0122 帶倒置的MISFET結構的超導場效應晶體管
8166-0108-0123 金屬互接件以及采用金屬互接件的有源矩陣基底
8166-0065-0124 具有改進的內部收氣的熱退火晶片
8166-0080-0125 制備光電探測器的方法
8166-0036-0126 成膜方法、半導體器件及制造方法、記錄媒體的制造方法
8166-0144-0127 高密度集成電路
8166-0045-0128 一種紅外探測器用的硅鍺/硅異質結材料
8166-0173-0129 硅氧化膜的形成方法
8166-0167-0130 半導體裝置的制造方法、半導體裝置、窄間距用連接器、靜電傳動器、壓電傳動器...
8166-0097-0131 用于熒光燈的壓電變壓器
8166-0040-0132 集成電路封裝的堆疊模組
8166-0127-0133 工件振動緩沖器
8166-0095-0134 增強太陽能電池發電量的方法
8166-0051-0135 用于降低集成電路中芯片開裂的方法
8166-0117-0136 半導體器件及其制造方法、層疊型半導體器件和電路基板
8166-0149-0137 清洗晶片用的盛器
8166-0089-0138 板狀體和半導體器件的制造方法
8166-0088-0139 組合式散熱片的制作方法及用該方法制的組合式散熱片
8166-0022-0140 用于涂敷和顯影的方法和系統
8166-0023-0141 半導體晶片及其制造方法
8166-0126-0142 高速半導體光電探測器
8166-0164-0143 布線基板、具有布線基板的半導體裝置及其制造和安裝方法
8166-0212-0144 熱電轉換材料及其制作方法
8166-0119-0145 引線框、半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
8166-0195-0146 半導體封裝及其倒裝芯片接合法
8166-0114-0147 半導體金屬蝕刻工藝的方法
8166-0204-0148 載帶自動鍵合式半導體裝置
8166-0068-0149 受熱表面上帶有突出部分的散熱器
8166-0121-0150 在絕緣體上硅中形成抗熔絲的結構和方法
8166-0069-0151 顯示裝置
8166-0047-0152 拋光體、拋光設備、拋光設備調節方法、拋光膜厚度或拋光終點測量方法及半導體...
8166-0024-0153 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
8166-0118-0154 具有浮置柵的內存組件的制造方法
8166-0104-0155 閃存的制造方法
8166-0190-0156 電聲換能器及其制造方法和使用該器件的電聲換能裝置
8166-0132-0157 存儲單元裝置
8166-0171-0158 靜電保護電路以及使用了該電路的半導體集成電路
8166-0191-0159 多層壓電元件及其制造方法
8166-0175-0160 硅膜的形成方法和噴墨用油墨組合物
8166-0218-0161 與晶軸對準的垂直側壁器件及其制造工藝
8166-0072-0162 半導體電路及其制造方法
8166-0081-0163 二分旋轉全組合材料合成方法
8166-0170-0164 薄膜晶體管的制造方法
8166-0172-0165 銅深腐蝕方法
8166-0214-0166 與硅具有穩定結晶界面的半導體結構的制造方法
8166-0098-0167 防止金屬腐蝕的半導體工藝的清洗方法
8166-0010-0168 軟式可膨脹伸縮的薄膜式熱管
8166-0139-0169 通過混合物流沉積的多納米孔隙二氧化硅
8166-0200-0170 電子束曝光方法
8166-0122-0171 具有集成電容器的霍耳效應傳感元件
8166-0147-0172 鐵電晶體管、其在存儲單元系統內的應用及其制法
8166-0007-0173 形成無鉛凸點互連的方法
8166-0039-0174 改進了的集成電路結構
8166-0217-0175 帶有包含可修整電容器的薄膜電路的模塊
8166-0073-0176 使半導體晶片適于使用液態導電材料的方法
8166-0044-0177 影像感測器封裝結構及其封裝方法
8166-0055-0178 立式器件中背面歐姆觸點的低溫形成方法
8166-0043-0179 具有分離柵的自對準雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管
8166-0093-0180 具備偏轉系統的陰極射線管裝置
8166-0006-0181 芯片封裝焊接用錫球的制造方法
8166-0197-0182 集成電路組件絲焊安裝至散熱器的技術
8166-0012-0183 半導體封裝及其制造方法
8166-0146-0184 晶體管陣列
8166-0030-0185 板狀體、引線框和半導體裝置的制造方法
8166-0180-0186 用于生產半導體器件的工藝
8166-0031-0187 采用碳素物質的可重寫數據存儲器及其寫/讀方法
8166-0070-0188 自掃描型發光裝置的掩模圖形設計方法
8166-0099-0189 一種鍍敷絕緣物質的方法
8166-0029-0190 板狀體及半導體裝置的制造方法
8166-0148-0191 玻璃的二氧化硅膜織構化
8166-0059-0192 生產晶體管的方法
8166-0177-0193 半導體器件及其制造方法
8166-0129-0194 蝕刻溶液,蝕刻制品和制造蝕刻制品的方法
8166-0116-0195 半導體器件的制造方法
8166-0053-0196 光生伏打裝置
8166-0145-0197 半導體電路裝置
8166-0120-0198 半導體裝置及其制造方法
8166-0092-0199 半導體電路裝置及其制造方法
8166-0138-0200 金屬用研磨液及研磨方法
8166-0168-0201 壓電的彎曲變換器和由多個壓電的彎曲變換器組成的組件
8166-0111-0202 發光二極管燈
8166-0105-0203 半導體元件連接用金線及半導體元件的連接方法
8166-0013-0204 集成電路元件用連接模塊及適用于它的集成電路元件
8166-0201-0205 加強埋置溝道P場效應晶體管性能和可靠性的深草皮掩模
8166-0134-0206 超導晶體管配置和相關方法
8166-0185-0207 多層光生伏特器件或光電導器件
8166-0216-0208 半導體器件及其制造方法
8166-0094-0209 光學接收器
8166-0179-0210 散熱器及其制造方法
8166-0021-0211 半導體襯底及其制造方法
8166-0198-0212 一種用一連續頂部電極匹配電容器陣列的改進的布局技術
8166-0205-0213 用于消除浮體效應的SOI半導體集成電路及其制造方法
8166-0124-0214 自發光器件及采用自發光器件的電氣設備
8166-0028-0215 半導體集成電路器件的制造方法
8166-0150-0216 氫損壞的鐵電薄膜的惰性氣體恢復性退火
8166-0160-0217 固體攝像裝置及固體攝像元件
8166-0156-0218 受光器件陣列和受光器件陣列芯片
8166-0219-0219 多級快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
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