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"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8142-0060-0001 半導體器件及其制造方法
摘要 本發明的課題是提供在避免不需要的硅化物膜的形成的同時可減少結漏泄電流的半導體器件。半導體器件包含被配置在半導體襯底的表面內的對元件區進行隔離的元件隔離絕緣膜。在元件區的半導體襯底上經柵絕緣膜配置柵電極。在半導體襯底的表面內，以夾住柵絕緣膜之下的區域的方式形成一對源/漏區。在源/漏區的表面上配置硅化物膜，該硅化物膜延伸到元件隔離絕緣膜上。在元件隔離絕緣膜上和硅化物膜上配置層間絕緣膜。接觸孔貫通層間絕緣膜并到達硅化物膜，其一端和另一端分別位于硅化物膜上和元件隔離絕緣膜上。此外，接觸孔具有在底部并在元件隔離絕緣膜的上部其一端與硅化物膜的端部相接的槽部。在接觸孔的內部配置布線層。
8142-0056-0002 非易失性靜態隨機存取存儲器存儲單元
摘要 本發明是有關于一種非易失性靜態隨機存取存儲器存儲單元，為一在電源消失后具有存儲功能的存儲單元，包括有一靜態隨機存取單元與一非易失性存儲單元，其具有靜態隨機存取存儲器的隨機存取的特性，同時在電源關閉后，亦可將數據存入非易失性存儲單元中，待電源供應后，又能自動將非易失性存儲單元中的數據回復至靜態隨機存取單元中。
8142-0125-0003 形成接觸窗的方法
本發明公開了一種形成接觸窗的方法，首先在一基底上形成一介電層，并且在介電層上形成一圖案化的光阻層。接著以光阻層為一蝕刻罩幕移除介電層的部分厚度，而形成一第一開口。之后在光阻層的表面上形成一第一襯層，并且以第一襯層為一蝕刻罩幕移除第一開口底下的介電層的部分厚度，而形成一第二開口，其范圍涵蓋第一開口。接著，在光阻層上形成一第二襯層覆蓋第一襯層，并且以第二襯層為一蝕刻罩幕移除第二開口底下的介電層，而形成第三開口以暴露出基底，且范圍涵蓋第二開口。在將第二襯層、第一襯層與光阻層移除之后，在第三開口中填入一導電層，以形成一接觸窗。
8142-0083-0004 氮化硅只讀存儲元件的操作方法
摘要 一種氮化硅只讀存儲元件的操作方法，是在源/漏極周圍提供一具重摻雜的基底。當程序化氮化硅只讀存儲器時，使用一較正的源極偏壓或是一較負的基底偏壓，借以增加基底效應而降低作為通道熱電子注入程序化的電流。此外，在抹除氮化硅只讀存儲陣列之前，還施行一預程序化操作，以程序化氮化硅只讀存儲陣列中的所有存儲單元來防止過度抹除。
8142-0095-0005 發電系統和發電裝置
摘要 本發明公開了一種發電系統，其構成為：把電串聯連接的發電層單位的輸出向各個電力變換裝置輸入，并聯連接升壓后的輸出而向負載供電，或把電串聯連接的發電層的一個輸出向第一電力變換裝置輸入，把串聯連接的輸出和第一電力變換裝置進行升壓后的輸出并聯，向第二電力變換裝置輸入后進行升壓，向負載供電。據此，兩個發電層能個別控制輸出，所以基本上不考慮電流平衡就能最優化各發電層，使光譜的利用率提高，發電效率提高，且能不針對各個負載，而是向一個負載供電，從而能大幅度地提高方便性。
8142-0058-0006 影像感測器微透鏡組、影像感測器及其制造方法
摘要 一種影像感測器微透鏡組、影像感測器及其制造方法。為提供一種提高影像解析度、成像感光效率高、確保光二極體區域光敏感度的影像感測器組件、影像感測器及其制造方法，提出本發明，微透鏡組包括彩色濾光片、微凸透鏡及第一介電層及微凹透鏡；第一介電層頂、底表面為與彩色濾光片接觸的平面及曲率與微凹透鏡曲率相同并接觸的凸面；影像感測器包括基底、形成于基底上的內連線結構、設置于內連線結構上的微透鏡組及設置于內連線結構下并形成于基底內的光二極體；制造方法包括提供形成光二極體的基底、多層內連線結構、保護層、具有開口的光阻圖案層、蝕刻保護層形成微凹透鏡、移除罩幕層后依序形成第一介電層、彩色濾光片及微凸透鏡。
