半導體|半導體晶片|半導體襯底|制造半導體器件生產技術工藝（168元/全套）歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；；資料（光盤）編號：F400434
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"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8179-0094-0001 靜電泄放保護電路
摘要 靜電泄放（ＥＳＤ）電路（１２）為輸入／輸出驅動電路（１０）提供有效的保護功能。泄放路徑是由一個寄生的雙極晶體管（２０２）提供的。寄生雙極器件是由ＭＯＳＦＥＴ晶體管（２０４）和二極管鏈（２００）的組合來觸發的。通過改變二極管鏈中單個二極管的數目，ＭＯＳＦＥＴ晶體管的觸發點是可編程的。
8179-0122-0002 干法腐蝕半導體層的工藝和設備
摘要 本發明涉及一種利用具有開口的光刻膠圖形干法腐蝕半導體襯底或形成于半導體襯底的層的工藝和設備，所述工藝包括：在腐蝕室中兩電極之一上加ＲＦ功率源，在腐蝕室中形成等離子體；在腐蝕室中兩電極的另一個上加ＲＦ偏置功率，其中兩電極的另一個支撐半導體襯底；及啟動將周期性地開／關的ＲＦ功率源和ＲＦ偏置功率源，使兩者間具有相位差；光刻膠圖形開口的兩側壁上部邊緣部分未被腐蝕，同時此上部邊緣上形成了聚合物，從而得到與開口相應的腐蝕部分的臨界尺寸。
8179-0194-0003 堆疊柵極存儲單元的結構及其制造方法
一種堆疊柵極存儲單元的結構及其制造方法，包括在半導體襯底中注入深擴散阱；在其中注入第二擴散阱；在第二擴散阱中注入一源／漏極擴散區，形成金屬氧化物半導體晶體管。在源／漏極間的溝道區上的襯底的表面上，淀積隧穿氧化層。在溝道區上面的隧穿氧化層上淀積多晶硅柵極。在半導體襯底的表面上淀積絕緣層。在金屬氧化物半導體晶體管上形成堆疊電容器。
8179-0080-0004 半導體元件的連接結構,使用了該結構的液晶顯示裝置以及使用了該顯示裝置的電...
摘要 在把半導體ＩＣ７連接到基板１３上的半導體元件的連接結構中，介于基板１３和半導體ＩＣ７之間設置粘接兩者的粘接層３１。該粘接層３１具有作為粘接基板１３和半導體ＩＣ７的粘接劑的ＡＣＦ３２以及形成在該ＡＣＦ３２內部的空隙３3。即使ＩＣ７由于熱等發生變形，其變形也被空隙３３吸收，由此，不會使凸點２８，２９的連接成為不穩定狀態。
8179-0171-0005 雙向可控的可控硅
摘要 此處的雙向可控的可控硅的優點是改善了在兩個可控硅結構間的去耦合，特別是不可能由于載流子的不需要的遷移而不受控制地觸發串聯結構。這通過下面的方法實現：增加陰極區域向著隔離區域減小的度。特別這可以通過下面方法實現：短路區域的每面積單位的密度向著隔離區域趨向一個最大值。使用一個線形的、沿著隔離區域延伸的貫穿的短路區域特別有效。
8179-0119-0006 能減小寄生電容的半導體器件的制造方法
