半導體|制造半導體器件|半導體芯片|半導體存儲生產技術工藝（168元/全套）歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；；資料（光盤）編號：F400435
敬告：我公司提供技術資料均更新到客戶購買當日的最新最全數據，不提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8180-0129-0001 光接收裝置
摘要 本發明提供一種和以前相比，光檢測靈敏度更高，光遙控接收裝置的接收距離更長的光接收裝置。在由Ｎ型雜質區域構成的受光部形成在其中的Ｐ型半導體襯底上，形成第１Ｐ型雜質區域來作為消除電磁噪聲的屏蔽部。該屏蔽部呈網格狀覆蓋受光部的一部分表面，以防止因它和受光部相互接觸而引起的自發噪聲過大。并且，形成比受光部深的第２Ｐ型雜質區域來包圍第１Ｐ型雜質區域，以便消除來自半導體襯底側面的電磁噪聲。
8180-0145-0002 壓電變壓器
摘要 一種壓電變壓器具有在其底面上露出的輸入和輸出端電極（１２ｃ，１２ｄ，１３ｃ，１３ｄ）。端電極與柔性印刷電路（１８）的連接部分（１５ａ－１５ｄ）機械和電連接，以便與外部電路連接。該變壓器固定于彼此配合的底座元件（２１ｂ，２２）和上蓋（２１ａ，２３，２５）之間。底座元件可以是其上將安裝變壓器的電路板。
8180-0077-0003 清洗裝置及清洗方法
本發明的目的是提供一種在干燥處理時不受藥液處理的惡劣影響，能夠實現設計自由度高，清洗裝置高速化及裝置小型化的清洗裝置及清洗方法。該裝置構成是，將干燥室４２和清洗槽４１分別上下分離，同時使干燥室４２的空間與清洗槽４１的空間可以由氮氣幕５９ｃ及閘門７２遮蔽，清洗槽４１中的清洗處理由氮氣幕５９ｃ進行遮蔽，而干燥室４２中的干燥處理則由閘門７２來封閉?遮蔽。
8180-0042-0004 集成電路裝置及其制造方法
摘要 本發明涉及一種集成電路裝置，它包括（ｉ）襯底；（ｉｉ）位于襯底上的金屬電路線和（ｉｉｉ）位于電路線附近的電介質材料。電介質材料包括高度支化聚合物和有機聚硅氧烷的反應產物。
8180-0148-0005 樹脂封裝型半導體裝置及其制造方法
摘要 樹脂封裝型半導體裝置（１００），包含：元件安裝部分（１０），具有元件設置面；半導體元件（２０），接合在上述元件設置面（１２）上；多條引線（３０），相對于該半導體元件（２０）分開地設置；引線框（３６），被設置在這些引線（３０）以及半導體元件（２０）之間的位置上；封裝各種導線（４０）、密封元件安裝部分（１０）、半導體元件（２０）、引線（３０）的一部分以及上述引線框（３６）的樹脂封裝部分。上述引線（３０）具有和引線框（３６）不連續的第１內部引線（３２ａ），和與引線框（３６）一體的連續的第２內部引線（３２ｂ）。$該樹脂封裝半導體裝置，不僅具有高散熱特性、可靠性高，并且由于謀求引線的共有化，因此可以進行布線設計的自由度高的導線鍵合。
8180-0108-0006 包含光電子電路的晶片及該晶片的檢驗方法
摘要 一種晶片（１０），包括若干第一類型的集成光電子電路（１１），上述第一類型的電路每個都包括電子模塊（１３）和至少第一光電二極管（１４）。$所述晶片（１０）的特征在于還包括至少一個第二類型的集成光電子電路（２１），其包括電子模塊（２３），至少一個第二光電二極管（２４）以及至少一個用于連接外部測量裝置的焊盤（２５），所述至少一個焊盤（２５）是重疊在所述至少一個第二光電二極管（２４）之上，使得所述至少一個第二類型的電路（２１）可以用作檢驗制造所述晶片的電路。
8180-0076-0007 免蒸鍍的硬式帶式自動焊接封裝方法
摘要 一種免蒸鍍的硬式ＴＡＢ封裝方法，主要是以一覆蓋溶劑型干膜、覆蓋水溶性干膜／半蝕刻、選擇性鍍鎳金、去除溶劑型干膜／鍍鎳金、去除水溶性干膜／壓合絕緣膜／蝕刻絕緣膜、補膠／鍍錫球、蝕銅片／剝鎳、除膠／加硬板、植芯片、灌膠等步驟組成，其中，通過對底部支撐銅片進行半蝕刻與選擇性鍍鎳金的步驟后，即形成供芯片連結的電鍍凸點，可改善傳統濺鍍形成凸點的作業緩慢問題，以形成一種新型態的硬式ＴＡＢ封裝方法。
8180-0011-0008 分路光電二極管
摘要 一種分路光電二極管，包括：半導體基板；形成于其表面上的半導體層；在該基板中的諸區域內形成的諸隔離擴散區，使各隔離擴散區分別從半導體層表面伸展到該半導體基板表面下的區域，以將該半導體層分成至少三個半導體區域。在除位于借助分隔區彼此相鄰的所述多個半導體區域組合中的分隔區內的特定隔離擴散區以外的其余隔離擴散區下面形成第一埋置擴散區，并通過加給反偏壓而抑制所述其余隔離擴散區域下的區域內半導體基板的消耗。
