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  • (最新版)發光器件技術 存儲器件工藝 電力半導體器件技術工藝匯編
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    發光器件技術 存儲器件工藝電力半導體器件技術工藝匯編

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    發光器件技術 存儲器件工藝 電力半導體器件技術工藝匯編部分目錄如下:
    [ [0001] 碳化硅肖特基勢壘二極管及其制作方法
    [0002] 雙槽隔離的交叉存儲器陣列及其制造方法
    [0003] 半導體元件的制造方法一種半導體元件的制造方法,此方法于已形成有柵極結構的基底上形成第一介電層之后,回蝕刻第一介電層,而于柵極結構的側壁形成間隙壁。隨后,在間隙壁兩側的基底中形成源極/漏極區,再于基底上形成第二介電層,其中第二介電層的材質與第一介電層的材質相同。由于第一介電層與第二介電層的材質相同,因此無須將第一介電層移除,而可以直接形成第二介電層,如此,便可防止移除第一介電層時會于隔離區產生孔洞的問題。
    [0004] 半導體器件的制造方法
    [0005] 半導體器件
    [0006] 具有量子阱的光學器件
    [0007] 薄膜電晶體的制造方法
    [0008] 電子部件的安裝體及其制造方法
    [0009] 引線框架及其制造方法和使用引線框架的半導體器件
    [0010] 線性圖像傳感器
    [0011] 在半導體器件的夾斷的有源區中改善二硅化鈦的電阻
    [0012] 溝槽肖特基整流器
    [0013] 亞納米復合法制備氧化鋅基磁性半導體材料的方法
    [0014] 帶有多指接通用同步和分布式自偏壓功能的靜電放電(ESD)保護裝置
    [0015] 雙柵極場效應晶體管及其制造方法
    [0016] 多晶硅薄膜晶體管陣列板及其制造方法 [0017] 有機半導體器件的制造方法
    [0018] 發光元件及其制造方法
    [0019] ESD保護元件結構
    [0020] 影像感測器制造方法
    [0021] 低介電常數介電質層的蝕刻方法
    [0022] 化學機械研磨墊
    [0023] 具有集成器件的微電子襯底
    [0024] 閘流體結構及具此閘流體結構之過電壓保護裝置
    [0025] 蝕刻用的高壓無晶片自動清洗
    [0026] 制作柵極和金屬氧化物半導體晶體管的方法
    [0027] 提高半導體光電轉換器件性能的方法
    [0028] 一種非對稱柵場效應晶體管
    [0029] 電鍍過程的控制方法及裝置
    [0030] 用去耦合電容實現集成電路供電網絡噪聲優化的快速方法
    [0031] 新型動態隨機存取存儲器存取晶體管
    [0032] 電子發光器件的制造方法
    [0033] 碳化硅的等離子體刻蝕
    [0034] 電可擦除可編程只讀存儲器單元及其制造方法
    [0035] 檢查安裝電子器件的薄膜載帶的設備和方法
    [0036] 芯片運送體用墊及其制造方法 [0037] 陽極化設備,陽極化系統,及基體處理設備和方法
    [0038] 一種制造具有高k柵極電介質的半導體器件的方法
    [0039] 由二種旋涂式介電材料組成的混合式低K互連結構
    [0040] 半導體芯片封裝結構及工序
    [0041] 缺陷檢測參數分析方法
    [0042] 半導體器件
    [0043] 一種射頻功率LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)晶體管
    [0044] 半導體裝置
    [0045] 在源和漏區下面具有緩沖區的金屬氧化物半導體(MOS)晶體管及其制造方法
    [0046] 隧道結器件中隧道阻擋層的紫外光處理
    [0047] 半導體結構的制造方法
    [0048] 具有用于改善可靠性和雪崩耐受性的結合的二極管的高壓SOI LDMOS器件
    [0049] 半導體器件
    [0050] 發光二極管的封裝裝置
    [0051] 用于單質和異質雙極型結式晶體管的超自對準集電極器件及其制造方法
    [0052] F基板、使用它的液晶顯示裝置及其制造方法
    [0053] 集成電路設計、驗證與測試一體化的技術方法
    [0054] 半導體集成電路器件的制造方法
    [0055] 預防晶圓重復沉積的方法
    [0056] 封裝基板和倒裝型半導體器件 [0057] 使用波動焊接工藝固定母板芯片組散熱器
    [0058] 在內連接系統中的電容器以及其制作方法
    [0059] 半導體集成電路器件的時鐘延遲調節方法
    [0060] 半導體器件及其制造方法