摘要 一種制造半導體器件的方法包括經過柵極絕緣膜（４）在半導體襯底（１）上形成柵極（５）的步驟和在柵極（５）的側表面和半導體襯底（１）的上表面上形成第一絕緣膜（７）的步驟。該方法還包括在第一絕緣膜（７）上形成第二絕緣膜的步驟和深腐蝕第一和第二絕緣膜（７，８）以形成柵極（５）的側壁（７Ａ，８Ａ）的步驟，每個側壁包括第一和第二絕緣膜（７，８）的層。該方法包括腐蝕側壁（７Ａ，８Ａ）的第一絕緣膜（７）以保留一部分第一絕緣膜層（７）的步驟。
8179-0214-0007 電子束單元投影孔徑生成方法
摘要 本發明提供了一種電子束投影孔徑生成方法，它包括：把聚焦的離子束施加到基片頂表面的步驟，以便蝕刻成可獲得用于吸收或散射電子束的足夠的薄膜厚度的深度以在所述頂表面形成所需要的圖形的開口；以及把所述聚焦的離子束均勻地施加到除去其邊緣部分的基片底表面的步驟，以便蝕刻至達到開口的深度。
8179-0093-0008 電力半導體開關裝置
摘要 由于反偏置驅動電路的部件被配置在高溫的電力半導體晶片的封裝中，所以增加了反偏置開關的壓降同時其導電能力也降低。為解決這一問題，本發明的電力半導體開關裝置具有安裝了反偏置驅動電路２０的安裝底板１１０，安裝底板１１０具有貫通ＧＴＯ元件１１的２個主電極的一方的貫通孔，由此，平面封裝靠近貫通孔設置而且貫通孔的周邊部分地包圍住平面封裝，另外，安裝底板１１０還具有和ＧＴＯ元件１１的控制電極電連接的接觸部分。
8179-0131-0009 在真空處理裝置中靜電夾持絕緣工作的方法和裝置
摘要 絕緣工件通過等離子體作用于工件的暴露于等離子體的表面上并同時給夾具上的電極加上相對高的電壓而被夾持在真空等離子體處理室中的夾具上。電極與工件未暴露于等離子體的部分緊密相鄰，從而（Ａ）電極處在基本上不同于等離子體的電壓上，（Ｂ）通過等離子體使靜電電荷作用于暴露表面上，和（Ｃ）經過等離子體從靜電電荷到處于基本上不同于施加給電極的電壓的電勢的端子形成導電路徑，以施加給單電極的ＤＣ電壓和通過等離子體作用于暴露表面的電荷之間的電壓差產生穿過工件厚度的足夠的靜電夾持力，從而將基片固定于夾具上。
8179-0035-0010 半導體裝置的制造方法、半導體裝置制造用模具和半導體裝置及其裝配方法
摘要 具備下述工序：樹脂密封工序，用于把已形成的配設有突出電極１２的多個半導體器件１１的襯底１６裝設到模具２０的空腔２８內，接著向突出電極１２的配設位置供給樹脂３５密封突出電極１２，形成樹脂層１３；突出電極露出工序，用于使已被樹脂層１３覆蓋的突出電極１２的至少頂端部分從樹脂層１３中露出來；分離工序，用于使襯底１６與樹脂層１３一起切斷分離成各個半導體器件。
8179-0053-0011 用于生產半導體襯底的方法
8179-0029-0012 制造同一襯底上混有MOS晶體管和雙極晶體管的半導體器件的方法
8179-0115-0013 制造半導體器件的方法
8179-0140-0014 線架及其制造方法
8179-0159-0015 半導體封裝體及使用該封裝體的半導體模塊
8179-0027-0016 半導體器件的制作方法
8179-0103-0017 燈退火裝置及燈退火方法
8179-0097-0018 樹脂封裝,半導體器件及樹脂封裝的制造方法
8179-0019-0019 半導體襯底及其制備方法
8179-0188-0020 半導體基片及其制作方法
8179-0020-0021 剝離方法、薄膜器件的轉移方法以及使用該方法制造的薄膜器件、薄膜集成電路裝...
