半導體|半導體晶片|半導體存儲|半導體元件生產技術工藝（168元/全套）歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；；資料（光盤）編號：F400427
敬告：我公司提供技術資料均更新到客戶購買當日的最新最全數據，不提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8172-0147-0001 具有光電轉換能級距離的白色發光二極管及其制作方法
摘要 一種具有兩個以上的光電轉換能級距離的白色發光二極管及其制作方法，主要是利用晶體的取向生長形成ＰＮ二極管時，借由調變晶體取向生長時的溫度、壓力、氨氣流流量、載子氣體比例、或加入鎂、硅等摻雜質，在特定的參數范圍內，使ＰＮ二極管接面的發光光譜具有兩個主波峰，然后控制主波峰的發光波長及強度，即可調變出白光。另外，亦可利用在ＰＮ二極管結構中，成長量子井結構，同樣調變晶體取向生長時的參數，使量子井結構的發光光譜具不同的主波峰，借由結合兩個或三個主波峰以調變出白光。
8172-0018-0002 電源電路和半導體芯片的設計方法
摘要 一種根據本發明的電源電路是形成于一半導體芯片上的電源電路，它包括：輸出一電源電壓的輸出晶體管部分；和用來控制輸出晶體管部分的控制電路。輸出晶體管部分設置在半導體芯片的外部輸入／輸出端附近。
8172-0069-0003 長波限電調節紅外光攝像靶
本發明涉及一種用半導體加工制備的，用于光電設備中的長波限電調節紅外光攝像靶，以高阻抗的半導體硅（或鍺）材料為襯底，經氧化、光刻、擴散形成集電區，再反復多次氧化、光刻、擴散形成基區和極薄的發射區，構成Ｎ+PN－結構的光敏單元，再將多個光敏單元陣列與時序電路集成于同一半導體芯片上形成紅外光攝像靶，調節外電壓可使長波限隨之變化，達到采集彩色信息的效果，其工藝成熟、簡單，性能穩定可靠，是紅外遙感、遙測技術所需的理想器件。
8172-0109-0004 半導體元件安裝用中繼基板的制造方法
摘要 按照本發明，不使用沖模以機械方式在中繼基板上開孔，利用刻蝕使各母板連接電極在導電性方面互相獨立，而且能盡可能縮短電鍍引線。
8172-0208-0005 薄膜半導體器件的制造方法
摘要 為了利用可以使用廉價的玻璃基板的低溫處理來制造高性能的薄膜半導體器件，在不到４５０℃的溫度下形成硅膜、結晶化之后、在最高工作溫度為３５０℃以下的條件下制造了薄膜半導體器件。當將本發明用于有源矩陣液晶顯示器件的制造時，可以容易而且穩定地制造出大型高質量的液晶顯示器件。而且，當用于其他的電子電路的制造時也可以容易而穩定地制造出高質量的電子電路。
8172-0168-0006 形成受控深溝槽頂部隔離層的裝置和方法
摘要 用以控制半導體存儲器的深溝槽中隔離層厚度的方法包括以下步驟：形成深溝槽，在深溝槽中形成具有埋層帶的存儲節點；在埋層帶上淀積隔離層，用來為存儲節點提供電隔離；在隔離層上形成用來掩蔽隔離層的與埋層帶接觸的部分的掩蔽層；以及去除隔離層的除了由掩蔽層掩蔽的部分之外的部分，從而改善對隔離層的厚度的控制。還包括制造垂直晶體管的方法：使基片凹進，使得可以增加晶體管溝道與埋層帶向外擴散部分之間的重疊。還公開一種半導體存儲器。
8172-0073-0007 半導體裝置
摘要 由于作成下述的結構，即，具備：在其周邊部上形成了多個電極的半導體元件３；外部連接用的多條引線６，對應于多個電極５的每一個而被配置，用導線８進行連接；以及用樹脂材料密封了半導體元件３和多條引線６的封裝體本體１，多條引線６朝向封裝體本體１的被插入插座中的一側的底面延伸，交替地被彎曲成凸形狀和凹形狀，凸形狀部的頂點面和凹形狀部的底面在封裝體本體的表面上露出，故成為外部連接用電極２的部分（即，凸形狀部的頂點面和凹形狀部的底面）的間距變寬，可增大外部連接用電極２的面積，可提高接觸可靠性。$或者，即使減小引線間距，也能確保必要的外部連接用電極２的面積，通過減小引線間距，可謀求封裝體的小型化。
8172-0081-0008 穩定絕緣體基半導體器件的方法及絕緣體基半導體器件
摘要 一種穩定ＳＯＩ半導體器件的方法，包括以下步驟：提供ＳＯＩ半導體器件，該器件由包括支撐基片的ＳＯＩ襯底、在支撐基片上形成的埋置絕緣膜、在埋置絕緣膜上形成的表面半導體層、形成在表面半導體層中的源／漏區、在源／漏區之間的表面半導體層上形成的柵極構成，柵絕緣膜介于柵極和表面半導體層之間；在支撐基片和源／漏區中的一個之間施加電應力，由此在半導體表面層一側形成抵達埋置絕緣膜的后溝道，由此至少在所述源／漏區中的一個和埋置絕緣膜一側中的表面半導體層之間的界面附近引入捕獲電位。
