積體半導體生產加工工藝技術
1樹脂組合物、帶有半導體裝置用粘合劑的膜、帶有金屬箔的層積膜以及使用了它的半導體裝置
2 于一半導體晶片表面上沉積一薄膜的方法
3 在半導體Si基片上沉積納米Cu顆粒膜的高壓電化學方法
4 在半導體應用的電沉積銅中缺陷的降低
5 淀積所選厚度的層間電介質以在半導體片上形成總體最佳平面性
6 用以制造半導體裝置的化學氣相沉積設備的噴頭
7 具有優良面積利用率的電容元件的半導體器件
8 包含降低占用面積的輸出控制電路的同步半導體存儲器
9 用反應氣體淀積的材料制作半導體器件的方法及其設備
10 制造光電器件和其它半導體器件用的氫化非晶硅合金的沉積物原料和摻雜劑材料
11 半導體器件的制造方法－其中在淀積金屬的過程中形成金屬硅化物
12 低電容大面積半導體光電檢測器及光電檢測系統
13 化學汽相沉積過飽和稀土摻雜的半導體層
14 薄膜半導體器件、薄膜半導體器件的制造方法、液晶顯示裝置、液晶顯示裝置的制造方法、電子設備，電子設備的制造方法和薄膜淀積方法
15 用部分淀積和重新裝載技術在半導體晶片上淀積膜的方法
16 具有改進結構并減小所占面積的半導體器件及其制造方法
17 淀積膜形成工藝和裝置以及半導體元件的制造工藝
18 制造半導體器件的化學汽相淀積裝置及其驅動方法
19 控制由加工半導體的沉積設備所形成的膜層厚度的方法
20 采用不接觸技術減小單元面積的非易失半導體存儲器
21 具有休眠功能以及低功耗和小面積的半dao體集成電路
22 被包含在半dao體器件內部的積分電路
23 化學汽相淀積稀土摻雜的半dao體層
24 用多步淀積/退火工藝改進的利用摻雜硅酸鹽玻璃的半dao體結構的間隙填充
25 化學汽相淀積裝置及其凈化方法和半dao體制造裝置
26 積淀半dao體材料的裝置和方法
27 用于在半dao體表面進行淀積和拋光的方法和裝置
28 在半dao體晶片中制造器件的增強淀積控制
29 在半dao體襯底上化學汽相淀積鎢的方法
30 利用電沉積技術制備可調電子和光子帶隙的三維半dao體量子點光子晶體的方法
31 形成半dao體金屬鍵合墊的淀積方法
32 具有沉積氧化物的溝槽金屬氧化物半dao體場效應晶體管
33 一種測量半dao體器件內部芯片熱接觸面積的方法
34 用于以半dao體材料薄層覆蓋的碳帶以及淀積這樣的薄層的方法
35 用于減小芯片面積的半dao體器件結構及其制備方法
36 半dao體結構和化學汽相沉積方法
37 半dao體激光陣列快慢軸光束參數乘積勻稱化裝置
38 使用低溫沉積含碳硬掩膜的半dao體基材制程
39 具有沉積阻擋層的玻璃絕緣體上的半dao體
40 二維密堆積半dao體激光器列陣
41 體積型半dao體消雷裝置
42 具有防止污垢堆積和腐蝕能力的半dao體廢氣處理裝置
43 使半dao體沉積層平整的方法
44 用于在半dao體襯底上外延淀積膜的系統和方法
45 用于增加可用平面表面積的半dao體晶片處理方法
46 一種大功率半dao體器件用的大面積散熱結構
47 層積半dao體芯片的半dao體裝置及其制造方法
48 層積半dao體芯片的半dao體裝置及其制造方法
49 半dao體裝置的具有低介電常數的絕緣層的淀積方法
50 等離子體增強的半dao體淀積設備
51 在氟化氧化物沉積工藝中減少半dao體器件污染
52 控制作為拋光頭和半dao體襯底之間的重疊面積的函數的拋光壓力的拋光設備和方法
53 沉積方法與半dao體器件
54 包含場效應晶體管以及減少漏電流與提高單位面積電容量的被動電容器的半dao體裝置
55 蝕刻沉積于半dao體基底上的光阻層的方法
56 使用表面面積減少的拋光片使半dao體晶片拋光和平坦化的系統和方法
57 鐵電電容器及積體半dao體內存芯片之制造方法
58 具形成于網區選擇性晶體管之積體半dao體內存
59 積體磁阻半dao體記憶排列
60 體積型相位光柵及制造方法、光模塊和半dao體激光模塊
61 沉積方法、沉積設備、絕緣膜及半dao體集成電路
62 防止由干擾的累積引起的數據變化的半dao體記憶裝置
63 生長氧化鋅半dao體薄膜的金屬有機化合物汽相沉積裝置
64 半dao體組件、累積模式多重閘晶體管及其制造方法
65 半dao體工藝中淀積鋁填充亞微米孔的方法
66 用于在具有帽蓋層的半dao體互連結構上沉積金屬層的方法