    [0061] 鋱-鏑-鐵磁致伸縮材料以及利用這些材料的器件
    [0062] 預防自對準金屬硅化物橋接的半導體結構及其方法
    [0063] 半導體裝置及其制造方法
    [0064] 半導體裝置及其制造方法
    [0065] 半導體封裝件及其制法
    [0066] 干蝕刻方法
    [0067] 具有側柵疊層的SONOS存儲器件及其制造方法
    [0068] 發光器件
    [0069] 溝槽式熱管及其制法
    [0070] 同軸式撓性壓電體電纜的極化裝置、極化方法、缺陷檢測裝置和缺陷檢測方法
    [0071] 非易失半導體存儲裝置及其制造方法
    [0072] 半導體存儲器
    [0073] 半導體芯片、半導體晶片及半導體裝置及其制造方法
    [0074] 適用于InN-GN外延生長的復合襯底材料及其制備方法
    [0075] 半導體器件的制造方法
    [0076] 電力半導體器件 [0077] 半導體發光裝置
    [0078] 具有雙重自動曝光控制的圖像傳感器
    [0079] 罩幕式只讀存儲器的制造方法及其結構
    [0080] 集成電路的布圖設計裝置、布圖設計方法及布圖設計程序
    [0081] 開關電路裝置
    [0082] 半導體發光元件
    [0083] 半導體裝置以及搭載該裝置的IC卡
    [0084] 具有防止基區穿通的橫向延伸基區屏蔽區的功率半導體器件及其制造方法
    [0085] 絕緣體上硅襯底和半導體集成電路器件
    [0086] 半導體器件
    [0087] 半導體發光元件
    [0088] 光場均勻且邊界輪廓分明的基于發光二極管的光源
    [0089] 集成電路元件及其制造方法和承載集成電路元件的信息載體及其制造方法
    [0090] 半導體材料的膜或層、及制造該膜或層的方法
    [0091] 封裝后測試參數分析方法
    [0092] 具有整體屏蔽罩的基座
    [0093] 制作無滑移的晶片架的裝置和方法
    [0094] 半導體裝置的制造方法
    [0095] 使用單一光罩于多重蝕刻步驟的微影制程
    [0096] 制造第三族氮化物襯底的方法 [0097] 半導體裝置及其制造方法
    [0098] 氧化膜形成方法
    [0099] 絕緣膜氮化方法、半導體裝置及其制造方法、基板處理裝置和基板處理方法
    [0100] 薄膜晶體管及其制造方法
    [0101] 半導體器件及其制造方法
    [0102] 晶體管及其制造方法、電光裝置、半導體器件及電子設備
    [0103] 半導體裝置
    [0104] 半導體器件
    [0105] 半導體集成電路器件
    [0106] 半導體裝置及其制造方法
    [0107] 增加有機發光二極管可讀對比度的制造方法
    [0108] 防止多晶微米級功能部件之間橋接的方法
    [0109] 氮化碳/碳納米管納米二極管的制備方法及應用
    [0110] 薄膜晶體管襯底及其制造方法
    [0111] 壓電陶瓷彎曲變換器
    [0112] 半導體發光器件及其制造方法
    [0113] 半導體裝置和形成半導體裝置的方法
    [0114] 半導體集成電路器件的制造方法
    [0115] 用于局部照明的高功率LED模塊
    [0116] 一種閃存單元及其操作方法 [0117] 半導體器件及其構建方法
    [0118] 發光二極管組件及其制造方法
    [0119] 發光裝置
    [0120] 存儲多位的晶體管以及制造包括它的半導體存儲器的方法
    [0121] 集成電路的拓撲驗證方法
    [0122] 一種用于聚合物光伏打電池的光敏薄膜及其制備方法
    [0123] 具緩沖層結構的有機發光二極管及其制作方法
    [0124] 具模組化吸光板的太陽能電池及其制法
    [0125] 半導體器件
    [0126] 適合形成有涂層的導電膜如鉑的半導體器件及其制造方法
    [0127] 集成電路設計的雙向技術系統
    [0128] 半導體器件及其驅動方法
    [0129] 一種厚膜SOI場效應晶體管
    [0130] 半導體器件
    [0131] 具有電壓/電阻相依層的發光器件
    [0132] 形成雙鑲嵌結構的方法
    [0133] 半導體裝置
    [0134] 通過利用原子氧氧化提高柵極活性的方法
    [0135] 雙極型集成電路設計中的版圖/電路提取方法
    [0136] 半導體器件 [0137] 光電子器件集成
    [0138] 低外形集成模塊互連
    [0139] 制造無引線的多模具承載體用的結構和方法
    [0140] 發光二極管封裝結構及其方法
    [0141] 在線品質檢測參數分析方法
    [0142] 大規模光電集成RCE探測器面陣器件
    [0143] 具有自行對準接觸窗的存儲器元件的制造方法及結構
