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  • 半導體襯底技術工藝薈萃-襯底材料類技術工藝全集
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    商品詳細說明
    產品品牌:潤杰
    產品型號:fyj-utf

    半導體襯底技術工藝薈萃-襯底材料類技術工藝全集

    本套半導體襯底技術系列技術全文,全部在2張優質光盤內,發給您的光盤內容會包含最新(今年)加進去的所有新的技術內容,全國各大城市均可貨到付款。

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    半導體襯底技術工藝薈萃-襯底材料類技術工藝全集部分目錄如下:
    [HT29866-0083-0001] 半導體襯底表面分析的預處理方法和裝置
    [HT29866-0373-0002] 用于雙襯底封裝的方法和裝置
    [HT29866-0409-0003] 半導體襯底的制造方法 [HT29866-0082-0004] 半導體襯底的對準掩模及其制造方法
    [HT29866-0430-0005] 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
    [HT29866-0632-0006] 一種降低SiGe虛擬襯底表面粗糙度的方法
    [HT29866-0088-0007] 使用*等離子體的半導體襯底的改進的氧化工藝
    [HT29866-0018-0008] 半導體襯底的生產方法
    [HT29866-0146-0009] 氮化物半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0358-0010] 一種在硅襯底上生長無裂紋Ⅲ族氮化物的方法
    [HT29866-0542-0011] 用于制造氮化鋁晶體的方法、氮化鋁晶體、氮化鋁晶體襯底和半導體器件
    [HT29866-0007-0012] 低襯底損耗電感
    [HT29866-0046-0013] 半導體襯底清洗方法與半導體器件制造方法
    [HT29866-0066-0014] 半導體襯底和薄膜器件及其制造方法以及陽極化處理裝置
    [HT29866-0484-0015] 半導體照明散熱襯底基板材料
    [HT29866-0355-0016] 在硅襯底上制備高質量發光半導體薄膜的方法

    [HT29866-0036-0017] 在半導體襯底上制造具有高質量氧化膜的半導體器件的方法
    [HT29866-0179-0018] 用于在半導體襯底上外延淀積膜的系統和方法
    [HT29866-0464-0019] 化合物半導體襯底及其檢測方法和表面處理方法和制造化合物半導體晶體的方法
    [HT29866-0642-0020] 襯底組件、組裝工藝和組裝裝置
    [HT29866-0196-0021] 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的制造方法
    [HT29866-0376-0022] 發光裝置、用于制造該發光裝置的方法及氮化物半導體襯底
    [HT29866-0142-0023] 第3-5族氮化物半導體多層襯底,用于制備第3-5族氮化物半導體自立襯底的方法和半導體元件
    [HT29866-0518-0024] 同一個襯底上具有相同導電類型的低和高性能器件的半導體器件結構
    [HT29866-0577-0025] 用于制備化合物半導體襯底的方法
    [HT29866-0425-0026] 半導體硅襯底上氧化鋁介電薄膜硅離子注入腐蝕方法
    [HT29866-0563-0027] 半導體晶體的制造方法和半導體襯底
    [HT29866-0507-0028] 半導體襯底、半導體裝置、以及其制造方法
    [HT29866-0317-0029] 制造半導體器件的方法以及一種半導體襯底
    [HT29866-0485-0030] 半導體襯底
    [HT29866-0475-0031] 集成有鰭式FET的平面型襯底器件及其制造方法
    [HT29866-0032-0032] 高熱導率氮化硅電路襯底和使用它的半導體器件
    [HT29866-0403-0033] 源極/漏極電極、晶體管襯底及其制造方法和顯示裝置
    [HT29866-0453-0034] 半導體集成電路器件及襯底偏置控制方法
    [HT29866-0606-0035] 一種采用近空間升華技術在襯底沉積形成半導體薄膜的方法和裝置
    [HT29866-0568-0036] 半導體襯底及其制造方法、以及半導體裝置的制造方法