67 高密度等離子體半dao體處理中的冷式沉積用擋板
68 具有層積結構的半dao體裝置及其制造方法
69 等離子體化學氣相沉積設備及用它制造半dao體器件的方法
70 可在基材上直接形成納米結構的材料沉積的電化學方法以及由此方法所制的半dao體元件
71 利用其之一被預處理的兩處理氣體來沉積半dao體層的方法和設備
72 用于半dao體工業中的三元材料的無電沉積用組合物
73 堆積式體結構的半dao體存儲器件和驅動該器件字線的方法
74 帶有大面積接線的功率半dao體器件的連接技術
75 粉末有機半dao體以及氣相沉積在基體上的方法
76 具有外延沉積層的半dao體晶片以及該半dao體晶片的制造方法
77 用于沉積半dao體晶片薄膜和使其平面化的裝置和方法
78 半dao體管芯所占面積減小的運動估計的所有差異和(SAD)陣列
79 用于將金屬無電鍍沉積到半dao體襯底上的裝置
80 利用電磁場約束電感耦合等離子體濺射沉積法制備ZnO基稀磁半dao體薄膜
81 淀積半dao體材料的方法
82 淀積高質量微晶半dao體材料的方法
83 用于半dao體器件的使用大氣壓的材料原子層沉積的方法
84 用于半dao體器件的使用預處理的材料原子層沉積的方法
85 在半dao體互連結構上沉積金屬層的方法
86 一種大面積自支撐寬禁帶半dao體材料的制作方法
87 用于在半dao體襯底上無電鍍沉積金屬的裝置
88 最小化讀出放大器和字線驅動器面積的半dao體存儲器件
89 基于減小的面積、減小的編程電壓的互補金屬氧化物半dao體電子熔絲的可掃描式非易失性存儲器位單元
90 半dao體芯片、宏擺置的方法、多向密集堆積宏擺置器與多尺寸混合擺置設計方法
91 層積型半dao體裝置用載體以及層積型半dao體裝置的制造方法
92 半dao體器件制造中用以對稱沉積金屬層的方法
93 制備高質量化合物半dao體材料的沉積技術
94 具有沉積在其上的多個金屬層的半dao體器件
95 用于太陽能電池制造的沉積半dao體薄層的技術和裝置
96 具有增加的溝道面積的半dao體器件及其制造方法
97 具有增大的溝道面積及減小的漏電流的半dao體元件
98 P型半dao體氧化鋅薄膜,其制備方法,和使用透明基片的脈沖激光沉積方法
99 用于半dao體器件的絕緣膜沉積方法
100 可縮小布局面積的半dao體存儲器件
101 一種脈沖電沉積銅銦鎵硒半dao體薄膜材料的方法
102 包括統一占用面積的半dao體管芯封裝及其制造方法
103 材料在半dao體基片上的超臨界流體輔助沉積
104 模板電沉積法制備Ⅱ-Ⅵ族半dao體納米線的方法
105 用于增加可用平面表面積的半dao體晶片處理方法
106 用于增加可用平面表面積的半dao體晶片處理方法
107 用于半dao體材料氣相淀積生長系統的氮源離化方法和裝置
108 原子層沉積方法以及形成的半dao體器件
109 原子層沉積方法以及形成的半dao體器件
110 原子層沉積方法以及形成的半dao體器件
111 用于太陽能電池和組件制造的沉積半dao體層的技術和裝置
112 最小化N型摻雜物擴散的經沉積半dao體結構和制造方法
113 大面積玻璃絕緣底半dao體
114 用于增加可用平面表面積的半dao體晶片處理方法
115 具有減少體積和信號傳輸路徑的半dao體封裝
116 具有帶沉積涂層的孔的半dao體處理零件及其形成方法
117 層積半dao體芯片的半dao體裝置及其制造方法
118 用于制造包含每單位面積有高電容的電容器的半dao體組件的方法
119 在半dao體裝置及包含半dao體裝置的系統形成期間使用交替間隔物沉積的間距減小技術
120 一種采用近空間升華技術在襯底沉積形成半dao體薄膜的方法和裝置
121 倒裝芯片半dao體封裝件用接合體、積層材料、密封樹脂組合物和電路基板
122 半dao體封裝件、芯層材料、積層材料及密封樹脂組合物
123 用于激勵大面積半dao體光源的激勵電路和方法
124 用于半dao體器件的多層氮化硅沉積
125 使用超臨界溶劑在半dao體基板上形成和沉積金屬薄膜的組合物和方法
126 半dao體激光陣列快慢軸光束參數乘積勻稱化裝置
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