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產品相片 D2PAK, TO-263
 
標準包裝 800
類別 分離式半導體產品 
傢庭 FET - 單 
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金屬氧化物
 
FET 特點 標準型
 
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 117 毫歐 @ 14A, 10V
 
漏極至源極電壓(Vdss) 100V
 
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 23A
 
Id 時的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
 
閘電荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
 
在 Vds 時的輸入電容(Ciss)  1450pF @ 25V
 
功率 - 最大 3.1W
 
安裝類型 表面貼裝
 
封裝/外殼 TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB
 
供應商設備封裝 D2PAK
 
包裝 帶卷 (TR)
 

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