    [HT29866-0466-0037] 半導體襯底、半導體器件和制造半導體襯底的方法
    [HT29866-0456-0038] 氮化物半導體襯底、其制法及氮化物半導體發光器件用外延襯底
    [HT29866-0023-0039] 半導體器件及其制法、SOI襯底及其制法和其顯示器件
    [HT29866-0483-0040] 粘結襯底的方法
    [HT29866-0182-0041] 半導體裝置的制造方法及半導體襯底
    [HT29866-0076-0042] 半導體器件及其制造方法和用于制造半導體器件的襯底
    [HT29866-0560-0043] 半導體襯底、電子器件、光學器件及其制造方法
    [HT29866-0411-0044] 在襯底上集成SiGe NPN和垂直PNP器件的方法及相關結構
    [HT29866-0121-0045] 多晶半導體薄膜襯底及其制造方法、半導體器件和電子器件
    [HT29866-0553-0046] 設置有半導體膜的襯底及其制造方法
    [HT29866-0494-0047] 襯底加熱設備和半導體制造方法
    [HT29866-0618-0048] 通過使用溶劑和系統的襯底清洗方法
    [HT29866-0170-0049] 用于將材料選擇性沉積到表面和襯底上的方法和裝置
    [HT29866-0503-0050] 包含在襯底上的至少一個單晶層的元件的制造方法
    [HT29866-0478-0051] 具有低缺陷的半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0351-0052] 襯底保持裝置和拋光裝置
    [HT29866-0353-0053] 具有硅襯底的氧化鋅薄膜及制備方法
    [HT29866-0092-0054] 半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0160-0055] 將半導體部件導電連接至襯底的方法和半導體結構
    [HT29866-0269-0056] 絕緣襯底上制備高質量半導體晶體薄膜的方法

    [HT29866-0056-0057] 制造同一襯底上混有MOS晶體管和雙極晶體管的半導體器件的方法
    [HT29866-0339-0058] 用于制備可分離半導體組件的工藝、特別是制成電子器件、光電器件和光學器件用的襯底
    [HT29866-0042-0059] 具有低阻薄層襯底結構的高壓硅管
    [HT29866-0240-0060] 布線襯底、使用該布線襯底的固態成像裝置及其制造方法
    [HT29866-0510-0061] 制備半導體襯底的方法
    [HT29866-0130-0062] 形成倒裝芯片式半導體封裝的方法及其半導體封裝和襯底
    [HT29866-0512-0063] GaAs半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0435-0064] 半導體裝置、電子設備及半導體裝置用襯底的制造方法
    [HT29866-0417-0065] 用于半導體襯底的高壓處理室
    [HT29866-0041-0066] Ⅱ-Ⅵ族膜襯底蝕孔結構及加工方法
    [HT29866-0624-0067] 碳化硅半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0324-0068] 襯底保持裝置以及拋光裝置
    [HT29866-0087-0069] 半導體襯底及其制備方法
    [HT29866-0203-0070] 一種用于形成如圖 5所示具有襯底(2)、帶有至少一個溝槽(52)的電壓維持外延層(1)、以及鄰接并環......
    [HT29866-0330-0071] 半導體襯底和場效應晶體管以及它們的制造方法
    [HT29866-0246-0072] 2O4/α-Al2O3復合襯底材料的制備方法&ipc=H01L21/00" class="a01">
    [HT29866-0343-0073] 用于將微結構接合到半導體襯底的方法及其半導體結構
    [HT29866-0586-0074] GaAs半導體襯底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及制造方法
    [HT29866-0597-0075] 制造陶瓷襯底的方法以及陶瓷襯底
    [HT29866-0214-0076] 固態成像裝置、布線襯底和制造該襯底的方法

    [HT29866-0252-0077] 半導體襯底生產方法及半導體襯底和半導體器件
    [HT29866-0304-0078] 晶格調諧半導體襯底的形成
    [HT29866-0634-0079] 一種半導體襯底的生長方法
    [HT29866-0441-0080] 用于生長懸臂外延的襯底及其制造方法
    [HT29866-0109-0081] 半導體芯片與襯底的焊接
    [HT29866-0236-0082] 第Ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半導體器件
    [HT29866-0021-0083] 薄膜半導體外延襯底及其生產工藝
    [HT29866-0079-0084] 在集成電路中形成接觸芯柱且同時平面化襯底表面的方法
    [HT29866-0394-0085] 半導體器件及其制法、SOI襯底及其制法和其顯示器件
    [HT29866-0575-0086] 用于將半導體襯底鍵合到金屬襯底的方法
    [HT29866-0341-0087] 半導體襯底、半導體器件制造方法和半導體器件測試方法
    [HT29866-0176-0088] 適合于蝕刻高縱橫比結構的襯底支座
    [HT29866-0134-0089] 電子器件的金剛石基襯底
    [HT29866-0081-0090] 多層安裝襯底上的表面安裝式半導體封裝
    [HT29866-0060-0091] 用于在半導體襯底上制成很小結構寬度的方法
    [HT29866-0167-0092] Ⅲ族氮化物半導體襯底
    [HT29866-0547-0093] 一種用于制備氮化物半導體襯底的HVPE反應器
    [HT29866-0534-0094] 垂直發射的、被光泵浦的、在單獨的襯底上具有外部諧振器和頻率倍增器的半導體
    [HT29866-0549-0095] 具有支持襯底的氮化物半導體器件及其制造方法
    [HT29866-0374-0096] 導電性半導體襯底上的電極焊盤

