| 品牌 | INFINEON/英飛凌 | 型號 | IPB05N03L |
| 種類 | 絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型 | N溝道 |
| 導電方式 | 增強型 | 用途 | S/開關 |
| 封裝外形 | SMD(SO)/表面封裝 | 材料 | N-FET硅N溝道 |
| 開啟電壓 | 2（V） | 極間電容 | 3110（pF） |
| 最大漏極電流 | 80,000（mA） | 最大耗散功率 | 94,000（mW） |
IPB05N03LA中文資料：
製造商 | Infineon Technologies |
製造商零件編號 | IPB05N03LA |
描述 | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
類別 | 分離式半導體產品 |
家庭 | FET -單路 |
系列 | OptiMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道，金屬氧化物 |
FET特點 | 邏輯電平門 |
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.6毫歐 @ 55A, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 25V |
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C | 80A |
Id時的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 50µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 5V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) | 3110pF @ 15V |
功率 - 最大 | 94W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3, D²Pak (2引線+接片), TO-263AB |
供應商設備封裝 | PG-TO263-3 |
包裝 | 帶卷 (TR) |
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