半導體晶片技術 氧化物半導體管工藝半導體存儲技術工藝匯編
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半導體晶片技術 氧化物半導體管工藝 半導體存儲技術工藝匯編部分目錄如下:
[ [0001] 監測自行對準硅化物殘留的測試窗結構
[0002] 電路布置
[0003] 以具超短脈沖寬度的激光脈沖的脈沖串處理存儲器鏈路的激光器系統及方法一種超短激光脈沖運用非熱性的方式來切斷傳導鏈路(22)，并提供較寬的處理窗口，消除不需要的HAZ效應，并實現較好的切斷鏈路品質。脈沖串的時間區間最好為10ns至500ns范圍，而脈沖串中的各激光脈沖的脈沖寬度一般短于25ps、最好短于或等于10ps、而最佳大約為10ps至100fs或者更短。每當激光器系統(60)在各鏈路(22)上發出脈沖串的激光脈沖，可通過傳統激光定位系統(62)而如同單一脈沖一樣來處理該脈沖串，從而執行進行中的鏈路去除而無需停機，可運用傳統的波長或其諧波。
[0004] 一種含硅低介電常數材料的干法刻蝕工藝
[0005] 個體化硬件
[0006] 具有存儲多個字節的存儲單元的半導體存儲器及其制造方法
[0007] 半導體晶片的熱處理方法
[0008] 半導體裝置及其制造方法
[0009] 罩幕式只讀存儲器的制造方法
[0010] 存儲器的浮動閘極的形成方法
[0011] 磁阻效應薄膜及使用該薄膜的存儲器
[0012] 硅半導體晶片及制造多個半導體晶片的方法
[0013] 氮化硅只讀存儲器的制造方法
[0014] 改善淺溝槽隔離區的漏電流和崩潰電壓的方法
[0015] 自***技術
[0016] 檢測二氧化碳的半導體傳感器氣敏元件的制造方法 [0017]監視設備、監視方法、拋光裝置和半導體晶片的制造方法
[0018] 發光二極管器件
[0019] 襯底處理系統
[0020] 一種閃存的結構
[0021] 強電介質存儲裝置及其制造方法以及混載裝置
[0022] 具有小袋的半導體器件及其制造
[0023] 快閃存儲器單元的制造工序
[0024] 壓電變壓器的制造方法以及壓電變壓器的制造裝置
[0025] 具有電容器的半導體器件及其制造方法
[0026] 消除二極管間相互影響的檢測方法和裝置
[0027] 允許由給體轉移有機材料以便在有機發光二極管器件內形成層的設備
[0028] 帶有壓電微驅動***的磁頭***簧片組件
[0029] 數字圖像縮放集成電路的設計方法
[0030] 一種無機抗反射層去除方法
[0031] 制作動態隨機存取存儲器的下層存儲結的方法
[0032] 控制薄膜厚度以實現均勻膜厚的噴涂裝置及方法
[0033] 無可見光干擾讀出電路的氮化鎵基探測器及制備方法
[0034] 一種用于擴散、氧化工藝的單步清洗方法
[0035] 電子器件
[0036] 光電池 [0037] 掩模圖形形成方法、計算機程序產品和光掩模制作方法
[0038] 半導體裝置及其制造方法
[0039] 具有微小透鏡的表面黏著型發光二極管
[0040] 具有介電質間隙壁的內連導線結構及其制作方法
[0041] 在藍寶石襯底上形成半導體發光二極管管芯的方法
[0042] 微細結構體的干燥方法及通過該方法得到的微細結構體
[0043] 用于表面安裝型發光二極管的引線框及其制造方法
[0044] 消除淺溝槽隔離區的漏電流的方法
[0045] 用于制造半導體功率器件的方法
[0046] 化學汽相淀積設備和化學汽相淀積方法
[0047] 半導體雙晶白色LED封裝結構
[0048] 用于集成電路的有源封裝
[0049] 用于處理玻璃基片或晶片的注入裝置
[0050] 閃存技術和LOCOS/SI隔離的氮化隧道氧化物的氮化障壁
[0051] 半導體檢測裝置
[0052] 透明電極基板及其制造方法和有機發光二極管
[0053] 形成互連
[0054] 電路裝置及其制造方法
[0055] 用于容放光半導體器件的密封封裝容器和光半導體模塊
[0056] 調準裝置 [0057] 半導體器件及其制作方法
[0058] 內置保護P型高壓金屬氧化物半導體管
[0059] 防止介層窗過度蝕刻的方法及其構造
[0060] 一種閃存的結構
[0061] 發光半導體元件及其制造方法
[0062] 可設置無源元件的芯片承載件
[0063] 高能體供給裝置、結晶性膜的形成方法和薄膜電子裝置的制造方法