8142-0107-0007 縮小導體圖案的間距的方法及使用此方法形成的結構
摘要 本發明是關于一種縮小導體圖案的間距的方法及使用此方法形成的結構，其方法包括形成一結構，其包括一基底、在基底上的一導體層、配置在導體層上的數個光阻圖案、在每一光阻圖案的頂面與側壁上的一聚合層以及在聚合層與光阻圖案上的一材質層。之后，去除材質層之上部分，以暴露光阻圖案與聚合層的上表面，且保留材質層的一剩余部分。接著，去除聚合層，再使用光阻圖案與材質層的剩余部分作為蝕刻罩幕，以圖案化導體層，藉以形成導體圖案。然后去除光阻圖案與材質層的剩余部分。
8142-0009-0008 磁性隧道結器件及存儲器陣列
摘要 本發明提供一種磁性隧道結器件及存儲器陣列，該陣列包括該磁性隧道結器件。該磁性隧道結器件包括被一阻擋層分隔的一自由層和一釘扎層。根據本發明，自由層包括一亞鐵磁層和一反平行層，至少在磁性隧道結器件的預定溫度范圍內，反平行層的磁矩大致與亞鐵磁層的磁矩反平行。
8142-0141-0009 半導體存儲模件
摘要 提供一種半導體存儲模件，將多個裸片用密封樹脂封裝在一起后，可以用備用裸片取代被檢測為不良的裸片。裸片(1)具有：第一半導體存儲部(1a)及第二半導體存儲部(1b)，在作為半導體材料的晶片狀態時形成，可以互相獨立地進行數據存儲；配線(15)，作為半導體存儲部使用/非使用選擇電路，使上述第一半導體存儲部(1a)及第二半導體存儲部(1b)分別成為可以進行數據輸入輸出的狀態及不可以進行數據輸入輸出的狀態中的一種。
8142-0132-0010 微射流陣列冷卻熱沉
摘要 微射流陣列冷卻熱沉，屬于微電子技術領域，涉及一種冷卻裝置。本發明包括有依次封裝在一起的過流片(1)，射流入口腔片(2)，射流噴嘴片(3)，射流出口片(4)，傳熱片(5)；過流片(1)上開有進液口和出液口；射流入口腔片(2)上設有射流入口腔、進液孔和出液孔；射流噴嘴片(3)上設有與射流入口腔和設置在射流出口腔片(4)上的射流出口腔相通的射流噴嘴，連通進液孔和射流入口腔的進液導流通道，連通出液孔和射流出口腔的出液導流通道；射流出口腔片(4)上設有射流出口腔。本發明實現了高熱流通量傳熱，具有極高的換熱速率，有效地降低了電子器件換熱表面的溫度，而且能提高換熱表面溫度分布的均勻性。
8142-0052-0011 具有在存儲單元上方形成的信號布線線路的半導體存儲器件
8142-0005-0012 硅納米線陣列太陽能轉換裝置
8142-0093-0013 具有高度結構可靠性和低寄生電容的半導體器件
8142-0050-0014 半導體集成電路
8142-0013-0015 晶片的制造方法和粘接帶
8142-0074-0016 全自動對準工藝制備晶體管的方法
8142-0118-0017 形成硅化鈷的方法和裝置組及具有該硅化鈷的半導體元件
8142-0041-0018 晶片封裝基板
8142-0040-0019 一種返工救回集成電路組件的作業方法
8142-0206-0020 GaN基的半導體元件的制造方法
8142-0205-0021 半導體器件及其制造方法
8142-0106-0022 圖形轉印用光掩模的圖形布局方法及圖形轉印用光掩模
8142-0143-0023 半導體存儲器
8142-0191-0024 具有開凹槽的柵極的FET及其制造方法
8142-0045-0025 電路元件，電路元件組件，電路元件內置模塊及其制造方法
8142-0133-0026 半導體封裝制造方法及其封裝件
8142-0039-0027 自行對準編碼的罩幕式只讀存儲器的制造方法
8142-0148-0028 多層電池、特別是液晶顯示電池或電化學光電池
