半導體|半導體裝置|半導體薄膜|半導體裝生產技術工藝（168元/全套）歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；；資料（光盤）編號：F400384
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"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8125-0121-0001 利用超薄氧擴散阻擋層防止晶體管中的橫向氧化的聯合方法和裝置
摘要 發明公開了一種防止橫向氧化穿過對氧擴散高度可滲的諸如高k柵電介質的柵電介質的方法和裝置。根據本發明的一個實施例，在襯底上形成柵極結構，該柵極結構具有氧可滲柵電介質。然后在該柵極結構的側壁上形成氧擴散阻擋層，以防止氧橫向擴散到氧可滲柵電介質中，這樣防止了對該柵電介質下面的襯底或者對該柵電介質上面的導電柵電極的氧化。<
8125-0077-0002 強電介質膜的形成方法、強電介質存儲器、強電介質存儲器的制造方法、半導體裝...
摘要 一種強電介質膜的形成方法，對形成在基板(10)上的非晶質的氧化物膜(30)照射脈沖狀的激光或燈光，形成氧化物的微結晶核(40)。然后，在含有微結晶核(40)的氧化物膜上形成光透過/吸收膜(22)。再從光透過/吸收膜(22)的上部照射脈沖狀的激光或燈光，使氧化物結晶化，形成強電介質(50)。
8125-0210-0003 半導體器件及其制造方法
半導體器件包含底電極、頂電極和位于底電極和頂電極之間、由含有Pb、Zr、Ti和O的鈣鈦礦型鐵電體制成的介電膜，介電膜包含由許多晶粒形成的第一部分，這些晶粒被具有許多方向的晶粒邊界分隔開。
8125-0029-0004 將氨用于刻蝕有機低K電介質
摘要 用于將氨NH3用作活性刻蝕劑來刻蝕有機低k電介質的方法。以類似的過程條件，使用氨的過程導致至少兩倍于使用N2/H2化學的過程的對有機低k電介質的刻蝕速率。其差別是由于在過程化學中NH3比N2低的多的離子化勢能，這導致在類似過程條件下的明顯較高的等離子體密度和刻蝕劑濃度。
8125-0032-0005 具有無凸塊的疊片互連層的微電子組件
摘要 公開了一種微電子器件制造技術，可將至少一個微電子芯片設置在微電子組件芯部至少一個開口中，并用封裝材料將微電子芯片組/單個片固定在開口中；還可無需微電子組件芯部將至少一個微電子芯片封裝在封裝材料中，或固定至少一個微電子芯片到散熱器中至少一個開口內。然后電介質材料和導電跡線組成的疊片互連條連接微電子芯片組/單個片到封裝材料、微電子組件芯部及散熱器中至少一個上，形成微電子器件。
8125-0024-0006 用于單離子注入的方法和系統
摘要 種用于單離子摻雜和處理的方法和系統檢測襯底中的單離子的注入、穿透以及終止。這種檢測對于將可數數量的31P離子成功地注入到用于構成凱恩量子計算機的半導體襯底內很必要。該方法和系統特別涉及襯底(20)的表面上兩個電極(22，23)上的電位(24)的應用，以產生電場將襯底(20)內形成的電子空穴對分開并清除。然后使用檢測器(30)檢測電極中的瞬時電流，由此決定襯底(20)中單離子的到達。<
8125-0048-0007 通過離子注入實現晶粒更加細小的鈷硅化物工藝
摘要 本發明屬集成電路制造工藝技術領域。為了能夠在更先進的技術下滿足結漏電的要求，需要對現有的鈷硅化物工藝進行改進，方法之一是在CoSi或者CoSi2形成以后，通過離子注入的方法，將不同種類的離子，以中等劑量、較高能量注入到硅襯底中，通過打碎CoSi的晶粒以便于在隨后的RTP中形成晶粒與普通工藝相比更加細小的CoSi2。通過這種方法，可以令鈷硅化物可以在0.13μm以下的工藝中繼續使用，并獲得令人滿意的性能。
8125-0042-0008 一種改變氫化物氣相橫向外延GaN薄膜中傾斜角的方法
摘要 采用HVPE方法橫向外延薄膜GaN過程中添加HCl改變并消除晶面傾斜角的技術和方法。在HVPE橫向外延GaN過程中直接添加HCl至襯底表面，通過HCl對GaN的腐蝕作用等，使局域V/III比發生變化，從而改變傾斜角，改善薄膜的表面形貌和質量，直接添加至襯底的HCl流量為4-10sccm。與其他的方法相比，不會引入額外的雜質，這是該發明的一大技術特點。此外，將HCl引入生長區，改變了局域的反應平衡，也會改善GaN薄膜的表面形貌和質量。
