半導體裝置技術 半導體存儲工藝半導體器件制造技術工藝匯編
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半導體裝置技術 半導體存儲工藝 半導體器件制造技術工藝匯編部分目錄如下:
[ [0001] 半導體元件和半導體存儲器
[0002] 垂直溝道場效應晶體管及制備方法
[0003] 用于轉移薄半導體層的工藝和使用這種轉移工藝獲得施主晶片的工藝一種用于將連續薄層從施主晶片的半導體材料轉移到接收晶片的工藝包括以下步驟：()組裝由半導體材料構成的體片和支撐片，以便形成具有所述半導體材料的施主層和支撐層的施主晶片；(b)在施主層中形成薄弱區；(c)將施主晶片經過施主層的自由面結合到接收晶片上；(d)在薄弱區中進行分離，由此半導體材料薄層從施主晶片轉移到接收晶片上；和()在不破壞施主晶片的支撐層的情況下重復操作(b)到(d)。還提供用于獲得施主晶片的工藝。
[0004] 淺溝渠隔離結構的制造方法
[0005] 搖動噴淋型傳送式基板處理裝置
[0006] 通信裝置
[0007] 細微孔的埋入方法
[0008] 工件的超臨界處理的方法和裝置
[0009] 多層物體調溫處理的裝置和方法和多層物體
[0010] 刻蝕含鉍氧化物膜的方法
[0011] 半導體器件的制造方法
[0012] 非易失性半導體存儲裝置
[0013] 混合集成電路裝置及其制造方法
[0014] ZnO基同質結發光二極管
[0015] 半導體制造裝置及半導體元件制造方法
[0016] 積層壓電器件及其制法和壓電致動器 [0017] 半導體元件的制造方法
[0018] 半導體裝置及其制造方法
[0019] 一種外延生長用藍寶石襯底的鎵原子清洗的方法
[0020] 半導體集成電路
[0021] 嵌入式存儲器的接觸插塞的制作方法
[0022] 存儲陣列的保護電路
[0023] 發光裝置、制造發光裝置的方法和電子設備
[0024] 制備無孔洞的金屬間介電層的方法
[0025] 栓塞金屬層的形成方法
[0026] 濕法蝕刻劑組合物
[0027] 一種集成電路裝置及其制造方法
[0028] 編碼型及數據型內嵌式閃存結構的制造方法及其操作方法
[0029] 半導體片兩面實施材料去除切削的方法
[0030] MOS晶體管及其制造方法
[0031] 用傾斜壁基座進行的被動對齊
[0032] 磁致電阻效應元件和磁致電阻效應型磁頭
[0033] 半導體元件用金屬布線的后處理方法
[0034] 用于形成半導體器件電容器的方法
[0035] 單片IC封裝
[0036] 一種成型半導體結構的方法 [0037] 退火單晶片的制造方法及退火單晶片
[0038] 傾斜式除液裝置
[0039] 半導體器件及其制造方法
[0040] ZnO基發光二極管
[0041] 晶片清洗裝置
[0042] 多晶硅結晶方法、薄膜晶體管及其液晶顯示器的制造方法
[0043] 制作濾光片的方法
[0044] 管理襯底處理裝置的裝置信息的襯底處理系統
[0045] 以有機高***為粘結劑的三元復合磁電材料及其制備方法
[0046] 薄型化倒裝芯片半導體裝置的封裝方法
[0047] 半導體器件及其制造方法
[0048] 用于半導體器件個性化的裝置與方法
[0049] 在去光阻制程中避免低介電常數介電層劣化的方法
[0050] 半導體器件
[0051] 壓電元件及其制造方法
[0052] 可表面粘著并具有覆晶封裝結構的發光半導體裝置
[0053] 互補式金氧半圖像感測器的結構及其制造方法
[0054] 半導體器件及其制造方法
[0055] 一種干法去除硅化物形成過程中多余金屬的方法
[0056] 半導體存儲器件及其制造方法 [0057] 通過選擇***粘度和其他前體特性來改善***淀積的方法
[0058] 制造有機發光裝置的方法
[0059] ZnO/藍寶石基片及其制造方法