8142-0217-0029 定義氧化硅/氮化硅/氧化硅介電層的方法
8142-0051-0030 組合靜態隨機存取存儲器和掩模只讀存儲器存儲單元
8142-0218-0031 半導體存儲器件及其制造方法
8142-0207-0032 光電子元件及其制造方法、具有許多光電子元件的組件和具有這樣一個組件的裝置
8142-0181-0033 制造含有粘接于-目標基片上的-薄層的-疊置結構的方法
8142-0037-0034 屏蔽式只讀存儲器的制造方法
8142-0026-0035 用于在電線端部形成線球的帶有電極的裝置
8142-0126-0036 集成電路，系統開發方法，和數據處理方法
8142-0061-0037 太陽電池自動封裝機構
8142-0103-0038 清除聚合物的方法以及用于清除聚合物的裝置
8142-0129-0039 半導體封裝件用插座
8142-0112-0040 形成凹陷式源極/漏極接面的半導體元件的方法
8142-0161-0041 高頻模件板裝置
8142-0011-0042 有機半導體器件
8142-0016-0043 光掩模、光掩模的制造方法和電子元件的制造方法
8142-0109-0044 半導體器件的制造方法
8142-0115-0045 半導體器件及其制造方法
8142-0156-0046 接觸孔圖案化用的明場圖像反轉
8142-0031-0047 一種分割一半導體集成電路圖案的方法
8142-0173-0048 半導體制造裝置的凈化方法和半導體器件的制造方法
8142-0079-0049 半導體晶體基片的評價方法
8142-0147-0050 半導體器件及其制造方法
8142-0065-0051 改善有機發光二極管的陽極表面粗糙度的方法
8142-0178-0052 拋光布,拋光裝置和半導體設備的制備方法
8142-0035-0053 抑制分閘快閃存儲單元位元線漏電流的方法
8142-0076-0054 引線鍵合方法以及凸點形成方法和凸點
8142-0025-0055 半導體芯片安裝設備和安裝方法
8142-0165-0056 半導體器件的制造
8142-0146-0057 半導體器件及其制造方法
8142-0150-0058 提高InAs/GaAs量子點半導體材料發光效率的方法
8142-0139-0059 靜電放電保護元件
8142-0163-0060 具有破解保護的集成電路配置及制造該配置的方法
8142-0094-0061 新型金屬半導體場效應晶體管(MESFET)器件及其制造工藝
8142-0068-0062 一種硅納米線的制作方法
8142-0097-0063 發光二極管結構
8142-0002-0064 半導體器件的結構及其制造方法
8142-0121-0065 柵極結構與主動區的重疊偏移量的測量方法
8142-0057-0066 溝槽式屏蔽只讀存儲器存儲單元的構造及其制造方法
8142-0128-0067 閃存元件的制造方法
8142-0145-0068 固體攝像裝置及其制造方法
8142-0159-0069 具有防濕結構的密封管芯封裝上的直接組合層
8142-0117-0070 制造具有雙重間隔壁半導體器件的方法
8142-0001-0071 固體攝像裝置及其制造方法
8142-0130-0072 用于半導體器件的插座
8142-0032-0073 同層形成上層熔絲的半導體及其制造方法
8142-0190-0074 集成電路電感器結構以及非破壞性蝕刻深度測量
8142-0175-0075 用于P-型SiC的電極
8142-0122-0076 引線框架、使用了它的半導體器件的制造方法
8142-0208-0077 在Ⅲ-V族氮化物半導體基板上制作產生輻射的半導體芯片的方法以及產生輻射的...
