一、專利目錄（共185項）
序號 申請號 專利名稱
1 02122062.X 低介電常數絕緣膜及其形成方法,以及使用它的電路
2 02127668.4 柵絕緣膜的形成方法
3 01143337.X 制造光敏絕緣膜圖案和反射電極及其液晶顯示器的方法
4 02118438.0 絕緣膜形成材料,絕緣膜,形成絕緣膜的方法及半導體器件
5 01808305.6 新的聚硅氧烷聚合物的制備方法,用該方法制備的聚硅氧烷聚合物,熱固性樹脂組合物,樹脂膜,貼有絕緣材料的......
6 02141093.3 低介電常數絕緣膜用組合物、絕緣膜形成方法及電子零件
7 02139983.2 絕緣膜刻蝕裝置
8 03102980.9 絕緣膜的制造裝置
9 03104310.0 含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置
10 03101853.X 將電荷俘獲在絕緣膜內非易失性地存儲信息的存儲器
11 03128623.2 低介電常數絕緣膜形成用材料、低介電常數絕緣膜、低介電常數絕緣膜的形成方法及半導體器件
12 02800123.0 電池以及引線絕緣膜
13 02800261.X 絕緣膜的形成方法和半導體裝置的制造方法
14 03120678.6 一種制備絕緣膜和顯示器的射線敏感組合物
15 03107647.5 含低介電常數絕緣膜的半導體裝置的制造方法
16 01815916.8 絕緣膜用材料，絕緣膜用罩光清漆,以及絕緣膜和采用該膜或該清漆的半導體裝置
17 01816115.4 耐熱性樹脂的預聚體,耐熱性樹脂,絕緣膜和半導體裝置
18 02801827.3 有機硅酸酯聚合物和從其得到的絕緣膜
19 92112536.4 半導體裝置的層間絕緣膜的形成方法
20 94192429.7 評價用于形成絕緣膜的硅氧烷的方法、形成絕緣膜的涂布液及其制備、半導體器件用絕緣膜成型方法以及采用絕緣......
21 97111872.8 形成半導體器件的層間絕緣膜的方法
22 97120672.4 包括絕緣膜的半導體器件及其制造方法
23 97125733.7 場絕緣膜上表面平坦的半導體器件及其方法
24 98100792.9 一種層間絕緣膜受到保護的半導體器件和制作方法
25 98115053.5 具有金屬－絕緣膜－半導體三層結構的晶體管的制造方法
26 99102154.1 用于半導體裝置中的絕緣膜和半導體裝置
27 98124903.5 通過電子束輻射制作絕緣膜線路圖形的方法
28 99100191.5 具有低介電常數絕緣膜的半導體器件及其制造方法
29 98115627.4 用犧牲可流動氧化物雙嵌埋形成多共面金屬/絕緣膜的方法
30 98103102.1 介電常數降低的改進二氧化硅絕緣膜及其形成方法
31 00113282.2 金屬高溫絕緣膜
32 00109099.2 具有元件分離絕緣膜的半導體裝置的制造方法
33 98117686.0 形狀記憶合金表面原位制備絕緣膜
34 98125578.7 非取向型電磁鋼板、其制備方法及所用絕緣膜形成劑
35 00122716.5 具有含氮柵絕緣膜的半導體器件及其制造方法
36 99812748.5 改進了高溫下收縮性的雙軸取向絕緣膜
37 00807715.0 用于形成絕緣膜的涂料組合物,用此涂料組合物涂覆的未取向電工鋼板,以及在該鋼板上形成該絕緣膜的方法
38 01138447.6 絕緣膜形成用涂料及用該涂料的等離子顯示板的制造方法
39 01142999.2 用于透明絕緣膜的糊料和其制造方法、等離子顯示板和其制造方法
40 02108730.X 絕緣膜的形成方法及半導體器件的制造方法
41 200680010595.2 絕緣膜的制造方法和半導體裝置的制造方法
42 200610172859.6 放射線敏感性樹脂組合物、層間絕緣膜和微透鏡的形成
43 200680011056.0 基板的氮化處理方法和絕緣膜的形成方法
44 200710166567.6 用于形成有機絕緣膜的光敏樹脂組合物和使用該組合物的設備
45 200610165061.9 一種電工絕緣膜聚酯切片的制備方法
46 200610161738.1 射線敏感性樹脂組合物、層間絕緣膜和微透鏡以及它們的形成方法
47 200710300668.8 光敏樹脂組合物及由其制備的有機絕緣膜
48 200810003519.X 放射線敏感性樹脂組合物、層間絕緣膜及微透鏡以及它們的制備方法
49 200710307391.1 絕緣膜研磨劑組合物及半導體集成電路的制造方法
50 200680022317.9 層間絕緣膜、布線結構以及它們的制造方法
51 92242887.5 絕緣膜組合式高聚物壓電傳感器
52 02821471.4 薄膜電容元件用組合物、高電容率絕緣膜、薄膜電容元件和薄膜疊層電容器
53 02821456.0 薄膜電容元件用組合物、高電容率絕緣膜、薄膜電容元件和薄膜疊層電容器
54 200410061735.1 硅氧烷基樹脂及用其制造的半導體的層間絕緣膜