8125-0011-0009 薄膜晶體管及其制造方法和采用該薄膜晶體管的顯示裝置
摘要 本發明公開了一種薄膜晶體管及其制造方法和采用該薄膜晶體管的顯示裝置。該薄膜晶體管包括一有源層，其形成于一絕緣襯底上，且其中形成有溝道區、源極區和漏極區，其中一電壓被施加到該溝道區上以釋放在該溝道區中產生的熱載流子。
8125-0045-0010 半導體薄膜后處理系統及樣品架
摘要 本發明名稱為“半導體薄膜后處理系統及樣品架”，屬于半導體材料與器件的制備設備。其特征在于：將超聲噴涂與退火兩個過程分開進行，專用樣品架在隧道爐中步進式前進，保證被退火工件在溫度均勻的恒溫區中停留，保護氣體經加熱后橫向通過恒溫區，不致造成溫度波動。本發明主要用于大面積半導體薄膜制造過程中的連續熱處理，能解決大面積上的溫度均勻性與穩定性問題。
8125-0170-0011 整合微機電裝置及集成電路的制造流程的方法
8125-0005-0012 固體攝像裝置
8125-0002-0013 非易失半導體存儲器
8125-0074-0014 導電導熱的界面
8125-0091-0015 集成電路制造技術中可消除光刻中光刻膠毒化的工藝
8125-0102-0016 深亞微米CMOS源漏制造技術中的工藝集成方法
8125-0066-0017 半導體晶片
8125-0169-0018 有DP阱的BiMOS數模混合集成電路及其制造方法
8125-0014-0019 發光二極管裝置
8125-0200-0020 基片保持裝置和電鍍設備
8125-0136-0021 垂直雙柵極場效應晶體管
8125-0148-0022 腐蝕晶片的方法
8125-0157-0023 半導體裝置封裝方法
8125-0026-0024 具有孔和/或槽的化學機械拋光墊
8125-0145-0025 自行對準接觸窗開口/無邊界接觸窗開口的結構及形成方法
8125-0164-0026 可避免產生扭曲效應的淺溝道隔離組件的制造方法
8125-0003-0027 字節操作非易失性半導體存儲裝置
8125-0052-0028 基板溫度測定方法
8125-0135-0029 用于混合信號RF應用和電路的集成電路結構
8125-0192-0030 一種超輻射發光二極管的制作方法及其發光二極管
8125-0139-0031 壓電激勵器
8125-0084-0032 基于2,5-二氨基對苯二酸衍生物的有機場致發光器件
8125-0195-0033 具有粘結層的發光二極管及其制造方法
8125-0073-0034 使用半導體芯片的半導體裝置
8125-0068-0035 外延晶片及其制造方法
8125-0183-0036 靜電放電保護元件及其制造方法
8125-0108-0037 側面進光的雙臺形高速光探測器的連體式雙管芯
8125-0179-0038 設有觸接墊的半導體裝置
8125-0119-0039 基片處理裝置
8125-0137-0040 由碳納米管構成溝道的場效應晶體管
8125-0028-0041 等離子體裝置
8125-0138-0042 用于形成觸點的方法及封裝的集成電路組件
8125-0186-0043 自對準雙位非易失性存儲單元及其制造方法
8125-0159-0044 多層線路的薄型集成電路制造方法
8125-0018-0045 壓電元件形成部件及其制造方法、壓電致動器單元和液體噴射頭
8125-0006-0046 一種改善光電二極管線性特性的固體攝像裝置及驅動方法
8125-0160-0047 用以厘清漏電流發生原因的半導體測試結構
8125-0036-0048 用于包括外延硅末端的超薄型氧化物上硅器件的方法及其制造的物件
8125-0132-0049 具有降低的功率分配阻抗的互連模塊
8125-0103-0050 CMOS制造中改進熱載流子效應的工藝集成方法
8125-0088-0051 一種防止旁瓣被刻蝕轉移到襯底的方法
8125-0133-0052 光及電可編程硅化多晶硅熔絲器件
8125-0207-0053 非易失性半導體存儲器
8125-0054-0054 基于多層次等效電路模型的集成電路電源網絡瞬態分析求解方法
8125-0142-0055 圖形形成方法
8125-0090-0056 鋯鈦酸鉛鐵電薄膜的濕法刻蝕方法
8125-0126-0057 使用高K值電介質的改進硅化物工藝