8179-0015-0022 芯片型半導體裝置的制造方法
8179-0088-0023 太陽能電池模塊及工藝、建筑材料及安裝方法和發電系統
8179-0208-0024 壓力接觸型半導體器件及其轉換器
8179-0176-0025 陣列的單元布局相同且周邊電路對稱的半導體存儲器件
8179-0108-0026 有高阻元件的半導體器件及其制造方法
8179-0192-0027 場效應晶體管
8179-0083-0028 化學機械拋磨的間隔絕緣材料頂層
8179-0217-0029 半導體器件制造過程中的構圖方法
8179-0042-0030 集成電路及其制造方法
8179-0125-0031 半導體器件及其制造方法以及裝配基板
8179-0107-0032 半導體器件及其制造方法
8179-0213-0033 半導體器件清洗裝置和清洗半導體器件的方法
8179-0054-0034 場效應管和含有場效應管的功率放大器
8179-0046-0035 用以覆蓋半導體器件上的孔的改進基層結構及其形成方法
8179-0012-0036 封裝集成電路元件及其制造方法
8179-0183-0037 半導體器件的制造方法
8179-0052-0038 制造半導體器件的方法
8179-0170-0039 半導體器件及其制造方法
8179-0190-0040 半導體器件的制造裝置
8179-0032-0041 半導體集成電路
8179-0016-0042 具有半絕緣多晶硅吸雜位置層的半導體襯底及其制造方法
8179-0199-0043 高密度動態隨機存取存儲器的電容器結構的制造方法
8179-0040-0044 多芯片模塊
8179-0146-0045 半導體器件的檢測圖形及方法
8179-0145-0046 防位線氧化的半導體存儲器件制造方法及半導體存儲器件
8179-0044-0047 制造大規模集成電路的處理設備
8179-0077-0048 焊料合金及其用途
8179-0132-0049 晶片處理液及其制造方法
8179-0030-0050 模塊合成裝置及模塊合成方法
8179-0113-0051 半導體集成電路及用于補償其器件性能變化的方法
8179-0024-0052 厚度延伸振動模式壓電諧振器和壓電諧振器組件
8179-0129-0053 硅化物塊熔絲器件
8179-0201-0054 半導體器件及其制作方法
8179-0091-0055 半導體器件
8179-0202-0056 用原版圖元制作半定制集成電路的系統和方法
8179-0033-0057 自對準局域深擴散發射極太陽能電池
8179-0004-0058 顯微結構及該結構的制造方法
8179-0084-0059 半導體晶片的加工方法和IC卡的制造方法以及載體
8179-0010-0060 半導體器件及其制造方法
8179-0111-0061 將內引線焊接到半導體器件電極的焊接結構
8179-0045-0062 半導體器件中層的刻蝕方法
8179-0086-0063 內聯式集成非晶硅太陽能電池的制造方法
8179-0116-0064 半導體器件的制造方法
8179-0098-0065 芯片大小的載體
8179-0148-0066 處理半導體晶片的方法和裝置
8179-0212-0067 形成平坦內金屬介電層的方法
8179-0061-0068 在半導體芯片進行接合的構造和應用該構造的半導體裝置
8179-0090-0069 只讀存儲器結構及其制造方法
8179-0100-0070 一種半導體器件及制造該半導體器件的方法
8179-0141-0071 帶自動鍵合用帶狀載體、集成電路及制造方法和電子裝置
8179-0014-0072 改進了的集成多層測試點以及用于它們的方法
8179-0210-0073 制造氧化物膜的方法
8179-0124-0074 半導體器件的電容器的形成方法
8179-0134-0075 具有連到振動源的壓電元件的壓電發生器及其制造方法
8179-0049-0076 太陽能電池及其制作方法
8179-0071-0077 能用低介電常數非晶氟化碳膜作為層間絕緣材料的半導體器件及其制備方法
8179-0157-0078 半導體器件
8179-0184-0079 干燥裝置及基板表面處理方法
8179-0149-0080 防止硅化物滋長的半導體器件制造方法
8179-0216-0081 用兩個腐蝕圖形制造半導體存儲器件的方法
8179-0193-0082 固態成象器件及其制造方法
8179-0196-0083 薄膜電容器及其制造方法
8179-0185-0084 干燥裝置以及干燥方法
8179-0207-0085 制造動態隨機存取存儲器結構的方法
8179-0151-0086 光電轉換元件和使用它的建筑材料