55 200410069858.X 包含鍺的硅氧烷基樹脂和使用該樹脂的半導體器件用間層絕緣膜
56 200410047406.1 硅氧烷基的樹脂和使用其制造的半導體器件的層間絕緣膜
57 200410057191.1 在絕緣膜上形成凹狀圖形的半導體裝置及其制造方法
58 200410074886.0 新穎的硅氧烷基樹脂和使用該樹脂形成的間層絕緣膜
59 02825548.8 帶有不同硅厚度的絕緣膜上硅裝置
60 200410069268.7 絕緣膜上硅（SOI）晶片上接觸區的制造方法
61 200410080998.7 半導體裝置的絕緣膜形成方法及半導體裝置
62 03802592.2 基底絕緣膜的形成方法
63 200410086722.X 絕緣膜成膜用原料及使用該原料的成膜方法
64 200410090025.1 多官能環狀硅酸鹽（或酯）化合物，由該化合物制得的基于硅氧烷的聚合物和使用該聚合物制備絕緣膜的方法
65 200410086663.6 光敏性聚酰亞胺樹脂組合物、使用該組合物的絕緣膜、其制造方法及使用絕緣膜的電子器件
66 200410104827.3 具有改善的機械特性的絕緣膜合成物
67 03808476.7 清漆、成型物、電絕緣膜、層壓物、阻燃劑淤漿以及阻燃劑粒子和清漆的制造方法
68 200410081695.7 有機無機混合絕緣膜的形成方法
69 03814811.0 有機硅酸鹽聚合體和含有該有機硅酸鹽聚合體的絕緣膜
70 03816208.3 在基板上形成絕緣膜的方法、半導體裝置的制造方法和基板處理裝置
71 03817037.X 用于夾層絕緣膜的光敏組合物及形成帶圖形夾層絕緣膜的方法
72 200510059146.4 絕緣膜成形方法、絕緣膜成形裝置和等離子體膜成形裝置
73 03821131.9 半導體集成電路用絕緣膜研磨劑組合物及半導體集成電路的制造方法
74 03822058.X 形成半導體基體上的絕緣膜的方法
75 02130565.X 在涂覆形成的夾層絕緣膜上具有透明導電膜的液晶顯示器
76 03148937.0 層間絕緣膜及其形成方法以及聚合物組合物
77 03152470.2 輻射敏感樹脂組合物，形成有圖案絕緣膜的形成方法，裝配有該膜的有源矩陣板和平板顯示設備，和生產平板顯示......
78 01820351.5 絕緣膜的蝕刻方法
79 03155368.0 具有不同厚度柵極絕緣膜的半導體器件的制造方法
80 03133156.4 在硅基底中形成絕緣膜的方法
81 200310114943.9 多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制造方法、層間絕緣膜和半導體裝置
82 200310114329.2 印刷電路板、半導體封裝、基底絕緣膜以及互連襯底的制造方法
83 02809631.2 含高介電常數絕緣膜的半導體設備和該設備的制造方法
84 02810753.5 沉積方法、沉積設備、絕緣膜及半導體集成電路
85 03800393.7 高分子材料的合成方法、高分子薄膜的形成方法以及層間絕緣膜的形成方法
86 200310114941.X 沸石溶膠及其制法、多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制法、層間絕緣膜和半導體裝置
87 200410001855.2 有機絕緣膜、其制造方法、使用該有機絕緣膜的半導體器件及其制造方法
88 02805783.X 絕緣膜氮化方法、半導體裝置及其制造方法、基板處理裝置和基板處理方法
89 200310124259.9 非取向型電磁鋼板的制備方法及所用的絕緣膜形成劑
90 200410028268.2 形成多孔膜的組合物、多孔膜及其形成方法、層間絕緣膜和半導體器件
91 200410029406.9 耐熱絕緣膜和絕緣方法
92 02806160.8 有機絕緣膜的蝕刻方法和雙波紋處理方法
93 200410031387.3 多孔膜形成用組合物,多孔膜的制備方法,多孔膜、層間絕緣膜和半導體器件
94 200410033575.X 多孔膜形成用組合物、多孔膜制造法、多孔膜、層間絕緣膜及半導體裝置
95 200410031386.9 形成多孔膜的組合物,多孔膜和其制備方法,層間絕緣膜和半導體器件
96 200410047203.2 形成絕緣性能改進的絕緣膜的方法
97 200480017231.8 在絕緣膜上設置開口部的分析用具
98 200580000583.7 柵極絕緣膜的形成方法、存儲介質、計算機程序
99 03812483.1 絕緣膜的形成方法
100 03802282.6 形成含硅絕緣膜的CVD方法和裝置
101 200510071269.X TFT-LCD用層間有機絕緣膜用丙烯酸類共聚物樹脂的制造方法
102 200510066789.1 檢測絕緣膜的方法和裝置，對其打孔的裝置及控制方法
103 200480000330.5 生產絕緣膜的涂料組合物、使用該涂料組合物制備絕緣膜的方法、由其得到的用于半導體器件的絕緣膜及含有該絕......