8142-0171-0078 用于半導體制造裝置的控制系統
8142-0131-0079 共用片上去耦電容器和散熱器
8142-0188-0080 光學單元、曝光設備和器件制造法
8142-0010-0081 硫化氫半導體傳感器氣敏元件的制造方法
8142-0164-0082 模塊部件
8142-0160-0083 基板和制造該基板的方法
8142-0098-0084 一種制作白光發光二極管的方法
8142-0203-0085 電子線路裝置及其制造方法
8142-0092-0086 以庫侖阻塞原理設計的單電子存儲器及其制備方法
8142-0196-0087 聚合物設備的固態壓花
8142-0027-0088 結晶薄膜品質監控系統及方法
8142-0085-0089 一種適應于高熱流均溫散熱的換熱技術
8142-0012-0090 剝離方法
8142-0082-0091 半導體集成電路器件的設計方法及設計裝置
8142-0023-0092 噪聲屏蔽型多層襯底及其制造方法
8142-0044-0093 具有吸附式制冷機的冷卻系統
8142-0157-0094 曝光設備、曝光法及器件制造法
8142-0101-0095 層疊型壓電部件的制造方法及層疊型壓電部件
8142-0088-0096 具有金屬-金屬電容器的集成電路的結構及其形成方法
8142-0066-0097 發光器件
8142-0151-0098 光電元件部件
8142-0135-0099 半導體器件和半導體器件的制造方法
8142-0006-0100 發光二極管封裝結構及其方法
8142-0099-0101 表面發射型發光二極管及其制造方法
8142-0201-0102 源側硼注入的非易失存儲器
8142-0008-0103 半導體發光元件，其制造方法及安裝方法
8142-0211-0104 半導體裝置的制造方法
8142-0043-0105 冷卻裝置、電子設備和音響設備、及制造冷卻裝置的方法
8142-0055-0106 具有存儲區域和外圍區域的半導體存儲器件及其制造方法
8142-0119-0107 硅高速半導體開關器件制造方法
8142-0204-0108 納米電子器件
8142-0212-0109 圖形形成材料、水溶性材料及圖形形成方法
8142-0033-0110 接觸窗的制造方法
8142-0075-0111 倒裝片組裝的底層填充封膠處理及其裝置
8142-0054-0112 基于碳納米管單電子晶體管設計的單電子存儲器及制法
8142-0182-0113 具有改進的靜電放電耐壓的半導體裝置
8142-0022-0114 液相外延制備鐵電厚膜的方法
8142-0105-0115 半導體器件的圖案形成方法及半導體器件
8142-0189-0116 半導體裝置的制造方法
8142-0053-0117 半導體存儲器件及使用側壁間隔層的半導體存儲器件的制造方法
8142-0028-0118 集成電路的商標位置檢測裝置
8142-0198-0119 研磨狀況監視方法及其裝置、研磨裝置、半導體器件制造方法、以及半導體器件
8142-0116-0120 半導體器件的制造方法
8142-0162-0121 減少微電子封裝中芯片拐角和邊緣應力的結構與工藝
8142-0166-0122 半導體裝置和通信系統用機器
8142-0154-0123 壓電元件、噴墨頭、角速度傳感器及其制法、噴墨式記錄裝置
8142-0070-0124 具有自對準節接觸孔的半導體器件及其制造方法
8142-0003-0125 包括氮化層的半導體器件
8142-0194-0126 經降低線間電容及串話噪聲的半導體器件
8142-0004-0127 半導體器件及其制造方法
8142-0137-0128 半導體器件
8142-0186-0129 電阻加熱一熱處理系統用的裝置和方法
8142-0184-0130 輻射芯片
8142-0036-0131 形成屏蔽式只讀存儲器中的金屬硅化物的方法
8142-0059-0132 固體攝像元件
8142-0069-0133 形成半導體器件的方法及其結構
8142-0024-0134 半導體功率元件裝置及其封裝方法
8142-0136-0135 半導體裝置與半導體裝置的制造方法
8142-0195-0136 包含有機層的發光元件
8142-0170-0137 氮化物半導體器件及其制造方法
8142-0096-0138 表面黏著發光二極管的封裝結構及其制造方法
8142-0020-0139 半導體器件的制造方法和退火裝置
8142-0034-0140 在半導體器件中形成銅引線的方法
8142-0120-0141 半導體裝置及其制造方法
8142-0019-0142 利用高能量全面離子植入法的硅晶圓去疵方法
8142-0134-0143 半導體器件及其制造方法