[0060] 減少靜摩擦和鈍化微電機表面的晶片水平處理方法及其所用化合物
[0061] 混合集成電路裝置的制造方法
[0062] 半導體集成電路與D/A轉換器及A/D轉換器
[0063] 自行對準轉接通道的制作方法
[0064] 半導體元件的阻擋層的形成方法及裝置
[0065] 半導體發光器件雙異質結構及發光二極管
[0066] 柔性電子器件
[0067] 薄膜晶體管液晶顯示器的靜電放電保護電路和方法
[0068] 射頻等離子體***束外延生長氮化鎵的雙緩沖層工藝
[0069] 異質外延生長的氮化鎵晶體的位錯密度測定方法
[0070] 非易失性半導體存儲裝置
[0071] 非易失性半導體存儲裝置
[0072] 一種具有高抗張強度阻障層的形成方法
[0073] 堆積膜的平坦化方法
[0074] 半導體器件
[0075] 化合物半導體裝置的制造方法
[0076] 制作電絕緣層的方法 [0077] 光刻膠層中減小圖案大小的方法
[0078] 半導體器件
[0079] 用于切割的粘合片
[0080] 電子元件安裝裝置及電子元件安裝方法
[0081] 金屬剝離方法
[0082] 接合裝置
[0083] 含有有機半導體的夾心型場效應晶體管及制作方法
[0084] 半導體器件及其制造方法
[0085] 傳送式基板處理裝置
[0086] 半導體膜、半導體膜的形成方法、及半導體裝置的制造方法
[0087] 半導體器件
[0088] 半導體器件及其生產工藝
[0089] 半導體器件的制造方法和電子設備的制造方法
[0090] 處理機中半導體器件傳送裝置
[0091] 氮化物半導體的制造方法及半導體器件的制造方法
[0092] 射頻臺式硅二極管玻璃鈍化制備方法
[0093] 非易失性半導體存儲裝置
[0094] 絕緣膜刻蝕裝置
[0095] 半導體器件測試處理機中的校準裝置
[0096] 半導體器件及其制造方法 [0097] 密封件、以及使用該密封件的片料容納容器
[0098] 半導體裝置及其制造方法
[0099] 半導體元件的硅化物膜的形成方法
[0100] 具有埋置的導電條的半導體結構以及產生與埋置的導電條電接觸的方法
[0101] 氮化物只讀存儲器及其制造方法
[0102] 照明裝置
[0103] 半導體器件及其制造方法
[0104] 減小尺寸的堆疊式芯片大小的組件型半導體器件
[0105] 液相電沉積N-型及P-型一維納米線陣列溫差電材料及設備和制備方法
[0106] 半導體存儲器件
[0107] 用于結合力控制的裝置和方法
[0108] 測量集成半導體組件在高溫時的可靠性的裝置和方法
[0109] 金屬薄膜干蝕刻的后處理方法及蝕刻與去光阻的整合系統
[0110] 芯片層疊型半導體裝置
[0111] 發光二極管及半導體激光
[0112] 有機半導體器件及其制造工藝
[0113] 用于銅/低介電常數材料后段制程的接合墊結構
[0114] 改善多孔性低介電薄膜吸水性的方法
[0115] 集成電路的內建電感及利用深溝渠阻斷寄生電流的結構
[0116] 散熱器的固定裝置 [0117] 半導體用導線及其制造方法
[0118] 蝕刻法及蝕刻液
[0119] 發光二極管的封裝
[0120] 一種防止MOS晶體管發生柵極貧化現象的方法
[0121] 長壽命的發光二極管集成器件
[0122] 抑制存儲器陣列位線間漏電的方法
[0123] 半導體裝置的制造方法
[0124] 布圖器件的方法
[0125] 銅化學機械研磨中減少碟陷的方法
[0126] 淺溝渠隔離結構的制造方法
[0127] 雙擺幅式電荷恢復低功耗電路結構
[0128] 半導體器件制造方法及處理液
[0129] 制作具有對稱域值電壓的NMOS以及PMOS的方法
[0130] 雙極晶體管及其制造方法
[0131] 照明裝置的制造方法
[0132] 非單晶薄膜、帶非單晶薄膜的襯底、其制造方法及其制造裝置、以及其檢查方法及...