8180-0198-0009 半導體元件的制造方法
摘要 一種半導體元件的制造方法，包括先沉積摻雜多晶硅層，對多晶硅層構圖，以決定電容器下電極的范圍，然后沉積第一半球狀硅晶粒層。干擾第一層ＨＳＧ－Ｓｉ的生長，以進行第二層ＨＳＧ－Ｓｉ的生長。從而可形成接觸面積很大的多晶硅表面結構。
8180-0151-0010 半導體晶片暴露表面的修整方法
摘要 一種半導體晶片暴露表面的修整方法，它包括如下步驟：（ａ）使所述表面與三維、有網紋、粘固的磨料制品接觸，所述的磨料制品含有按預定圖案形式排列的許多磨料顆粒和粘結劑；（ｂ）使所述半導體晶片與所述粘固磨料制品作相對運動，以修整所述半導體晶片的表面。
8180-0061-0011 磷化鎵綠色發光器件
8180-0051-0012 制作半導體器件中多層互連的方法
8180-0130-0013 金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法
8180-0169-0014 減少電荷的薄膜,圖象形成裝置及其制造方法
8180-0035-0015 發光顯示元件和往電布線基片上連接的方法、及制造方法
8180-0111-0016 用于網格焊球陣列的頂裝式插座
8180-0065-0017 半導體器件
8180-0010-0018 復合結構的晶體管制造方法及晶體管
8180-0043-0019 在同一襯底上具有N和P型場效應晶體管的半導體器件
8180-0160-0020 電極為金屬合金的半導體器件
8180-0152-0021 拋光方法和設備
8180-0066-0022 半導體器件及其制造方法
8180-0213-0023 太陽能電池組件
8180-0032-0024 制造只讀存儲器單元陣列的方法
8180-0195-0025 自動對準硅化物的制造方法
8180-0193-0026 半導體集成電路和同步動態隨機存儲器核心的測試方法
8180-0189-0027 半導體量子振蕩器件
8180-0123-0028 晶片處理裝置、晶片處理方法和絕緣體上硅晶片制造方法
8180-0075-0029 晶片接合方法與裝置
8180-0211-0030 提升式干燥方法以及干燥裝置
8180-0012-0031 半導體集成電路器件
8180-0204-0032 薄膜形成工藝
8180-0115-0033 場效應晶體管
8180-0106-0034 載體薄片和使用了載體薄片的集成電路裝置
8180-0026-0035 刻蝕方法、結晶生長方法和半導體器件的制造方法
8180-0218-0036 含大量絕緣柵場效應晶體管的高集成電路半導體器件
8180-0024-0037 球陣式集成電路封裝方法
8180-0212-0038 太陽能電池組件
8180-0023-0039 包含助焊劑的選擇填充粘附膜
8180-0095-0040 一種制造薄膜晶體管和電子器件的方法
8180-0157-0041 半導體器件及其控制方法
8180-0029-0042 包含浮柵MOSFET的光探測器
8180-0192-0043 能夠提高存取速度的靜態半導體存儲器裝置
8180-0016-0044 倒裝片安裝
8180-0117-0045 半導體器件及其制造方法
8180-0094-0046 帶電粒子束曝光方法和在晶片上形成圖形的方法
8180-0217-0047 半導體集成電路裝置
8180-0006-0048 帶有氮化鎵有源層的雙異質結發光二極管
8180-0142-0049 半導體器件的制造方法
8180-0009-0050 半導體發光元件及其制作方法
8180-0037-0051 光伏器件
8180-0070-0052 電子部件及其制造方法
8180-0025-0053 半導體器件鉑膜的刻蝕方法
8180-0158-0054 半導體器件
8180-0188-0055 光電池
8180-0191-0056 半導體器件
8180-0183-0057 槽型元件分離結構的制造方法以及槽型元件
8180-0207-0058 制造一種EEPROM-半導體結構的方法
8180-0089-0059 帶載組合件
8180-0118-0060 具有低電阻區的半導體器件及其制造方法
8180-0144-0061 半導體器件的制造方法
8180-0058-0062 散熱器