8142-0187-0144 具有高介電常數材料的半導體結構
8142-0015-0145 一種修正線型薄膜層末端緊縮效應的方法
8142-0102-0146 半導體結構及形成具有縮小間距的晶體管的方法
8142-0167-0147 半導體器件及其制造方法
8142-0104-0148 在半導體基底上形成光阻層的方法
8142-0049-0149 半導體裝置及其制造方法、光電裝置和電子儀器
8142-0169-0150 半導體發光元件、圖像顯示裝置及照明裝置及其制造方法
8142-0046-0151 形成半導體器件及其結構的方法
8142-0038-0152 可應用自動對準金屬硅化物的屏蔽式只讀存儲器的制造方法
8142-0153-0153 高溫超導材料本征結的制備方法
8142-0080-0154 同心圓對準裝置
8142-0152-0155 半導體發光器件
8142-0087-0156 集成電路和分層引線框封裝
8142-0110-0157 高介電系數柵電介質材料氮鋁酸鉿薄膜及其制備方法
8142-0213-0158 形成凹槽柵極輪廓的方法
8142-0108-0159 制備深亞微米柵的方法
8142-0158-0160 膜評價方法、溫度測定方法及半導體裝置的制造方法
8142-0127-0161 氮化硅只讀存儲器的制造方法
8142-0200-0162 在襯底中的大高寬比部件的蝕刻
8142-0192-0163 硅中淺槽隔離層的形成方法
8142-0072-0164 金屬層間介電結構
8142-0172-0165 用于提高光刻膠附著的無定形碳層
8142-0047-0166 超薄堆疊構裝元件
8142-0007-0167 氮化物基的半導體發光器件及其制造方法
8142-0210-0168 半導體制程機臺
8142-0062-0169 半導體器件及包括該半導體器件的光學器件
8142-0114-0170 化學機械研磨設備
8142-0180-0171 半導體晶片檢查設備
8142-0063-0172 有機發光二極管顯示器
8142-0214-0173 形成接觸孔的方法
8142-0030-0174 帶有整體式力傳感器的夾緊元件
8142-0140-0175 模塊式三次元芯片層疊構裝
8142-0111-0176 高介電系數柵電介質材料鋁酸鉿薄膜及其制備方法
8142-0018-0177 制造薄膜晶體管的方法
8142-0029-0178 測試光掩模、光斑評估方法以及光斑補償方法
8142-0176-0179 用于第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的n-電極
8142-0048-0180 半導體裝置
8142-0073-0181 減少銅導線龜裂與變形的方法
8142-0067-0182 發光二極管光出射側的P電極結構
8142-0215-0183 利用復合控制模式的研漿流量控制方法及系統
8142-0142-0184 并行光互連集成電路芯片
8142-0179-0185 用于制造互連結構的方法和裝置
8142-0177-0186 基片加工方法
8142-0168-0187 發光裝置及其制造方法
8142-0193-0188 一種用于改善對靜電放電斷電的保護的帶有可變寬度金屬條的二極管
8142-0078-0189 簡易升級型高容量式半導體晶片測試裝置
8142-0090-0190 非破壞性讀出鐵電不揮發多態數據存儲方式及其存儲單元
8142-0123-0191 半導體器件處理機中的測試溫度偏差補償裝置
8142-0042-0192 冷卻裝置、電子設備、顯示單元和生產冷卻裝置的方法
8142-0089-0193 半導體存儲元件及其操作方法以及半導體內存數組
8142-0086-0194 半導體器件
8142-0155-0195 兩種或兩種以上有機分子構成的有機半導體及其加工方法
8142-0183-0196 具有無鎵層的III族氮化物發光器件
8142-0197-0197 高電壓自定位MOS元件的集成
8142-0144-0198 半導體器件
8142-0021-0199 快速能量傳輸回火裝置及方法
8142-0091-0200 非易失半導體存儲裝置
8142-0077-0201 壓焊方法和壓焊裝置
8142-0216-0202 介電層的制造方法
8142-0138-0203 半導體裝置
8142-0149-0204 用于制造太陽能電池的纖維和窄帶材
8142-0014-0205 用于去除微粒的裝置
8142-0124-0206 用于半導體器件處理機的具有載體組件的測試托盤
8142-0185-0207 壓電執行元件
8142-0209-0208 壓電功能部件及其制造方法
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