| 品牌 | FAIRCHILD/仙童 | 型號 | FQD5N20 |
| 種類 | 絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型 | N溝道 |
| 導電方式 | 增強型 | 用途 | S/開關 |
| 封裝外形 | SMD(SO)/表面封裝 | 材料 | N-FET硅N溝道 |
| 開啟電壓 | 2（V） | 極間電容 | 325（pF） |
| 最大漏極電流 | 3,800（mA） | 最大耗散功率 | 2,500（mW） |
FQD5N20中文資料：
製造商 | Fairchild Semiconductor |
製造商零件編號 | FQD5N20LTM |
描述 | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK |
類別 | 分離式半導體產品 |
家庭 | FET -單路 |
系列 | QFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金屬氧化物 |
FET特點 | 邏輯電平門 |
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2歐姆 @ 1.9A, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 200V |
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C | 3.8A |
Id時的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 5V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) | 325pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3, DPak (2引線+接片), SC-63 |
供應商設備封裝 | D-Pak |
包裝 | 帶卷 (TR) |
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