存金屬半導體生產加工工藝技術
1 非易失性半導體存儲器及其制造方法
2 半導體存儲裝置
3 形成嵌合式非揮發性存儲器的方法
4 含有無序納米復合薄膜的光存儲介質及其應用
5 嵌入式存儲器的接觸插塞的制作方法
6 具有金屬硅化物隔離的存儲陣列
7 非揮發性存儲器結構及其制造方法
8 用于數據存儲應用的改進的電子發射器件及其制造方法
9 強電介質半導體存儲器
10 嵌入式動態隨機存取內存的整合自行對準金屬硅化物閘極的制造方法
11 一種凸點與存儲器激光修補工藝
12 形成多晶硅連接的深溝動態隨機存取存儲器單元的方法
13 半導體存儲裝置及其制造方法
14 對虛擬接地非易失內存陣列編程而不干擾相鄰單元的設備及方法
15 磁阻效應元件及存儲元件
16 半導體存儲器及其制造方法
17 具有在存儲器區域上定線的門陣列互連的集成電路
18 可擦除金屬有機存貯器
19 小電流耐熱性好的電可擦存儲元件
20 能夠提高存取速度的靜態半導體存儲器裝置
21 非易失性半導體存儲器及制造方法
22 堆疊柵極存儲單元的結構及其制造方法
23 恒溫恒濕屏蔽防塵存放箱
24 動態隨機存取存儲器及金屬連線的制造方法
25 半導體存儲器件
26 具有改進的鐵電電容特性的鐵電存儲器件
27 半導體存儲器件及其制造方法
28 包括存儲器件的半導體集成電路器件
29 半導體存儲裝置
30 帶有對用于選擇存儲單元的輔助字線的控制的半導體存儲器件
31 集成半導體存儲裝置
32 降低隨機存取記憶體的周邊接觸窗高寬比的方法
33 只讀存儲器和只讀存儲器件
34 只讀存儲器和只讀存儲器件
35 半導體存儲器
36 半導體存儲器件
37 半導體存儲器及其制造方法
38 半導體存儲器件的制造方法及其結構
39 替換動態隨機存取存儲器中不工作金屬線的方法和裝置
40 用在數據存儲設備中的最小幀緩沖器管理器
41 鍺／硅復合納米晶粒浮柵結構MOSFET存儲器
42 具有基片觸點和多晶硅橋接單元的半導體只讀存儲裝置
43 具有存儲單元、邏輯區域和填充結構的半導體存儲元件
44 半導體存儲裝置及其制造方法
45 單一程序化掩膜只讀存儲器的只讀區和焊墊區的方法
46 制造高密度掩膜型只讀存儲器的方法
47 形成半導體存儲器件位線的方法
48 系統級封裝型靜態隨機存取存儲器器件及其制造方法
49 印刷非易失性存儲器
50 具有金屬電容器的非易失性存儲單元及電子系統
51 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
52 制造快閃存儲器件的方法
53 非易失性半導體存儲器
54 氮化鈦/氧化鋅電阻式隨機存儲器的存儲單元及制備方法
55 電荷捕獲層及其制造方法和電荷捕獲型半導體存儲裝置
56 組合存儲單元
57 具有非晶硅MONOS存儲單元結構的半導體器件及其制造方法
58 閃存及其制造方法
59 閃存器件的制造方法
60 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
61 適用于有源區只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法
62 具有漸縮的圓柱形存儲節點的電容器及其制造方法
63 一種CuxO電阻存儲器與二極管集成的制造方法
64 高密度相變存儲器的結構與制備的工藝
65 印刷電路板及使用該印刷電路板的半導體存儲器模塊
66 一次性可編程單元和具有該單元的存儲設備
67 集成電路、雙端口靜態隨機存取存儲器單元及半導體架構
68 個人電腦用存儲器模塊的結構改良
69 鑰匙狀電子存儲卡及其電連接器
70 單電子二極管存儲器
71 單電子三極管存儲器
72 高速內存的封裝結構
73 半導體存儲裝置及其制造方法
74 光學頭以及光信息存儲介質驅動裝置
75 半導體存儲器件及其制造方法
76 非易失性半導體存儲設備及其制造方法
77 制造閃存裝置的方法
78 集成存儲器電路
79 單一晶體管型隨機存取存儲器的制造方法及其電容器結構
80 半導體存儲器及其驅動方法
81 凹陷捕獲型存儲器
82 氮化物只讀存儲器的制造方法