    [HT29866-0619-0097] 制造半導體襯底疊層的系統、結構和方法
    [HT29866-0487-0098] 使兩個半導體襯底的鋁電極接合的方法
    [HT29866-0639-0099] 用于半導體發光器件的固體金屬塊安裝襯底和用于制造它的氧化方法
    [HT29866-0127-0100] 半導體襯底制備方法
    [HT29866-0027-0101] 具有柔性襯底的矩陣陣列器件
    [HT29866-0613-0102] GaN外延襯底、半導體器件以及制造GaN外延襯底和半導體器件的方法
    [HT29866-0366-0103] 用于改進高K柵介質MOS晶體管性能的襯底處理方法
    [HT29866-0001-0104] 半導體裝置及其制造方法、電路襯底以及電子儀器
    [HT29866-0382-0105] 薄膜晶體管陣列襯底及其金屬層的制作方法
    [HT29866-0192-0106] 在半導體襯底中形成窄溝槽的方法
    [HT29866-0120-0107] 在半導體襯底上化學汽相淀積鎢的方法
    [HT29866-0628-0108] 一種外延生長用的圖形襯底及其制作方法
    [HT29866-0288-0109] 具有鍺化硅材料和受應力氮化硅層的襯底
    [HT29866-0113-0110] 拋光銅膜后清潔處理半導體襯底的方法和設備
    [HT29866-0011-0111] 襯底處理裝置和半導體器件的制造方法
    [HT29866-0191-0112] 柔性襯底及其制造方法以及半導體封裝
    [HT29866-0233-0113] Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
    [HT29866-0166-0114] Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體襯底制造方法
    [HT29866-0162-0115] 半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0585-0116] 減少半導體器件中襯底電流的方法

    [HT29866-0451-0117] 包含用于外部觸點的外部接觸墊片的半導體部件的布線襯底及其制造方法
    [HT29866-0173-0118] 氣體旋轉襯底座
    [HT29866-0383-0119] 氮化鎵半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0477-0120] 半導體器件與硅襯底的剝離方法
    [HT29866-0096-0121] 半導體疊層襯底、晶體襯底和半導體器件及其制造方法
    [HT29866-0565-0122] 具有精細隱埋絕緣層的SOI襯底
    [HT29866-0138-0123] 包括兩片帶有多個半導體芯片和電子元件的襯底的功率電子封裝件
    [HT29866-0467-0124] 表面處理方法、氮化物晶體襯底、半導體器件和制造方法
    [HT29866-0582-0125] 半絕緣氮化物半導體襯底及其制造方法、氮化物半導體外延襯底和場效應晶體管
    [HT29866-0297-0126] 用于半導體襯底上的金屬層和圖形的腐蝕-抑制清洗組合物
    [HT29866-0177-0127] 硅襯底上生長低位錯氮化鎵的方法
    [HT29866-0100-0128] 一種制備半導體襯底的方法
    [HT29866-0636-0129] 薄膜太陽能電池襯底以及薄膜太陽能電池的制作方法
    [HT29866-0254-0130] 半導體襯底及其制造方法和半導體器件及其制造方法
    [HT29866-0199-0131] 硅襯底上的氮化物半導體及其制造方法
    [HT29866-0530-0132] 控制UV照射以固化半導體襯底的方法
    [HT29866-0165-0133] 在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法
    [HT29866-0443-0134] 半導體元件形成用襯底及半導體元件的制造方法
    [HT29866-0535-0135] 具有帶有阻擋層的半導體襯底的集成電路
    [HT29866-0406-0136] 氮化物半導體襯底及器件