8125-0010-0058 具有防止等離子體損害的光子吸收層的半導體器件
8125-0206-0059 成像系統以及采用倒易空間光學設計的方法
8125-0111-0060 一種氧化鋅同質結p-n結材料及其制備方法
8125-0117-0061 快速熱處理的快速環境轉換系統和方法
8125-0040-0062 一種用于擴散、氧化、外延工藝的清洗溶液
8125-0122-0063 識別在掩模層上的虛擬特征的系統和方法
8125-0149-0064 移除氮化硅層的方法
8125-0181-0065 字符線交接點布局結構
8125-0131-0066 帶內插器的高性能、低成本微電子電路封裝
8125-0051-0067 晶片探測器
8125-0086-0068 銅銦鎵的硒或硫化物半導體薄膜材料的制備方法
8125-0089-0069 一種硅半導體器件雙級臺階結構的濕法化學腐蝕方法
8125-0081-0070 發光二極管燈
8125-0104-0071 電子芯片偏置風扇軸線式散熱器
8125-0202-0072 電磁場供給裝置及等離子體處理裝置
8125-0012-0073 疊層型光電元件以及電流平衡調整方法
8125-0043-0074 使用高電阻硅化物靶材生長硅化物的工藝
8125-0173-0075 具有部分垂直信道的存儲單元的主動區自對準制程
8125-0004-0076 固體攝像器件及其制造方法
8125-0218-0077 薄膜晶體管的制造方法
8125-0070-0078 半導體器件及其制造方法和無線通信裝置
8125-0085-0079 CdSe量子點的制備方法
8125-0098-0080 一種減小孤立接觸孔和密集接觸孔之間尺寸差異的方法
8125-0062-0081 一種鑭鍶銀錳氧化物磁電阻材料及其制備方法
8125-0008-0082 固態成像裝置的制造方法
8125-0071-0083 半導體器件及其制造方法、以及電鍍液
8125-0041-0084 通過預處理實現界面更加平滑的鈷硅化物工藝
8125-0193-0085 寬光譜帶寬超輻射發光二極管的制作方法及其二極管
8125-0116-0086 氧化鐵/二氧化錫雙層薄膜乙醇敏感元件的制造方法
8125-0128-0087 集束傳輸裝置和傳送控制方法
8125-0211-0088 表面可裝配的光耦合器預裝件
8125-0114-0089 發光閘流晶體管及自掃描型發光裝置
8125-0140-0090 高分子半導體溶液
8125-0190-0091 有機發光二極管蒸鍍機臺
8125-0177-0092 內建有平板式散熱元件的功能模塊
8125-0101-0093 在晶體管的有源區域分兩次形成硅化物的工藝
8125-0163-0094 可減少角落凹陷的溝道式隔離組件的形成方法
8125-0049-0095 充氣退火爐
8125-0050-0096 高頻電磁輻射釬料微凸臺重熔互連方法
8125-0167-0097 改進位元線和位元線接觸短路的結構與方法
8125-0199-0098 四連桿晶片夾緊機構
8125-0033-0099 可升級的自對齊雙浮動柵極存儲單元陣列以及形成該陣列的方法
8125-0154-0100 可改善組件特性的高壓組件的制造方法
8125-0017-0101 GaN單晶襯底及其制造方法
8125-0151-0102 位元線接觸的充填方法
8125-0030-0103 機械手
8125-0106-0104 陶瓷襯底多晶硅薄膜太陽能電池
8125-0213-0105 光子工程白熾發射器
8125-0105-0106 導線布局結構
8125-0156-0107 具有樹脂封殼的元件及其制作方法
8125-0125-0108 具有內嵌的溝槽肖特基整流器的溝槽DMOS晶體管
8125-0204-0109 用帶電粒子束微細加工銅的方法
8125-0134-0110 帶電容器的集成電路封裝
8125-0013-0111 單室沉積非晶硅疊層太陽能電池及制造方法
8125-0166-0112 位元線的形成方法
8125-0205-0113 與半導體裝置之射極接點形成接觸點
8125-0016-0114 具有熒光多層結構的發光二極管裝置
8125-0214-0115 可表面安裝的輻射構件與其制造方法
8125-0047-0116 薄膜半導體器件的制造方法