[0064] 帶有熒光變換元件的輻射半導體組件
[0065] 半導體器件及其生產方法
[0066] 增加接地平面電連接通路的格狀陣列封裝體及封裝方法
[0067] 半導體器件
[0068] 感應耦合式等離子體裝置
[0069] 制造溝槽柵DMOS晶體管的方法
[0070] 快速熱退火、由其制造的硅晶片以及直拉法拉晶設備
[0071] 半導體器件及其生產方法
[0072] 半導體集成電路裝置
[0073] 用于光電繼電器的快速開/關光電發生器
[0074] 單晶片的制造方法及研磨裝置以及單晶片
[0075] 熱電材料及其制備方法
[0076] 實時摻氮生長p型ZnO晶體薄膜的方法 [0077] 射線照相圖象攝取設備及驅動該設備的方法
[0078] 封裝的顯示裝置
[0079] 適用于集成電路芯片的信號檢測方法
[0080] 溶液加工
[0081] 化學氣相法淀積氮化鈦和銅金屬層大馬士革工藝
[0082] 導電互連
[0083] 半導體器件及其制造方法
[0084] 半導體疊層組件
[0085] 金氧半導體晶體管的制造工藝
[0086] 殘渣洗滌液
[0087] 電子裝置及其制造方法
[0088] N型摻雜多晶硅的制造方法
[0089] 在用于功率放大器的深度亞微米金屬氧化物半導體中的組合的晶體管-電容器結構
[0090] 短波長的發光二極管封裝方法
[0091] 鑲嵌式內連線結構的制造方法
[0092] 一種F-G系磁致伸縮材料及其制造工藝
[0093] 溝槽式分離柵只讀性閃存存儲單元結構形成方法以及操作方法
[0094] 具有氮化物穿隧層的非揮發性內存的結構
[0095] 改善蝕刻多晶硅的均勻性和減少其蝕刻速率變化的方法
[0096] 形成嵌合式非揮發性存儲器的方法 [0097] 電容元件、半導體存儲器及其制備方法
[0098] 用于寬間隙基片接合的多層集成電路
[0099] 一種光輻射感生電壓材料及其薄膜的制備方法
[0100] 劑量-能量優化注氧隔離技術制備圖形化絕緣體上的硅材料
[0101] 具有雙層介電質間隙壁的內連導線結構及其制作方法
[0102] 有機薄膜形成方法
[0103] 利用燒結方式成型的散熱片
[0104] 金氧半導體晶體管的制造方法
[0105] 晶片操作頻率調整電路及方法
[0106] 薄膜半導體裝置的制造方法
[0107] 晶片封裝基板
[0108] 半導體器件及其制造方法
[0109] 單晶碳化硅薄膜的制造方法及制造設備
[0110] 發光器件及其制造方法
[0111] 噴墨制作的集成電路
[0112] 凸塊底緩沖金屬結構
[0113] 用于生產有機發光二極管器件將多個掩模段對準以提供組裝的掩模
[0114] 電路裝置的制造方法
[0115] 互連線路設備和方法
[0116] 形成開口于一高***型介電層中的方法及其結構 [0117] 半導體器件及其制造方法
[0118] 具有浮動閘間壁的非易失性存儲器及制造方法
[0119] 避免摻質滲透至閘極絕緣層的閘極及其制造方法
[0120] 集成電路芯片及使用該芯片的顯示裝置
[0121] 一種高介電柵堆層結構
[0122] 多層膠一次電子束曝光多次顯影形成型柵制作方法
[0123] 橫向緩沖P型金屬氧化物半導體管
[0124] 電子儀器
[0125] 一種含硅低介電材料刻蝕工藝
[0126] 以氮化物為基礎的半導體發光器件及其制造方法
[0127] 半導體裝置及其制造方法
[0128] 用于集成電路中的靜電放電保護的電路和方法
[0129] 將蓋層設置于內金屬介電層上的內連線結構及其制作方法
[0130] 集成電路的多層基板及其介層孔排列方法
[0131] 電路裝置的制造方法
[0132] 半導體封裝件及其制造方法
[0133] 用于制造半導體器件的方法
[0134] 用于快速測試的半導體取送機
[0135] 具有自對準觸點半導體器件的制造方法
[0136] 電子裝置制造方法 [0137] 識別裝置、接合裝置及電路裝置的制造方法
[0138] 半導體裝置的制造方法
[0139] 半導體裝置及其制造方法
[0140] 晶片形狀評價法、裝置及器件制造法晶片及晶片挑選法
[0141] 生產Ⅲ族氮化物半導體裝置的方法
[0142] 一種用于集成電路的散熱器
[0143] 用于清洗晶片的清洗水和清洗晶片的方法