8172-0056-0009 壓電變壓器元件及將其裝入外殼的方法
摘要 形成在縱向上的外殼（３１）的端面上的安裝端子（３２—３４）分別靠在外部電極（１，２），其被形成在縱向上的壓電元件的端面上且用來施加輸入電壓，及用于取出輸出電壓的外部電極（３）。這些被靠著的部分以焊接或導電粘著劑被固定，以電氣地連接安裝端子至外部電極，并固定外殼（３１）內部的壓電元件（６）。
8172-0142-0010 減少粘合劑摻出的芯片連接
摘要 將其上具有金屬電路及導線焊接片的有機芯片載體用光固化粘合劑連接到集成電路芯片上，并用引線接合法電連接到導線焊接片上。
8172-0165-0011 半導體電路及其制造方法
8172-0186-0012 形成自對準接觸的方法
8172-0011-0013 電光器件和電子設備
8172-0189-0014 晶體生長工藝和半導體器件及其制造方法
8172-0123-0015 模制樹脂以密封電子元件的方法及裝置
8172-0003-0016 疊層電容器存儲單元及其制造方法
8172-0028-0017 形成存儲電容器的方法
8172-0163-0018 半導體器件及其制造方法
8172-0088-0019 半導體器件設計方法和裝置，及存儲有宏信息的存儲介質
8172-0205-0020 動態隨機存取存儲器電容器的制造方法
8172-0112-0021 太陽能電池組件、其安裝方法及用該組件的太陽能發電機
8172-0079-0022 電荷耦合器件影像感測裝置的電荷移轉方法
8172-0048-0023 高頻用半導體封裝體
8172-0160-0024 半導體設備的安裝結構和安裝方法
8172-0041-0025 光電模塊及其制造方法
8172-0211-0026 對準集成電路管芯用的基準
8172-0119-0027 晶片規模封裝結構及其內使用的電路板
8172-0070-0028 電子束曝光掩模和用該掩模制造半導體器件的方法
8172-0117-0029 半導體保護器件和功率轉換器件
8172-0181-0030 半導體器件
8172-0150-0031 制造高密度半導體存儲器件的方法
8172-0173-0032 半導體層制造方法和制造設備、光生伏打電池的制造方法
8172-0050-0033 太陽能電池組件陣列的裝配結構、方法及電能生成系統
8172-0149-0034 半導體器件及制造該半導體器件的方法
8172-0076-0035 介電元件的制造方法
8172-0130-0036 光電元件
8172-0020-0037 壓電變壓器元件的安裝結構和安裝方法
8172-0136-0038 碳納米管的組裝技術及電子器件
8172-0212-0039 高亮度發光二極管
8172-0183-0040 半導體器件及其制造方法
8172-0134-0041 芯片尺寸封裝及其制造方法
8172-0164-0042 具有外延掩埋層的溝槽電容器
8172-0061-0043 半導體元件的導線貼帶裝置及其組裝方法
8172-0004-0044 動態隨機存取存儲器
8172-0067-0045 半導體器件及其制造方法
8172-0022-0046 利用摻雜技術減薄高亮度發光二極管芯片窗口層的方法
8172-0185-0047 倒裝片電子封裝件的柔順表面層及其制作方法
8172-0027-0048 維持密碼于集成電路封裝內部的裝置及方法
8172-0216-0049 多晶片半導體封裝結構及制法
8172-0188-0050 調節半導體元件中的載體壽命的方法
8172-0090-0051 半導體器件及其制造方法
8172-0137-0052 半導體器件的形成方法
8172-0032-0053 半導體器件中降低柵致漏極漏電流
8172-0080-0054 象限模式互補型金屬氧化物半導體攝象成象傳感器
8172-0052-0055 帶有絕緣環的溝槽式電容器和相應的制造方法
8172-0127-0056 注入氫負離子的方法及注入設備
8172-0015-0057 對集成電路導體進行構圖的方法
8172-0108-0058 接合柵格陣列（LGA）夾緊機構
8172-0042-0059 鐵電體存儲裝置及其制造方法
8172-0091-0060 具有內部氧源的鐵電隨機存儲單元及釋放氧的方法
8172-0113-0061 場效應晶體管
8172-0097-0062 提供雙功函數摻雜的方法及保護絕緣帽蓋
8172-0146-0063 半導體襯底、半導體薄膜以及多層結構的制造工藝
8172-0217-0064 防短路的絕緣柵極雙極晶體管模塊
8172-0059-0065 一種新結構薄膜熱電堆