8125-0175-0117 布線基板、有布線基板的半導體裝置及其制造和安裝方法
8125-0021-0118 有機硅樹脂和由其生產的多孔材料
8125-0057-0119 藍寶石基氮化物芯片減薄劃片的方法
8125-0061-0120 高分子壓電材料有序取向裝置
8125-0095-0121 一種半導體器件集合
8125-0194-0122 發光二極管及其制造方法
8125-0174-0123 動態隨機存取存儲器的結構及其制作方法
8125-0078-0124 圖像檢測裝置
8125-0083-0125 磁電變換元件及其制造方法
8125-0001-0126 存儲器及其制造方法以及半導體裝置的制造方法
8125-0035-0127 功能裝置及其制造方法
8125-0113-0128 以二次激光方式產生白光光源的方法及其白光發光組件
8125-0150-0129 蝕刻氮化硅薄膜的設備及方法
8125-0100-0130 閃爍存儲器控制柵堆積結構的側壁形成工藝
8125-0022-0131 形成含有金屬的材料和電容器電極的方法以及電容器結構
8125-0215-0132 非易失性可調電阻器件和可編程存儲單元的制造
8125-0216-0133 高分子結構體及具有該結構體的功能元件、和晶體管及使用該晶體管的顯示裝置
8125-0203-0134 用于后端線互連結構的具有增強粘合力及低缺陷密度的低介電常數層間介電膜的制...
8125-0019-0135 制造OLED顯示器的具有至少一個熱轉移工位的方法和系統
8125-0168-0136 鑲嵌結構的位元線接觸窗插塞的制作方法
8125-0189-0137 有機發光二極管顯示裝置
8125-0015-0138 LED器件及使用其的便攜式電話機、數碼照相機和LCD裝置
8125-0079-0139 垂直金屬氧化物半導體場效應二極管
8125-0185-0140 互補式金氧半導體及其組合元件
8125-0182-0141 具厚膜多晶硅的靜電放電防護元件、電子裝置及制造方法
8125-0044-0142 利用氫化物氣相外延制備GaMnN鐵磁性薄膜的方法
8125-0208-0143 位于透明基片上的彩色圖像傳感器及其制造方法
8125-0007-0144 固體攝像裝置及其制造方法
8125-0184-0145 管線結構電力管理控制系統
8125-0076-0146 強電介質膜的形成方法、強電介質存儲器、強電介質存儲器的制造方法、半導體裝...
8125-0191-0147 鋁鎵銦砷多量子阱超輻射發光二極管
8125-0109-0148 無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池緩沖層薄膜的制備方法
8125-0096-0149 可編程邏輯器件結構
8125-0034-0150 攝像裝置
8125-0187-0151 具有抗凹蝕絕緣層的半導體結構及其制作方法
8125-0064-0152 一種相變薄膜材料納米線的制備方法
8125-0031-0153 帶有埋設電感器的無引線芯片承載器的制造結構和方法
8125-0171-0154 集成電路制造中捕捉與使用設計企圖的方法與裝置
8125-0027-0155 具有波形槽的化學機械拋光墊
8125-0069-0156 低K技術中的銅通孔
8125-0201-0157 恒定PH的拋光和擦洗
8125-0198-0158 等離子腔室的腔室屏蔽
8125-0146-0159 清洗孔洞材料的方法及其裝置
8125-0147-0160 等離子腐蝕反應器
8125-0059-0161 功率型光發射二極管管芯元件及含管芯的照明光源
8125-0092-0162 一種去除銅籽晶表面氧化膜及增強銅層黏附力的前處理工藝
8125-0129-0163 形成用于襯底的凸起觸點的方法
8125-0055-0164 制備多晶硅的方法
8125-0120-0165 用于半導體制造系統的加熱器模塊
8125-0046-0166 半導體薄膜表面刻蝕設備
8125-0130-0167 摻雜碳和硅的銅互連
8125-0209-0168 具有變薄前挖空的接觸孔的彩色圖像傳感器的制造方法
8125-0058-0169 功率型半導體固體照明光源及其封裝制備方法
8125-0197-0170 攙雜的細長半導體,這類半導體的生長,包含這類半導體的器件以及這類器件的制...
