一、機型簡介

    半導體泵浦激光器采用半導體發光二極管作為激光晶體的能量來源（激勵源），用波長808nm半導體發光二極管泵浦Nd：YAG介質，使介質產生大量的反 轉粒子，在Q開關的作用下形成波長為1064nm的巨脈沖激光輸出，因為半導體激光器的電光轉換率較燈泵浦激光器有瞭較大提高，因而避免瞭由於發熱高所造 成的輔助設備體積龐大、激光束品質欠佳等問題，是第二代激光器的代表。

二、     機型特點

1．獨特的“V”字型激光腔設計，使激光在相同功率輸出質量更高；

2．直腔半導體機型專用於配合生產流水線及自動化生產線的設備；

3．激光品質更優（M2≤6），光斑更小，能量更集中；

4．免維護設計，無需要換耗材，平均無故障工作時間更長；

5．安裝紅光定位系統，打標操作時更方便；

6．使用新型改良水冷系統，體積更小巧，冷卻效果更佳。

三、            行業的應用

    廣泛應用於電子元器件、集成電路（IC）、電工電器、手機通訊、五金制品、工具配件、精密器械、眼鏡鐘表、首飾飾品、汽車配件、塑膠按鍵、建材、食品及藥品包裝、PVC管材、醫療器械等行業。可標記金屬及多種非金屬，更適合應用於一些要求更精細、精度更高的場合。

四、    主要技術參數

(可選配多工位分度打標配套系統)