104 200510083614.1 在涂覆形成的夾層絕緣膜上具有透明導電膜的液晶顯示器
105 200380104449.2 含有有機硅烷、有機硅氧烷化合物形成的絕緣膜用材料、其制造方法和半導體器件
106 200510098086.7 形成有機絕緣膜的組合物及用其形成有機絕緣膜圖案的方法
107 200480002533.8 薄膜電容元件用組合物、高介電常數絕緣膜、薄膜電容元件、薄膜積層電容器及薄膜電容元件的制造方法
108 200510105516.3 形成層間絕緣膜用的射線敏感性樹脂組合物和層間絕緣膜
109 200480006418.8 有機硅氧烷樹脂以及使用該有機硅氧烷樹脂的絕緣膜
110 200480007724.3 薄膜電容元件用組合物、高介電常數絕緣膜、薄膜電容元件、薄膜積層電容器及薄膜電容元件的制造方法
111 200380110280.1 薄膜電容元件用組合物、高介電常數的絕緣膜、薄膜電容元件、薄膜積層電容器、電路和電子儀器
112 200510113698.9 電容絕緣膜及其制造方法、電容元件及其制造方法和半導體存儲裝置及其制造方法
113 200480011316.5 高介電常數絕緣膜、薄膜電容元件、薄膜疊層電容器及薄膜電容元件的制造方法
114 200510128690.X 含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置
115 200510129035.6 絕緣膜以及半導體器件的制造方法
116 200510128689.7 含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置
117 200610059663.6 具有柵極絕緣膜的半導體裝置及其制造方法
118 200480023656.X 低介電常數絕緣膜的制造
119 200480030531.X 含有電路元件和絕緣膜的半導體模塊及其制造方法以及其應用
120 200480030737.2 絕緣膜的形成方法及其形成系統、半導體裝置的制造方法
121 200580001422.X 輻射敏感性樹脂組合物、層間絕緣膜和微透鏡以及它們的制備方法
122 200610099835.2 具有鐵電膜作為柵極絕緣膜的半導體器件及其制造方法
123 200610108370.2 形成含硅的絕緣膜的方法和裝置
124 200580001499.7 用于介電絕緣膜的涂料組合物以及由其制備的介電絕緣膜和包括該絕緣膜的電氣或電子裝置
125 200480015099.7 絕緣膜的改性方法
126 200610099383.8 電解電容器鋁殼體絕緣膜的涂覆方法
127 200610142136.1 放射線敏感性樹脂組合物、層間絕緣膜及微透鏡的形成
128 200580014628.6 絕緣膜形成用組合物和其制法及二氧化硅系絕緣膜和其形成法
129 200580015922.9 正型感光樹脂組合物以及由其獲得的層間絕緣膜和微透鏡
130 200610162324.0 基底絕緣膜的形成方法
131 200510124039.5 采用陽極處理工藝使電解電容器鋁殼體披覆絕緣膜的方法
132 200610160562.8 薄膜電容元件用組合物、絕緣膜、薄膜電容元件和電容器
133 200580023318.0 評價用于半導體裝置的絕緣膜的特性的方法以及形成該絕緣膜的方法
134 200610063978.8 有機絕緣體組合物、有機絕緣膜、有機薄膜晶體管和電子設備以及形成這些產品的方法
135 200610106004.3 形成絕緣膜的組合物以及制造半導體器件的方法
136 200580036456.2 絕緣膜形成方法及基板處理方法
137 200580036152.6 柵極絕緣膜的形成方法、半導體裝置和計算機記錄介質
138 200710005505.7 用于半導體器件的絕緣膜沉積方法
139 200580042404.6 絕緣膜半導體裝置及方法
140 200610092792.5 絕緣膜用接著劑的主劑
141 200580045961.3 含硅感光性組合物、使用該組合物的薄膜圖案的制造方法、電子機器用保護膜、柵極絕緣膜和薄膜晶體管
142 200680002010.2 固化性樹脂組合物和層間絕緣膜
143 200610029070.5 摻氟氧化硅玻璃層間絕緣膜的集成方法
144 200710140222.3 層間絕緣膜用感光性樹脂組合物及層間絕緣膜的形成方法
145 200680006129.7 用于壓電式作用力或壓力傳感器的、通過電絕緣膜固定在一起的部件
146 200710142216.1 形成絕緣膜的方法
147 200710141756.8 絕緣膜、半導體器件及其制造方法