8125-0180-0171 由導線架建構的無管腳式半導體封裝件及工序
8125-0161-0172 用以測試穴袋植入結果的測試結構
8125-0039-0173 電極制品
8125-0025-0174 使用平面化方法和電解拋光相結合的方法形成半導體結構
8125-0112-0175 發光二極管封裝結構及其封裝方法
8125-0063-0176 一種摻銅、鋅的鑭鍶錳類鈣鈦礦結構氧化物磁電阻材料及其制備方法
8125-0097-0177 層次式可編程互連線結構
8125-0118-0178 晶片級下填和互連工藝
8125-0107-0179 一種薄膜太陽能電池及其制備方法
8125-0152-0180 將非晶硅轉換為多晶硅的方法
8125-0009-0181 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管裝置及其制造方法
8125-0020-0182 包含智能通道門的SMIF裝載通道接口
8125-0099-0183 集成電路布圖規劃與緩沖器規劃集成的布局方法
8125-0115-0184 相變存儲器中納米量級單元器件的制備方法
8125-0144-0185 半導體元件及其制造方法,半導體器件及其制造方法
8125-0053-0186 一種控制STI CMP工藝中殘余氮化硅厚度穩定性的方法
8125-0162-0187 利用遮蔽式鳥嘴改善高密度快閃記憶體穿隧氧化層邊緣電崩潰的方法
8125-0080-0188 輻射構件及其引線框和殼體及帶輻射構件的顯示裝置和/或照明裝置
8125-0143-0189 T型柵金屬剝離方法
8125-0067-0190 成膜方法和成膜裝置
8125-0087-0191 離子注入機
8125-0165-0192 改善淺溝隔離漏電的方法及淺溝隔離結構
8125-0056-0193 用于電子光學器件的半導體電路及其制造方法
8125-0212-0194 在襯底上淀積氧化物膜的方法以及采用這種襯底的光伏電池
8125-0127-0195 用于測量半導體外延晶片耐受電壓的方法和半導體外延晶片
8125-0110-0196 一種薄膜太陽能電池襯底制備工藝
8125-0123-0197 減小電解拋光工藝中的金屬凹槽的虛擬結構
8125-0094-0198 制造影像傳感器的方法
8125-0141-0199 半導體微器件的一種鍵合方法及其鍵合強度的檢測方法
8125-0065-0200 含有修飾層的有機薄膜晶體管器件及其加工方法
8125-0037-0201 雪崩擊穿存儲器件及其使用方法
8125-0075-0202 用于顯微機械加工晶體材料的蝕刻工藝和由此制造的裝置
8125-0188-0203 低溫多晶硅薄膜電晶體的結構
8125-0093-0204 陶瓷封裝基板的制造方法
8125-0023-0205 干式顯影方法
8125-0124-0206 退火晶片的制造方法以及退火晶片
8125-0155-0207 半導體器件的制造方法
8125-0158-0208 開窗型球柵列陣半導體封裝件及其制法與所用的芯片承載件
8125-0082-0209 使用半導體芯片的半導體裝置
8125-0196-0210 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
8125-0153-0211 一種高性能納米晶體管的制備方法
8125-0217-0212 改善導電路徑電阻之方法及裝置
8125-0172-0213 混合式集成電路的溝道式電容器的制造方法
8125-0072-0214 膠粘帶
8125-0060-0215 大功率發光二極管
8125-0178-0216 內建有散熱鰭片的功能模塊
8125-0176-0217 防止半導體封裝件中散熱片溢膠的散熱片裝置
8125-0038-0218 制造太陽能電池的方法
8125-0219-0219 硅基微通道熱交換器
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