8172-0094-0066 具有元件分離絕緣膜的半導體裝置的制造方法
8172-0100-0067 光學輻照裝置
8172-0140-0068 改善溝槽電容器中掩埋帶的控制的方法和裝置
8172-0017-0069 具有線性傳送系統的半導體處理裝置
8172-0214-0070 埋入器件層的可控性的改善
8172-0121-0071 堆疊形動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法
8172-0129-0072 使化合物半導體層激活成為P-型化合物半導體層的方法
8172-0045-0073 形成單晶硅層的方法和制造半導體器件的方法
8172-0072-0074 用于加工晶片的設備
8172-0025-0075 太陽能電池組件及帶該電池的屋頂和該電池電能發生系統
8172-0058-0076 薄膜壓電裝置
8172-0013-0077 在微電子元件的制造過程中用于控制工件表面暴露于處理液的裝置和方法
8172-0154-0078 互補金屬氧化物半導體器件及其形成方法
8172-0131-0079 半導體器件和制造方法
8172-0133-0080 MIS半導體器件及其制造方法
8172-0124-0081 帶有有利于表面狀態鈍化的層的器件結構
8172-0151-0082 產生構圖材料層的方法
8172-0083-0083 半導體裝置及其制造方法
8172-0107-0084 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
8172-0145-0085 制造化合物半導體膜的氧化物基方法和制造有關電子器件
8172-0207-0086 改進的臨界尺寸控制
8172-0102-0087 有機光敏光電器件
8172-0098-0088 制造光電器件的方法
8172-0174-0089 移相掩模及其制造方法
8172-0063-0090 在半導體晶片化學機械拋光時輸送拋光液的系統
8172-0075-0091 半導體裝置及其制造方法
8172-0218-0092 增強雪崩型絕緣體基硅互補金屬氧化物半導體器件的設計
8172-0024-0093 A1GalnP系的發光二極管和用于制作該二極管的外延片
8172-0040-0094 控制容性執行機構的方法和裝置
8172-0215-0095 薄膜電阻器的制作方法
8172-0021-0096 薄膜二端元件、其制造方法和液晶顯示裝置
8172-0060-0097 光電轉換器件的制造方法和用該方法制造的光電轉換器件
8172-0055-0098 磁隧道器件、其制造方法及磁頭
8172-0132-0099 半導體存儲器及其制造方法
8172-0155-0100 疊狀電容器的錐形電極
8172-0158-0101 改進型有源矩陣ESD防護和測試方案
8172-0078-0102 晶體管及其制造方法
8172-0184-0103 用于隔絕濕敏塑料球柵陣列組件的方法和設備
8172-0197-0104 半導體集成電路器件的制造工藝
8172-0128-0105 白色光發光二極管和中性色發光二極管
8172-0194-0106 集成電路封裝盒的保全結構
8172-0005-0107 絕緣體基外延硅工藝中雙重深度氧化層的結構和方法
8172-0014-0108 通過注入摻雜制成的碳化硅半導體的熱修復法
8172-0096-0109 半導體器件的制造方法
8172-0182-0110 半導體集成電路及其制造方法
8172-0196-0111 對半導體模塊的爆炸保護
8172-0209-0112 半導體襯底及其制備方法
8172-0210-0113 具有彈性觸點的倒裝片型連接
8172-0157-0114 壓電/電致伸縮器件
8172-0099-0115 利用犧牲層調諧的壓電諧振器
8172-0193-0116 芯片尺寸封裝和制備晶片級的芯片尺寸封裝的方法
8172-0038-0117 制造圓柱形電容器下電極的方法
8172-0172-0118 形成電介質層的方法
8172-0190-0119 半導體器件的制造方法及半導體器件
8172-0166-0120 半導體封裝用樹脂組合物
8172-0077-0121 有機電致發光器件的封裝方法
8172-0162-0122 一種全電極陶瓷驅動器的制備技術
8172-0191-0123 具有迭式電容器的動態隨機存取存儲器及其制作方法
8172-0053-0124 發光器件及其制造方法
8172-0171-0125 銅基材料表層的機械化學拋光方法