83 非揮發性存儲器結構及其制造方法
84 非揮發性存儲器結構及其制造方法
85 ROM存儲器及其制造方法
86 間隙壁捕獲型存儲器
87 非易失性半導體存儲器件的制造方法
88 使用通過加熱的化學反應和擴散制造化合物半導體和化合物絕緣體的方法、使用該方法制造的化合物半導體和化合物絕緣體、以及使用該化合物半導體和化合物絕緣體的光電池、電子電路、晶體管和儲存器
89 磁阻隨機存取存儲器裝置及構成該裝置的鐵磁性半導體的鐵磁性轉移溫度的控制方法
90 半導體存儲器件、半導體器件、以及它們的制造方法
91 可程序金屬氧化半導體存儲電路及其可程序方法
92 形成屏蔽式只讀存儲器中的金屬硅化物的方法
93 屏蔽式只讀存儲器的制造方法
94 可應用自動對準金屬硅化物的屏蔽式只讀存儲器的制造方法
95 制造1T1R電阻型存儲陣列的方法
96 用垂直結構的碳納米管晶體管設計的單電子存儲器及制法
97 兩端垂直結構的碳納米管晶體管做的單電子存儲器及制法
98 形成鐵電存儲器胞元的方法
99 半導體存儲器件及其制造方法
100 永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存儲器
101 三維復合存儲媒體
102 非易失半導體存儲裝置
103 多位存儲單元及其制造方法及其操作方法
104 內嵌單層多晶硅非易失性存儲器的集成電路
105 適用于NPN正反饋器件限流的具有NPN控制器件結構的雙極互補金屬氧化物半導體鎖存器
106 提高速度并降低電流消耗的鎖存結構與系統
107 形成于通孔中的聚合物存儲器件
108 存儲設備的電容器及其制造方法
109 半導體存儲器裝置的柵結構
110 薄膜集成電路及制造該薄膜集成電路、CPU、存儲器、電子卡和電子設備的方法
111 以比值為狀態導向的存儲方式及電路
112 嵌入高電壓橫向擴散金屬氧化物半導體的快閃存儲器制程
113 磁性開關元件及使用該元件的磁性存儲器
114 具有自旋相關轉移特性的場效應晶體管及使用了它的非易失性存儲器
115 納電子相變存儲器器件單元的制備方法
116 擦除效率改善的非易失存儲器及其制備方法
117 具有可選金屬柵極材料的非易失性半導體存儲器件
118 在半導體存儲器件中的電路線布線及布線方法
119 NAND型閃存器件及其制造方法
120 具有高K電介質存儲電容器的DRAM及其制造方法
121 制造快閃存儲裝置的方法
122 制造閃存裝置的方法
123 存儲器件、半導體器件及其制造方法
124 垂直的納米晶體管,其制造方法和存儲器結構
125 非揮發性存儲器器件結構
126 儲存元件的形成方法、半導體元件及其形成方法
127 可防止等離子體電荷引起的損壞的非易失性存儲器件
128 形成閃存存儲器件的高電壓區域的柵極氧化膜的方法
129 金屬氧化物介電薄膜的形成方法及半導體存儲裝置的制造方法
130 形成閃速存儲器器件位線的方法
131 半導體存儲元件及其制作方法
132 電子電路和具有可變偏壓的存儲電路
133 材料層與電容器和半導體存儲器及其制造方法
134 制造一種非易失性存儲元件的方法
135 半導體存儲器的制造方法
136 具有金屬絕緣體轉換膜電阻器的半導體存儲器件
137 對存儲器元件進行編程的系統及方法
138 用于相變存儲器的鍺鈦基存儲材料及其制備方法
139 非易失性存儲單元、存儲單元矩陣和存儲裝置
140 改進的三維存儲器
141 晶體管、存儲單元、存儲單元陣列及其形成方法
142 硬件密碼存取方法
143 靜態隨機存儲器及其制造方法
144 非易失性半導體存儲裝置
145 非易失性半導體存儲器件
146 非易失性半導體存儲元件及其制造方法
147 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
148 半導體存儲器件及其制造方法
149 采用雙極可編程電阻存儲元件的非易失存儲器結構
150 制造非易失性存儲器件的方法
151 一種單層多晶硅、多位的非易失性存儲元件及其制造方法
152 閃速存儲器件的柵極的形成方法
153 制造半導體存儲器件的方法
154 存儲裝置的電容器及其形成方法