[0133] 制作濾光片的方法
[0134] 雙位多值***道MONOS存儲器及其制造方法和該存儲器的編程以及動作過程
[0135] 高速拾取與放置裝置
[0136] 具有雙頂氧化層的氮化物唯讀記憶胞結構及其制造方法 [0137] 用于裝配半導體芯片的拾取工具
[0138] 制造半導體部件的方法和半導體部件
[0139] 用于表面安裝裝置封裝體的測試固定件
[0140] 芯片封膠方法及其雙界面卡的封裝方法
[0141] 碲鎘汞***雙波段探測器深臺面的腐蝕設備和方法
[0142] 減小便攜廉價耐用存儲器陣列中串音的器件和***
[0143] 半導體器件及剝離方法以及半導體器件的制造方法
[0144] 具高密度散熱鰭片的散熱器及其組裝方法
[0145] 襯底處理裝置和半導體器件的制造方法
[0146] 半導體集成電路器件及其制造方法
[0147] 覆晶接合結構與形成方法
[0148] 降低多晶硅層洞缺陷的方法
[0149] 磁致電阻效應元件、磁致電阻效應型磁頭及其制造方法
[0150] 半導體器件的生產方法及其使用的漿體
[0151] 用高介電系數膜的表面(橫向)耐壓結構
[0152] 非揮發性存儲結構釋放電荷累積的方法
[0153] 避免低介電常數介電層劣化的方法
[0154] 芯片封裝基板電性接觸墊的電鍍鎳/金制作方法與結構
[0155] 用于制造半導體器件的方法
[0156] 一種可消除硅錐現象影響的雙硬掩膜CMP工藝 [0157] 氮化硅只讀存儲器的制造方法
[0158] 垂直溝道場效應晶體管及制備方法
[0159] 發光二極管器件
[0160] 制作非揮發性存儲元件的方法
[0161] 包括納米管電子源的數據存儲裝置
[0162] 具有位置信息的布線基板
[0163] 半導體器件
[0164] 圖案化光阻的形成方法
[0165] 薄膜晶體管的制造方法及結構
[0166] 快擦寫存儲單元浮置柵極的制造方法
[0167] 薄膜封裝外引腳壓著裝置
[0168] 具有最佳鍺分布的硅鍺雙級晶體管
[0169] 半導體器件制造方法和半導體器件的制造裝置
[0170] 半導體裝置及其制造方法
[0171] 具有超淺結延伸區的MOS裝置的制造方法
[0172] 具有間隙控制器的晶片處理設備的噴頭
[0173] 絕緣雙極性柵晶體管裝置及制法、控制其切換速率的方法
[0174] 大功率照明發光二極管
[0175] 于一半導體晶片表面上沉積一薄膜的方法
[0176] 半導體器件及其制造方法 [0177] 一種制作矽氧層的方法
[0178] 微型顯示器像素單元及其制作方法
[0179] 電路板及其制作方法和高輸出模塊
[0180] 有非發光型顯示器的電子裝置
[0181] 絕緣層有硅的低電壓觸發硅控整流器及靜電放電防護電路
[0182] 在非晶體材料上磁控濺射鍺晶體薄膜的方法
[0183] 使用原子層沉積在基片上沉積高介電常數材料的方法
[0184] 有非發光型顯示器的電子裝置
[0185] 快閃存儲器位線上的電性絕緣層的制造方法
[0186] 形成金屬布線的方法和用于形成金屬布線的半導體制造設備
[0187] 硅毫微結構硅量子線陣列的形成方法以及基于此的設備
[0188] 晶片組態設定的檢測方法
[0189] 電路板及其制作方法和高輸出模塊
[0190] 用于具有溫度補償基準電壓發生器的集成電路的內部電源
[0191] 利用化學干蝕刻形成圓弧化邊角的方法
[0192] 非易失半導體存儲器件及其制造方法
[0193] 化合物半導體裝置的制造方法
[0194] 只讀存儲器
[0195] 窄帶光譜響應的量子阱***探測器
[0196] 制造半導體器件的方法 [0197] 半導體裝置
[0198] 灰化裝置灰化方法及用于制造半導體器件的方法
[0199] 半導體器件、便攜式遠程終端單元和間歇接收方法
[0200] 雙極型晶體管
[0201] 采用導電的粘合膜的功率半導體管芯的連接方法
[0202] 半導體器件和制造半導體器件的方法
[0203] 晶片刻蝕機的操作方法
[0204] 金屬內連線的制作方法
[0205] 制作不同電阻值的輕摻雜漏極的方法
[0206] 發光二極管外延片電致發光無損檢測方法
[0207] 混合集成電路裝置及其制造方法
[0208] 互補式金屬半導體影像傳感器的結構及其制造方法
[0209] 鐵電電容及其制造方法和鐵電存儲單元制造方法
[0210] ZnAl2O4/-Al
[0211] 散熱片和等離子體顯示面板
[0212] 硅雙極晶體管的制造方法
[0213] 具有金屬硅化物隔離的存儲陣列
[0214] 用SIGE BICMOS集成方案制造多晶-多晶電容器的方法
[0215] 半導體器件的工作方法
[0216] 在半導體器件上形成多孔介電材料層的方法及形成的器件 [0217] 具有激子阻擋層的有機光敏光電器件
[0218] 半導體發光元件
[0219] 散熱片的制造方法
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