8180-0110-0063 半導體異質結構及其制造方法以及半導體裝置
8180-0105-0064 引線框的加工裝置和加工方法
8180-0173-0065 用化學機械拋光除去旋涂介質的速率情況
8180-0185-0066 一種層間絕緣膜受到保護的半導體器件和制作方法
8180-0200-0067 利用平面化技術制造半導體器件的方法
8180-0164-0068 篩測集成電路芯片用電路板及已知合格管芯的制造方法
8180-0055-0069 半導體器件
8180-0116-0070 半導體裝置及其制造方法
8180-0085-0071 非易失性半導體存儲器件的擦除方法
8180-0134-0072 具有難熔金屬覆蓋的低阻金屬導體線路和通路的器件
8180-0059-0073 半導體器件
8180-0071-0074 堆疊式半導體芯片封裝及其制造方法
8180-0154-0075 太陽能電池組件及其制造方法
8180-0056-0076 薄膜晶體管的制造方法、使用該方法的液晶顯示裝置和電子設備
8180-0079-0077 薄膜形成工藝
8180-0135-0078 芯片上引線及標準常規引線的組合結構的半導體芯片封裝
8180-0121-0079 制造半導體器件的電容器的方法
8180-0047-0080 樹脂密封型半導體器件
8180-0102-0081 數據線與電源線平行的靜態半導體存儲器件
8180-0209-0082 電子組件結構體
8180-0208-0083 半導體晶片加工用粘合劑和膠帶
8180-0103-0084 半導體器件中的互連系統
8180-0141-0085 半導體器件檢測裝置
8180-0190-0086 半導體器件
8180-0092-0087 半導體器件的等離子體處理方法及制造方法
8180-0175-0088 半導體裝置
8180-0087-0089 金屬氧化物半導體場效應晶體管結構及其制造方法
8180-0184-0090 可用氫離子改變其閾值電壓的場效應晶體管的制造工藝
8180-0136-0091 半導體器件及其制造方法
8180-0068-0092 具有多層鍍層的半導體引線框架及其制造方法
8180-0177-0093 改進的固態圖像傳感元件,其制造方法和含其的傳感器件
8180-0013-0094 半導體器件及其制造方法
8180-0202-0095 離子注入方法及裝置
8180-0004-0096 一種通過控制材料的孿晶結構取向而產生移動和力的方法及其應用
8180-0149-0097 半導體芯片與至少一個接觸面的電連接方法
8180-0031-0098 半導體器件用的絕緣薄膜
8180-0174-0099 光電子材料、使用該材料的器件和制造光電子材料的方法
8180-0007-0100 帶有至少兩個彼此絕緣的元件的集成電路裝置及其生產方法
8180-0203-0101 離子注入過程模擬裝置和模擬方法
8180-0180-0102 半導體集成電路
8180-0020-0103 集成電路裝卸裝置及其裝卸頭
8180-0088-0104 半導體器件及其制造方法
8180-0147-0105 光電二極管及其制造方法
8180-0178-0106 用于電子游戲機的中央處理單元芯片部件及其安裝機座
8180-0182-0107 利用化學機械拋光工藝的半導體器件制造方法
8180-0015-0108 電力半導體自由集成架
8180-0104-0109 半導體裝置、裝配方法、電路基板和柔軟基板及制造方法
8180-0084-0110 外延晶片及其制造方法以及具有增強亮度的發光二極管
8180-0215-0111 有相互接觸的n型和P型導電區的半導體集成電路器件
8180-0003-0112 半導體材料集成微結構及其制造方法
8180-0132-0113 半導體器件及其制造方法
8180-0161-0114 半導體器件
8180-0034-0115 壓電器件的端子
8180-0062-0116 固體攝像器件及其驅動方法和制造方法
8180-0022-0117 測試模式的檢測裝置與方法
8180-0143-0118 用PVD和CVD法形成難熔金屬覆蓋的低阻金屬導體線與通路
8180-0125-0119 固體攝象裝置及其制造方法
8180-0127-0120 多重量子阱結構的光電子器件
8180-0120-0121 半導體器件
8180-0140-0122 難劃片材料的劃片和裂片的改進
8180-0080-0123 具有極化兼容緩沖層的金屬絕緣體半導體結構