148 200710142367.7 形成絕緣膜的方法和制造半導體器件的方法
149 200810082145.5 放射線敏感性樹脂組合物、層間絕緣膜和微透鏡、以及它們的制備方法
150 200810081085.5 絕緣膜的制造方法及半導體器件的制造方法
151 200810080697.2 絕緣膜
152 200810081281.2 絕緣膜材料、多層互連結構及其制造方法和半導體器件的制造方法
153 200810083464.8 貯存用于形成半導體器件用夾層絕緣膜的涂布溶液的方法
154 200810099074.X 放射線敏感性樹脂組合物、層間絕緣膜和微透鏡以及它們的形成方法
155 200810109584.0 氧化硅膜、其制備方法以及具有使用其的柵極絕緣膜的半導體器件
156 200810125444.2 感放射線性樹脂組合物、層間絕緣膜和微透鏡及其形成方法
157 200810133516.8 透明絕緣膜及其制造方法、以及濺射靶
158 200810130172.5 放射線敏感性樹脂組合物、以及層間絕緣膜和微透鏡及它們的制備方法
159 200810120979.0 用于微型麥克風的組合絕緣膜環及其制作方法
160 200780003934.9 絕緣膜研磨用CMP研磨劑、研磨方法、通過該研磨方法研磨的半導體電子部件
161 200710045573.6 LCD基板蓋板絕緣膜片V-com過孔結構
162 200810215525.1 用于形成半導體器件中的層間絕緣膜的方法
163 200680053309.0 有源矩陣基板、顯示裝置、電視接收機、有源矩陣基板的制造方法、柵極絕緣膜形成方法
164 200710184963.1 含有有機硅烷、有機硅氧烷化合物形成的絕緣膜用材料、其制造方法和半導體器件
165 200680054650.8 具有低介電性絕緣膜的半導體器件及其制造方法
166 200780018998.6 層間絕緣膜的干式蝕刻方法
167 200780019921.0 絕緣膜的形成方法和半導體裝置的制造方法
168 200780024417.X 電絕緣膜
169 200780027766.7 多孔質絕緣膜的形成方法
170 200910126757.4 薄膜形成方法和用于形成含硅絕緣膜的裝置
171 200910006641.7 絕緣膜的評價方法及測量電路
172 200910007638.7 感射線性樹脂組合物、層間絕緣膜和微透鏡以及它們的形成方法
173 200780035915.4 用于形成具有優良耐腐蝕性以及膜緊密粘合性和膜強度的絕緣膜的不含鉻的涂層溶液以及一種使用其在無取向電工......
174 200780035435.8 放射線敏感性組合物、二氧化硅系覆膜的形成方法、二氧化硅系覆膜、具有二氧化硅系覆膜的裝置和部件以及絕緣......
175 200780030018.4 膜形成用材料、以及含硅絕緣膜及其形成方法
176 200780039214.8 感光性樹脂組合物、絕緣膜、保護膜以及電子設備
177 200910127063.2 感射線性樹脂組合物以及層間絕緣膜和微透鏡的制造方法
178 200780041626.5 硅點形成方法及裝置以及帶硅點和絕緣膜的基板的形成方法及裝置
179 200910130094.3 形成摻雜有金屬的含硅絕緣膜的成膜方法和裝置
180 200880000824.1 具有低介電性絕緣膜的半導體器件及其制造方法
181 200780042489.7 雙（氨基苯酚）衍生物及其制造方法以及聚酰胺樹脂類、正型感光性樹脂組合物、保護膜、層間絕緣膜、半導體裝......
182 200880003344.0 液晶顯示元件用平坦化絕緣膜形成用組合物以及液晶顯示元件用平坦化絕緣膜的制造方法
183 200880003587.4 感光性樹脂組合物、固化膜、保護膜、絕緣膜及使用它們的半導體裝置和顯示裝置
184 200880004682.6 含硅膜形成用材料、以及含硅絕緣膜及其形成方法
185 200880004917.1 具有載體材料的層間絕緣膜和使用該層間絕緣膜的多層印刷電路板
186 200880005414.6 電絕緣膜及其制備方法
187 200420004651.X 變壓器絕緣膜結構
188 200620107291.5 用于電容式麥克風的整體式絕緣膜環
189 200820164191.5 用于微型麥克風的組合絕緣膜環
二、資料說明
本套資料共189項，涵蓋從1985到發貨當日國內該領域的全部專利；資料均為國家專利全文說明書，含技術配方、加工工藝、質量標準、專利發明人、權利要求書、說明書附圖等。資料權威可靠，假一賠十！
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