8172-0213-0126 實際安裝光鏈路的發送或接收模塊的方法及其剛性的可彎曲板
8172-0122-0127 分選互補金屬氧化物半導體芯片的非接觸、非侵入方法
8172-0135-0128 用來夾持具有多平行接腳集成電路的集成電路座
8172-0036-0129 CMOS半導體集成電路
8172-0159-0130 制備薄硅膜的方法
8172-0206-0131 制造一個半導體元件的方法
8172-0143-0132 無后侵蝕地構圖導線的工藝及用于該工藝的設備
8172-0051-0133 半導體集成電路的參考型輸入第一級電路
8172-0089-0134 一種發光二極管單元體制造方法
8172-0152-0135 半導體裝置及其制造方法
8172-0085-0136 多晶硅二極管的靜電放電保護裝置
8172-0138-0137 半導體的自對準生成件及其方法
8172-0095-0138 充電測定裝置
8172-0071-0139 半導體器件的制造方法
8172-0144-0140 半導體器件及其制造方法
8172-0141-0141 連接兩個電子元件的裝置和方法
8172-0178-0142 光電傳感元件
8172-0126-0143 金屬間介質半導體制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅蓋層
8172-0054-0144 集成電路封裝用的芯片級球形格柵陣列
8172-0179-0145 半導體雜質的激活方法以及激活裝置
8172-0023-0146 一種用氧化鋅作為高亮度發光二極管芯片窗口層的生產方法
8172-0039-0147 半導體器件柵帽與柵足自對準的T形柵加工方法
8172-0008-0148 半導體模件
8172-0116-0149 含集成在表面配有平線圈的基片上的電路的微型結構
8172-0167-0150 半導體器件的制作方法
8172-0074-0151 封裝基板
8172-0057-0152 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
8172-0030-0153 太陽能電池
8172-0068-0154 半導體裝置的制造方法
8172-0203-0155 內場助金屬超微粒子/介質復合光電發射薄膜及應用
8172-0103-0156 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
8172-0066-0157 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
8172-0034-0158 包括鎢侵蝕抑制劑的拋光組合物
8172-0035-0159 用于紅外發光二極管的外延生長晶片和紅外發光二極管
8172-0016-0160 半導體裝置及其制造方法
8172-0049-0161 載帶及載帶型半導體裝置的制造方法
8172-0204-0162 半導體器件
8172-0114-0163 非易失性半導體存儲器件及其制造工藝
8172-0199-0164 半導體制程用的化學機械研磨組合物
8172-0192-0165 閃爍存儲器、其寫入和刪除方法及其制造方法
8172-0065-0166 半導體器件及其制造方法
8172-0009-0167 一種波折式翅片散熱器及使用這種散熱器的熱交換器
8172-0086-0168 含有導電熔絲的半導體結構及其制造方法
8172-0198-0169 使用半球形晶粒硅制造電容器的方法
8172-0180-0170 低壓有源半導體體器件
8172-0002-0171 形成半導體裝置的折射－金屬－硅化物層的方法
8172-0170-0172 半導體裝置及其制造方法及裝置、電路基板和電子裝置
8172-0120-0173 動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法
8172-0110-0174 晶片輸送裝置
8172-0026-0175 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
8172-0033-0176 處理半導體晶片的方法
8172-0153-0177 改進的器件互連
8172-0125-0178 制造半導體器件的方法
8172-0087-0179 集成電路的散熱方法與裝置
8172-0062-0180 安裝結構、制作安裝結構的方法以及導電粘合劑
8172-0082-0181 具有電容元件的半導體器件及其形成方法