8180-0101-0124 半導體存儲器的布局結構
8180-0138-0125 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
8180-0214-0126 場效應晶體管及其制造方法
8180-0097-0127 浮柵非易失性存儲器和制造這種器件的方法
8180-0093-0128 半導體器件的制備方法及用該方法形成的多層布線結構
8180-0167-0129 在冰上粉碎超純硅
8180-0122-0130 晶片處理、傳送和半導體制造裝置及晶片處理和襯底制法
8180-0133-0131 半導體器件
8180-0091-0132 在半導體器件內制作內連線的方法
8180-0206-0133 半導體波導型感光元件及其制造方法
8180-0099-0134 硅/鍺硅垂直結型場效應晶體管
8180-0028-0135 半導體產品的制造工藝
8180-0090-0136 半導體器件及其制造方法
8180-0033-0137 制造PIC(功率集成電路)器件的方法以及這種方法制造的PIC器件
8180-0196-0138 半導體裝置及其制造方法
8180-0054-0139 半導體發光器件及其制造方法
8180-0030-0140 隧道效應器件及其制造方法
8180-0201-0141 歐姆電極的形成方法及半導體裝置
8180-0045-0142 半導體器件中的互連系統
8180-0078-0143 半導體器件中不同種導電層的拋光工藝
8180-0018-0144 球陣式集成電路封裝方法及封裝件
8180-0017-0145 集成電路的自動焊接封裝方法
8180-0171-0146 用于制造快速電可擦可編只讀存儲器的存儲單元陣列的源區的方法
8180-0172-0147 倒裝片安裝設備的集成電路芯片剔出裝置
8180-0069-0148 半導體器件及其制造方法
8180-0109-0149 部分一次射束電子束曝光的掩摸與方法
8180-0162-0150 具有不對稱通道摻雜劑輪廓的器件
8180-0057-0151 成像系統及方法
8180-0146-0152 壓電振子部件、壓電振子支撐結構和壓電振子安裝方法
8180-0052-0153 具有鈦膜的半導體器件制造工藝
8180-0159-0154 一種半導體器件引線框架及引線接合法
8180-0019-0155 雙層多晶CMOS數模混合集成電路及其制造方法
8180-0064-0156 功率晶體管模塊的組裝結構
8180-0021-0157 集成電路的測試方法與裝置
8180-0005-0158 熱電組件的制造方法
8180-0197-0159 用于半導體芯片封裝的柔韌帶基片和制造這種封裝的方法
8180-0060-0160 半導體器件
8180-0048-0161 改進的聚四氟乙烯薄膜芯片載體
8180-0139-0162 薄膜半導體集成電路及其制造方法
8180-0074-0163 電子器件的制造工藝
8180-0119-0164 半導體器件、半導體裝置和它們的制造方法
8180-0153-0165 帶有晶圓片表面保護裝置的半導體處理設備
8180-0126-0166 半導體發光元件及其制造方法
8180-0176-0167 半導體結構及其形成方法
8180-0039-0168 薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板及液晶顯示裝置
8180-0041-0169 晶體管、晶體管陣列、制造晶體管陣列的方法和非易失半導體存儲器
8180-0124-0170 半導體裝置及備有它的電子機器
8180-0128-0171 制造半導體構件的方法和制造太陽電池的方法
8180-0168-0172 將半導體襯底對準底座臺的方法及實施該方法的裝置
8180-0050-0173 具有電容元件的半導體裝置及其制造方法
8180-0131-0174 一種靜電感應器件及其制造方法
8180-0040-0175 具有改進結構并減小所占面積的半導體器件及其制造方法
8180-0098-0176 有特定摻雜層的光電元件
8180-0027-0177 半導體存儲器件
8180-0053-0178 制作用于電子束繪圖的電子束掩模的方法和制作該掩模的裝置
8180-0137-0179 引線框、半導體器件及該半導體器件的制造工藝
8180-0170-0180 薄膜晶體管及其制造方法和使用該薄膜晶體管的電路和液晶顯示裝置