8179-0173-0087 非易失性半導體存儲器及制造方法
8179-0204-0088 利用氧來抑制和修復氫退化的制造鐵電集成電路的方法
8179-0059-0089 半導體器件及其制造方法
8179-0165-0090 一種半導體器件的制造方法
8179-0163-0091 半導體集成電路器件
8179-0013-0092 一種半導體器件的制造方法
8179-0186-0093 對半導體器件的改進
8179-0200-0094 制造集成電路存儲器的方法及制造的集成電路存儲器
8179-0162-0095 封裝的集成電路器件
8179-0057-0096 多芯片模塊中各個集成電路芯片間的互連電路和方法
8179-0169-0097 包含雙端子型壓電裝置的電子元件
8179-0081-0098 用于引線成形裝置的無軸軋輥
8179-0073-0099 半導體器件的制造方法
8179-0003-0100 半導體器件及其制造方法
8179-0167-0101 熱電裝置
8179-0041-0102 半導體器件
8179-0048-0103 有機電致發光組件中的電子導電層
8179-0006-0104 擴散阻擋層的淀積方法
8179-0067-0105 用于驗證通孔開通的檢驗圖形結構
8179-0160-0106 用于半導體散熱器的復合材料及其制造方法
8179-0178-0107 具有一對散熱端和多個引線端的半導體器件的制造方法
8179-0008-0108 控制半導體集成電路測試過程的系統和方法
8179-0070-0109 金屬氧化物半導體柵控結構的半導體器件
8179-0209-0110 薄膜晶體管及其制造方法
8179-0005-0111 半導體器件的制造方法
8179-0085-0112 在輻射檢測器和成象裝置的襯底上形成觸電的方法
8179-0158-0113 在關狀態無漏電流的半導體器件及其制造方法
8179-0177-0114 用于集成電路的反篡改屏蔽連接線
8179-0092-0115 SOI/本體混合襯底及其制作方法
8179-0197-0116 動態隨機存取存儲器單元電容器及其制造方法
8179-0136-0117 縱向晶體管
8179-0087-0118 太陽電池組件及其制造方法和太陽電池組件的安裝方法
8179-0175-0119 在多電平電源電壓下穩定動作的半導體集成電路裝置
8179-0034-0120 將導體圖形復制到膜載體上的方法和在該方法中使用的掩模及膜載體
8179-0104-0121 半導體清洗裝置
8179-0074-0122 在半導體基底上進行離子注入的方法
8179-0078-0123 熱電器件及其制造方法
8179-0066-0124 裂痕阻斷技術
8179-0135-0125 只讀存儲器結構及其制造方法
8179-0065-0126 CMOS結構半導體器件的制備方法
8179-0147-0127 具有金屬－絕緣膜－半導體三層結構的晶體管的制造方法
8179-0168-0128 帶有三端子型壓電裝置的電子元件
8179-0001-0129 半導體器件及其制造方法
8179-0051-0130 半導體裝置
8179-0120-0131 形成半導體器件接觸塞的方法
8179-0123-0132 降低半導體晶片上水跡形成的方法
8179-0215-0133 互聯系統及其生產方法
8179-0007-0134 改進的接觸孔的腐蝕
8179-0043-0135 制造用于模擬功能的電容器的方法
8179-0138-0136 便攜式電子裝置的靜電去除結構
8179-0063-0137 密封半導體的環氧樹脂組合物及樹脂密封的半導體器件
8179-0180-0138 一種半導體器件
8179-0036-0139 太陽電池及其制備方法
8179-0161-0140 具有封裝材料的電子元件組件及其形成方法
8179-0191-0141 “絕緣體上的硅”半導體裝置及其制造方法
8179-0060-0142 半導體器件及其制造方法
8179-0099-0143 半導體器件及其制作方法
8179-0050-0144 用于集成電路的含有用專用腔室淀積的兩薄層鈦的金屬堆棧
8179-0174-0145 半導體存儲器
8179-0152-0146 半導體器件及其制造方法
8179-0153-0147 半導體器件及其制造方法
8179-0143-0148 制備半導體器件的方法
8179-0166-0149 帶電容的半導體器件的制造方法
8179-0110-0150 多芯片模塊
8179-0079-0151 CMOS中關斷態柵極氧化層電場的減小
8179-0112-0152 半導體器件及其制造方法
8179-0156-0153 硬激勵柵極可關斷可控硅的柵極單元