[0144] 電致發光裝置和制造這種裝置的方法
[0145] 在淺槽中形成深槽以隔離半導體器件的自對準方法
[0146] 靜電放電(ESD)保護電路
[0147] 從半導體晶片上清除無用物質的方法和裝置
[0148] 在單一反應室中形成氧化層-氮化層-氧化層的方法
[0149] 制作電致發光顯示器的、使用電磁鐵的蒸鍍裝置及采用此裝置的蒸鍍方法
[0150] 下層塊金屬的阻擋層蓋
[0151] 葉片式基片清洗方法及其裝置
[0152] 平坦型非揮發性半導體存儲元件
[0153] 半導體電路和半導體器件
[0154] 第35族化合物半導體和發光二極管
[0155] 強電介質存儲裝置
[0156] 半導體裝置及其制造方法 [0157] 半導體器件及其制造方法
[0158] 半導體晶片的清洗方法
[0159] 氮化物半導體發光器件
[0160] 半導體器件及其制造方法
[0161] 自行對準罩幕式只讀存儲器的制造方法
[0162] 具有金屬間隙壁的內連導線結構及其制作方法
[0163] 半導體裝置
[0164] 表面安裝IC堆積法與器件
[0165] 晶圓的清洗液成分及其清洗方法
[0166] 壓敏粘結劑在焦平面器件銦珠制備中剝離多余銦層的用途
[0167] 半導體器件上形成導電覆層的方法
[0168] 無接觸點信道寫入/抹除的閃存存儲單元結構與制造方法
[0169] 經溶液加工的器件
[0170] 導體基片結構的校準方法
[0171] 一種含硅低介電常數材料爐子固化工藝
[0172] 半導體元件及系統、晶片、晶片的用途及其測量方法
[0173] 化合物半導體開關電路裝置
[0174] 具有交換推動二流體驅動部的迷你吸散熱方法及裝置
[0175] 具有熔絲元件的半導體芯片
[0176] 一種基于自***的納米顆粒圖案的光刻方法 [0177] 一種封裝及高頻傳輸用金線的制造方法及其制成品
[0178] 具有位于有源器件上的接合區的半導體芯片
[0179] 雙重金屬鑲嵌結構的制造方法
[0180] 半導體裝置的制造方法
[0181] 具散熱片的半導體封裝件
[0182] 利用原子層沉積法形成氮化硅間隙壁的方法
[0183] 電路連接用粘接劑、使用其的電路連接方法及電路連接結構體
[0184] 利用相變引起的阻值變化進行編程的可編程元件
[0185] 雙重金屬鑲嵌結構的制造方法
[0186] 具有低介電膜的半導體器件及其制造方法
[0187] 金氧半導體晶體管的制造方法
[0188] 半導體器件
[0189] 發光裝置及其制造方法
[0190] 電容器下電極的結構
[0191] 信號跳動防止裝置
[0192] 金屬布線基板和半導體裝置及其制造方法
[0193] 應用于金屬鐵電氧化物和硅單管單元存儲器的具有鈦緩沖層的高-k柵氧化物
[0194] 非易失性半導體存儲器及其制造工藝
[0195] 磁阻元件以及使用該元件的磁性隨機訪問存儲器
[0196] 半導體連接基板用帶粘合劑的帶及使用了其的銅膜疊層板 [0197] 發光二極管及其制造方法
[0198] 非易失性半導體存儲器及方法
[0199] 多頻帶功率放大器
[0200] 氮化物半導體器件及其制造方法
[0201] 一種淺溝道隔離結構的制造方法
[0202] 半導體存儲裝置
[0203] 檢測**的半導體傳感器氣敏元件的制造方法
[0204] 擬動態通過信道寫入/抹除的閃存存儲單元結構制造方法及其操作方法
[0205] 電路裝置的制造方法
[0206] 光電池
[0207] 內置保護N型高壓金屬氧化物半導體管
[0208] 半導體裝置及其制造方法
[0209] 氮化物基化合物半導體發光元件及其制造方法
[0210] 沉積金屬薄膜的方法和包括超臨界干燥/清潔組件的金屬沉積組合工具
[0211] 金屬線路銅背端的漸層式阻障層
[0212] 識別裝置、接合裝置及電路裝置的制造方法
[0213] 電路裝置的制造方法
[0214] 化合物半導體裝置
[0215] 覆晶封裝結構及其制程方法
[0216] 化合物半導體裝置的制造方法 [0217] 接觸式曝光與電子束直寫技術相結合的混合曝光方法
[0218] 在圓片面上形成集成電路封裝的方法
[0219] 電子元件的氣密密封方法
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