可沉積各種矽系（Si0或者Si3N4)薄膜為目的的等離子沉膜設備。該設備具有沉膜上所需要的所有功能，並且跟原來設備相比減少瞭40%的安裝麵積，可用在最尖端的研究或半批量生產上。
應用例：
1、沉積氮化矽（SiN)膜；
2、沉積氧化矽（Si02)膜；
3、沉積非晶矽膜；
4、沉積其他薄膜。
應用領域：
1、LED芯片
2 Opto光電器件
3 其它
特長：
1、小型設計，適用5片3英寸，3片4英寸或者1片8英寸晶片；
2、最大100個工藝步驟；
3、裝備各種安全互鎖功能。
Cluster Lab是以LLC為中心最多可裝三個反應室的研發用等離子沉膜設備。一般在同一個反應室裡連續地進行不同工程時，在反應室內容易造成污染物，會影響到生產率。該設備是把多個等離子反應室作為各自獨立的等離子處理專用反應室即可使用的組合型沉膜設備，還能夠經過LLC在真空狀態下運輸樣品，不斷地進行沉積不同材料的工程。 |
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應用例 。液晶工程 。沉積OLED用封裝膜 。沉積太陽能用非晶矽膜 。其他SiO2,Si3N4或者非晶矽膜 。MEMS | 特長 。LLC為中心可裝最多三個反應室，能夠使用各自獨立的等離子處理反應室 。避免在同一個反應室內不斷地進行不同材料的沉積時所造成的污染物 。避免由於使用幾臺獨立設備而造成的污染以及氧化 。縮短工程時間而大幅度提高生產率 。能減少每一個反應室的成本 。既結構簡單又小型設計以節省設備安裝空間 。安裝後也可裝上最多三個反應室 (在PD-2201L或者PD-2202L上)
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PD-220NA是沉積各種矽系(SiO或者Si3N4)薄膜為目的的等離子沉膜設備。該設備具有沉膜上所需要的所有功能，並且跟原來設備相比減少瞭40%的安裝麵積，可用在最尖端的研究或半批量生產上。 |
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應用例 。沉積氮化矽(SiN)膜 。沉積氧化矽(SiO2)膜 。沉積非晶矽膜 。沉積其他薄膜
| 特長 。小型設計，適用5片3英寸，3片4英寸或者1片8英寸晶片 。最大100個工藝步驟 。裝備各種安全互鎖功能 |
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PD-3800L是為瞭大批量地沉積各種矽膜(SiO2或者Si3N4)而設計的LLC方式等離子沉膜設備。該設備擁有大麵積托運盤(φ380mm)，能夠大批量地沉積化合物半導體工程或者矽片工程上所需要的鈍化膜或者絕緣膜。 |
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應用例 。沉積氮化矽鈍化膜 。沉積氧化矽絕緣膜 。沉積anneal cap膜 | 特長 。由於大麵積托運盤(φ380mm)能夠一次處理大批量樣品 。由於獨自開發的多孔電療結構，能夠沉積均勻性好的薄膜 。由於安裝LLC，能夠進行穩定的工程 。裝備各種安全互鎖功能 |
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