8179-0062-0154 凸點電極間無短路且與電路板分離的半導體器件及制造工藝
8179-0009-0155 半導體器件及其制造方法
8179-0069-0156 免基板及免錫球的球陣式集成電路封裝方法
8179-0089-0157 半導體器件
8179-0102-0158 一種半導體器件的制造方法
8179-0058-0159 半導體器件中的多層互連結構及其形成方法
8179-0164-0160 電容器及其生產工藝
8179-0072-0161 半導體晶片的濕法處理方法及濕法處理裝置
8179-0203-0162 制造鐵電集成電路的方法
8179-0128-0163 半導體器件的制造方法
8179-0117-0164 生產動態隨機存取存儲器的方法
8179-0056-0165 上拉和下拉電路
8179-0144-0166 集成電路制造方法
8179-0114-0167 半導體器件及其制造方法
8179-0068-0168 半導體封裝及其制造方法
8179-0130-0169 電路部件搭載用基板
8179-0181-0170 半導體器件的制作方法
8179-0105-0171 制備有金屬硅化物膜的半導體器件的方法
8179-0101-0172 制造半導體器件的方法
8179-0031-0173 等離子體處理的方法及裝置
8179-0211-0174 在半導體晶片上形成電導接結構的方法
8179-0106-0175 固體圖象傳感器
8179-0198-0176 動態隨機存取存儲器單元電容器的制造方法
8179-0023-0177 玻璃/金屬管殼及其制造方法
8179-0082-0178 晶片安裝方法與晶片安裝設備
8179-0018-0179 半導體裝置及其制造方法
8179-0095-0180 半導體電路的保護電路
8179-0025-0181 半導體器件及其制造方法
8179-0038-0182 半導體器件及其制造方法
8179-0154-0183 無源元件電路
8179-0121-0184 從樣品臺取走被靜電吸附的樣品的方法和裝置
8179-0109-0185 半導體裝置
8179-0055-0186 縮短溝道長度的半導體器件
8179-0150-0187 III-V族化合物半導體晶片
8179-0139-0188 具有彎成J-型引線端子的半導體器件
8179-0182-0189 半導體器件的制造方法
8179-0028-0190 形成集成電路電容器的方法及由此形成的電容器
8179-0155-0191 混合模擬-數字集成電路及其制作方法
8179-0187-0192 半導體襯底及其制作方法
8179-0142-0193 半導體集成電路器件及其制造方法
8179-0206-0194 用于進行精細布線的工藝
8179-0002-0195 半導體器件及其制造方法
8179-0039-0196 多芯片模塊
8179-0137-0197 鐵電存儲器及其制作方法
8179-0172-0198 與非邏輯非晶硅只讀存儲器結構及其制造方法
8179-0205-0199 確定節點間線路的方法和用其設計的半導體集成電路器件
8179-0021-0200 包含基材和線路層、且在基材和線路層之間帶有緩沖層的集成電路
8179-0011-0201 半導體裝置及其制造方法
8179-0118-0202 用于電力處理應用的微型磁性裝置及其制造方法
8179-0189-0203 具有鄰近驅動晶體管源極小區域的靜態隨機存取存儲器
8179-0037-0204 薄膜晶體管及其制造方法和使用它的液晶顯示裝置
8179-0126-0205 半導體存儲器及其制造方法
8179-0218-0206 半導體器件
8179-0179-0207 導線架及其制造方法
8179-0096-0208 具有繞過臺階彎折的連線的半導體器件
8179-0026-0209 半導體器件及其制造方法
8179-0075-0210 外延晶片及其制造方法
8179-0064-0211 具有端面對分通孔和內區通孔的半導體器件組件
8179-0076-0212 淀積膜形成工藝和裝置以及半導體元件的制造工藝
8179-0127-0213 用于在半導體襯底上制成很小結構寬度的方法
8179-0022-0214 可焊式晶體管夾子和散熱器
8179-0017-0215 微細圖形形成材料以及半導體裝置的制造方法
8179-0047-0216 基板加工裝置和方法
8179-0195-0217 使用磁性材料的元件及其編址方法
8179-0133-0218 在用于集成電路的金屬堆棧中鈦和鋁合金之間的改進界面
8179-0219-0219 壓電陶瓷以及制備該壓電陶瓷元件的方法
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