8172-0105-0182 半導體器件的制造裝置及制造方法
8172-0176-0183 半導體裝置和載帶及其制造方法、電路基板、電子裝置
8172-0195-0184 半導體器件及其制造方法
8172-0177-0185 輸送包含集成電路部分的微機械加工塊的方法
8172-0043-0186 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
8172-0031-0187 用多步淀積/退火工藝改進的利用摻雜硅酸鹽玻璃的半導體結構的間隙填充
8172-0115-0188 具有磁隧道結單元和遠程二極管的磁隨機存取存儲器陣列
8172-0201-0189 半導體發光二極管
8172-0064-0190 批次供給系統和批次供給方法
8172-0156-0191 一種用于有浮動電壓端的半導體器件的表面耐壓層
8172-0001-0192 在半導體晶片上形成銅層的方法
8172-0169-0193 綜合型集成電路高溫動態老化裝置
8172-0187-0194 切割用膠帶及切割半導體晶片的方法
8172-0092-0195 半導體器件及其制造方法
8172-0161-0196 操縱壓電控制的燃油噴射閥門的裝置和方法
8172-0047-0197 金屬鑲嵌布線形貌的修正
8172-0104-0198 在基片上的兩層布線之間制作電學上導電的交叉連接的方法
8172-0044-0199 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
8172-0106-0200 基于Ⅲ－氮化物半導體超晶格的單極發光器件
8172-0012-0201 半導體存儲器器件以及在測試模式中讀取該器件的方法
8172-0006-0202 一種消除局部注氧隔離形成絕緣層上硅(SOI)中邊界應力的方法
8172-0111-0203 太陽能電池組件及其制造方法
8172-0007-0204 使用者專用的非標準集成電路及其制造方法)
8172-0202-0205 一種硅太陽電池p－n結的制作方法
8172-0148-0206 具有表面掩蔽層的半導體芯片
8172-0019-0207 壓電變壓器
8172-0101-0208 多個光學元件在晶片層的集成
8172-0175-0209 脫除抗蝕劑的方法和設備
8172-0037-0210 薄膜晶體管制造方法及薄膜晶體管
8172-0046-0211 半導體工藝中頂層光刻成像的改善
8172-0010-0212 高激光吸收的銅熔絲及其制造方法
8172-0093-0213 一種IGBT串聯直接的高壓橋臂
8172-0084-0214 垂直熔絲及其制造方法
8172-0200-0215 等離子體蝕刻設備和用這種設備制造的液晶顯示模塊
8172-0029-0216 適用于硅太陽能電池及其它器件的自摻雜負電極和正電極的方法和設備
8172-0139-0217 半導體熔絲
8172-0118-0218 用于凸點焊接的布線板及制造方法和其組裝的半導體器件
8172-0219-0219 半導體器件及其制造方法
查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）

金博技術資料網（http://www.667298.com）
購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）

本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913    收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417     收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中國    銀行：418330501880227509    戶  名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站   收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電  話：0414-2114320   3130161
手  機：13941407298   13050204739
客服QQ：547978981    824312550   517161662

敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。

本公司經營技術、資料、工藝、配方，質量保證，歡迎咨詢洽談。