    [0144] 降低表面粗糙度的方法
    [0145] 半導體裝置及其制造方法
    [0146] 鐵電內存胞元之制造方法
    [0147] 電拋光半導體器件上金屬互連的裝置
    [0148] 半導體裝置的制造方法
    [0149] 自對準緊湊雙極型結式晶體管布局及其制造方法
    [0150] 閃存元件的結構及其制造方法
    [0151] 在鑲嵌結構中形成阻障層的方法
    [0152] 半導體器件使用的粘接帶
    [0153] 半導體裝置及其制造方法、半導體晶片、電路基板及電子機器
    [0154] 具有Cu互連的半導體器件及其制造方法
    [0155] 可收集制程碎屑與釋放靜電的導電地墊
    [0156] 等離子體處理裝置、環形部件和等離子體處理方法 [0157] 制造高效半導體器件的方法
    [0158] 半導體集成電路器件
    [0159] 半導體發光裝置及其制造方法和電子圖像拾取裝置
    [0160] 半導體芯片封裝結構及其制造方法
    [0161] 電子元件模塊和電磁可讀數據載體的制造方法
    [0162] 基于激子效應的多量子阱光調制器/探測器列陣
    [0163] 用于制造半導體器件的工藝和半導體器件
    [0164] 雙極型集成電路設計的有效驗證和電網絡一致性比較方法
    [0165] 產生高性能有機半導體器件的方法
    [0166] 半導體器件及其制造方法
    [0167] 充電損傷評價用半導體器件和充電損傷評價方法
    [0168] 發光元件驅動裝置及具備發光元件的電子儀器
    [0169] 光掩模、使用該光掩模的圖案形成方法及光掩模數據制作方法
    [0170] ESD保護電路元件
    [0171] 集成電路的布圖設計裝置、布圖設計方法及布圖設計程序
    [0172] 多層半導體集成電路及其所使用的光罩與其制造方法
    [0173] 閃存的制造方法
    [0174] 重復利用襯底的方法
    [0175] 聚合物有機發光二極管
    [0176] LSI封裝及其裝配方法 [0177] 粉紅光發光二極管
    [0178] 形成最小間隔磁隨機存取存儲器結構的改進方法
    [0179] 氮化物半導體元件
    [0180] 釋放的聲學探測及其裝置
    [0181] 用于CD的平滑多部分襯底支撐部件
    [0182] 低電壓穿通雙向瞬態電壓抑制器件以及制作該器件的方法
    [0183] 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器件的結構及其制造方法
    [0184] 具有多層互連結構的半導體器件
    [0185] 半導體裝置
    [0186] 用于有機發光裝置的透明載體
    [0187] 于襯底上制造集成電路的方法
    [0188] 電子器件的制造方法
    [0189] 半導體器件
    [0190] 用于把硅片從多盒站裝載及卸入爐子的裝置
    [0191] 半導體器件的制造方法
    [0192] 形成動態準中性束方式減少各種粒子束與目標物作用時的電子激發能損的方法
    [0193] 光電耦合半導體器件及其制造方法
    [0194] 改善光阻平整度的方法與溝槽電容的下電極的制造方法
    [0195] 用于蝕刻有機低K材料的特殊化學工藝
    [0196] 器件的圖案形成 [0197] 半導體器件及其制造方法
    [0198] 降低外界光線反射的有機發光二極體及其制程
    [0199] 橫向晶體管
    [0200] 半導體器件及其制造方法
    [0201] 有機發光二極體顯示器及其制造方法
    [0202] 半導體集成電路器件的制造方法
    [0203] 富銠的氧隔絕層
    [0204] 具有ESD保護的齊納二極管的DMOS
    [0205] 制備低介電膜的方法
    [0206] 半導體存儲器件,顯示器件,以及便攜式電子裝置
    [0207] 包括溝槽電容器的半導體器件及其制造方法
    [0208] 金屬離子擴散阻擋層
    [0209] 硅與硅真空鍵合裝置及鍵合方法
    [0210] 半導體集成電路器件的制造方法
    [0211] 電子部件封裝構件及其制造方法
    [0212] 延長用于芯片和襯底連接的C4焊球的疲勞壽命
    [0213] 固體攝像裝置及制造方法、行間傳輸型CCD成像傳感器
    [0214] 靜電放電保護電路
    [0215] 集成電路制造中用于電解電鍍和無電電鍍金屬的表面處理裝置和方法
    [0216] 非易失性存儲單元及其制造方法 [0217] 有機發光二極管的封裝方法
    [0218] 光電子器件集成
    [0219] 半導體結構及改善其ESD與過負荷強度之方法

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