155 存儲器晶胞、集成電路
156 基于二極管單元選通的相變存儲器及其制造方法
157 半導體裝置的制造方法和制造裝置、計算機存儲介質以及存儲有處理方案的存儲介質
158 半導體存儲器件的金屬線的形成方法
159 非易失半導體存儲器裝置及其制造方法
160 存儲元件及半導體裝置
161 非易失性半導體存儲器
162 制備半導體存儲器件中電解質材料層的方法
163 使用肖特基二極管為選通管的相變存儲單元及制備方法
164 使用硅化物從水中制備氫和氧和其儲存
165 電荷保持特性良好的非易失性半導體存儲元件及其制造方法
166 或非快閃存儲器的字線驅動器
167 形成快閃存儲器件的柵極圖案的方法
168 一種具有穩定阻變特性的材料及阻變存儲器
169 快閃存儲器及其制作方法
170 用于可編程邏輯器件存儲單元的功率調節器電路
171 具有表面帶的存儲器與其形成方法
172 一種只讀存儲器結構及相應的只讀存儲器
173 一種制作金屬納米晶非揮發性存儲器的方法
174 非易失性半導體存儲器件
175 用于電阻式存儲器的電誘發電阻材料及其制備方法
176 一種反向偏壓誘導的雙穩態非易失性存儲器
177 基于低壓工藝的非揮發性存儲器單元及陣列和操作方法
178 金屬-絕緣-金屬型電容器、存儲器單元及其形成方法
179 具有高速擦除能力的能隙處理的電荷捕捉存儲單元
180 可高速擦除的電荷捕捉存儲單元
181 閃存單元結構及其制作方法
182 一次性可編程存儲器、存儲電容器及其制造方法
183 含銻材料作為電阻轉換存儲材料的應用
184 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
185 非易失性存儲器的熱載流子注入編程的方法和結構
186 成膜方法、成膜裝置、存儲介質以及半導體裝置
187 柵極結構及非揮發性半導體存儲器的制作方法
188 制作快閃存儲器的方法
189 動態隨機存取存儲器元件包
190 動態隨機存取存儲器元件包
191 基板處理方法和裝置、半導體裝置的制造方法和存儲介質
192 半導體存儲器件
193 成膜方法、等離子體成膜裝置和存儲介質
194 半導體制造裝置、半導體裝置的制造方法、存儲介質和計算機程序
195 成膜方法、成膜裝置和存儲介質
196 包括作為熔絲元件的二極管的熔絲存儲單元
197 電阻轉換存儲器及其制造方法
198 用于改善深亞微米MOS晶體管和存儲單元的驅動能力、漏電及穩定性的裝置和方法
199 自對準肖特基二極管及相應電阻轉換存儲器制造方法
200 一種非揮發性阻抗存儲器及其制造方法
201 肖特基二極管及制造方法、電阻轉換存儲器制造方法
202 三維立體堆疊的電阻轉換存儲器及其制造方法
203 用于PCRAM的多晶硅發射極BJT存取器件
204 半導體裝置的制造方法、半導體裝置的制造裝置、半導體裝置、計算機程序以及存儲介質
205 半導體裝置的制造方法、半導體裝置的制造裝置、計算機程序以及存儲介質
206 非易失性半導體存儲器及其驅動方法
207 具有用于鍵合的相鄰貯存器的半導體互連及形成方法
208 非易失性存儲器及其制造方法
209 單次可編程存儲單元的新結構與制造方法
210 存儲元件、存儲器裝置和半導體集成電路
211 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
212 用于存儲多數據的非易失電可變存儲器單元及其制造方法
213 用于液晶顯示面板驅動集成電路的鎖存效應保護電路
214 改進的三維掩膜編程只讀存儲器
215 改進的三維只讀存儲器
216 非易失性存儲元件和非易失性半導體存儲裝置以及它們的讀出方法和寫入方法
217 電阻存儲器的存儲單元及其制作方法
218 一種電阻轉變型存儲器及其制作方法
219 一種基于金屬/反鐵電薄膜/金屬氧化物/半導體場效應管結構的存儲器單元
220 電阻隨機存取存儲器及制作方法
221 單一晶體管型隨機存取存儲器結構
222 可程序金屬氧化半導體存儲電路
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