8180-0112-0181 干燥硅的方法
8180-0038-0182 場效應晶體管及其制造方法
8180-0008-0183 半導體芯片及半導體芯片的制造方法
8180-0014-0184 單片混合型半導體集成電路器件及其檢查方法
8180-0002-0185 半導體集成電路
8180-0049-0186 硅化物層和絕緣層之間不發生分離的半導體器件加工工藝
8180-0194-0187 在基底上制作具有電荷存儲電容的存儲元件的方法
8180-0166-0188 抗反射膜材料以及利用所述材料制造半導體器件的方法
8180-0187-0189 帶有低電阻連接電極半導體器件的制造方法
8180-0096-0190 半導體襯底及其制造工藝以及在其上制作的電子器件
8180-0210-0191 半導體元件的安裝方法
8180-0156-0192 互補金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法
8180-0216-0193 非易失存儲器件及其制造方法
8180-0036-0194 氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
8180-0046-0195 半導體裝置及其制造方法和其測試方法
8180-0199-0196 半導體器件的制造方法
8180-0086-0197 半導體器件
8180-0205-0198 半導體器件的制造方法
8180-0113-0199 磁阻膜
8180-0073-0200 球點陣半導體器件外殼及其制造工藝
8180-0067-0201 引線框及用此引線框來制造半導體器件的方法
8180-0186-0202 半導體清洗液以及使用其制造半導體器件的方法
8180-0082-0203 電子元件及其制造方法
8180-0063-0204 具有防潮隔膜的半導體器件
8180-0001-0205 半導體基片和制造半導體器件的方法
8180-0083-0206 用極化輻照和背面輻照方法清除物質
8180-0114-0207 太陽能電池組件
8180-0072-0208 半導體器件的封裝體
8180-0081-0209 用于粘合電子器件的可變形基片部件
8180-0179-0210 半導體存貯器件
8180-0044-0211 電子器件
8180-0163-0212 集成電路裝置的合格率估算方法
8180-0165-0213 雙重模式微波/毫米波集成電路封裝
8180-0100-0214 半導體器件及其制造方法
8180-0181-0215 塑料封裝的半導體器件及其制造方法
8180-0155-0216 柵控混合管及其制備方法
8180-0150-0217 利用引線變形連接多個微電子元件
8180-0107-0218 制造互補MOS半導體器件的方法
8180-0219-0219 半導體器件的金屬化
查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）

金博技術資料網（http://www.667298.com）
購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）

本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913    收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417     收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中國    銀行：418330501880227509    戶  名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站   收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電  話：0414-2114320   3130161
手  機：13941407298   13050204739
客服QQ：547978981    824312550   517161662

敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。

本公司經營技術、資料、工藝、配方，質量保證，歡迎咨詢洽談。