    [HT29866-0556-0137] 在雙表面取向襯底上促進均勻拋光的硅沉積
    [HT29866-0601-0138] 在襯底表面上產生電功能層的方法
    [HT29866-0080-0139] 在玻璃襯底上形成結晶半導體薄膜
    [HT29866-0452-0140] 2襯底上生長ZnO薄膜的方法&ipc=H01L21/363(2006.01)I" class="a01">
    [HT29866-0413-0141] 氮化物系半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0513-0142] 粘貼有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體層的襯底和半導體器件
    [HT29866-0049-0143] 2O3復合材料在Ⅲ-V族氮化物外延生長中做襯底的方法&ipc=H01L21/02" class="a01">
    [HT29866-0651-0144] 一種用于拋光襯底的拋光部件
    [HT29866-0267-0145] 延長用于芯片和襯底連接的C4焊球的疲勞壽命
    [HT29866-0440-0146] 摻雜有較襯底原子擴散速度更慢原子的隔離層的半導體器件
    [HT29866-0103-0147] 有增強的抗破裂強度的半導體襯底及其形成方法
    [HT29866-0314-0148] Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體
    [HT29866-0643-0149] 用于制造復合襯底的工藝
    [HT29866-0465-0150] 雙應力SOI襯底
    [HT29866-0391-0151] 用于大面積襯底的改進磁控管濺射系統
    [HT29866-0074-0152] 在半導體襯底中建立高導電性埋入的側面絕緣區域的方法
    [HT29866-0299-0153] 制造半導體器件的方法和半導體襯底的支撐結構
    [HT29866-0326-0154] 極粗糙的襯底上的半導體結構
    [HT29866-0286-0155] 柔性襯底薄膜太陽電池襯底的清洗方法
    [HT29866-0225-0156] 包含流量增強特征的半導體襯底高壓加工室

    [HT29866-0110-0157] 以氧化鋁為埋層的絕緣層上硅結構的襯底材料及制備方法
    [HT29866-0052-0158] 光半導體器件在支承襯底上的安裝方法及二者構成的組件
    [HT29866-0115-0159] 制造具有在半導體襯底內分段延伸布線的半導體器件的方法及用這種方法可制造的半導體器件
    [HT29866-0578-0160] 包括襯底和壓力裝置的功率半導體模塊
    [HT29866-0013-0161] 半導體襯底的化學溶液處理裝置
    [HT29866-0004-0162] 半導體裝置用襯底的制造方法及半導體裝置用襯底
    [HT29866-0216-0163] 引線的接觸結構及其制造方法,包括該接觸結構的薄膜晶體管陣列襯底及其制造方法
    [HT29866-0296-0164] 半導體襯底及其制造方法
    [HT29866-0369-0165] 混合晶向襯底上的高性能CMOS SOI器件
    [HT29866-0193-0166] 用于多個半導體襯底的高壓處理室
    [HT29866-0571-0167] SOI襯底及其制造方法
    [HT29866-0058-0168] 在輻射檢測器和成象裝置的襯底上形成觸電的方法
    [HT29866-0593-0169] 化合物半導體襯底的制造方法
    [HT29866-0389-0170] 應變半導體襯底及其制法
    [HT29866-0157-0171] 用于鈍化襯底表面的方法
    [HT29866-0208-0172] 導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產技術和工藝
    [HT29866-0493-0173] 在具有混合晶向的襯底中的高可制造的SRAM單元
    [HT29866-0151-0174] 無外延襯底中隔離的互補金屬氧化物硅器件
    [HT29866-0247-0175] 半導體襯底及其制造方法,以及半導體器件及其制造方法
    [HT29866-0388-0176] 制造絕緣體上應變半導體襯底的方法

    [HT29866-0437-0177] Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底、其制造方法及Ⅲ-Ⅴ族氮化物系發光元件
    [HT29866-0063-0178] 氧化銦膜的形成方法,具有氧化銦膜的襯底及半導體元件
    [HT29866-0224-0179] 襯底傳送容器
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    [HT29866-0608-0181] 在藍寶石襯底上二次生長高質量ZnO單晶厚膜的方法
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    [HT29866-0552-0184] 通過加熱襯底生產的半導體器件的制造設備和制造方法
    [HT29866-0340-0185] 由襯底上的電氣組件構成的裝置以及制造這種裝置的方法
    [HT29866-0126-0186] 化合物半導體襯底的制造方法
    [HT29866-0328-0187] 半絕緣襯底長波長半導體激光器及其制作方法
    [HT29866-0033-0188] 半導體襯底的制備
    [HT29866-0068-0189] 氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
    [HT29866-0500-0190] 在塊狀襯底上集成平面型與非平面型CMOS晶體管的工藝及用此工藝制作的器件
    [HT29866-0070-0191] 能夠減少流過襯底的漏電流的半導體存儲器件
    [HT29866-0367-0192] 具有圖案的襯底及其制造方法,和半導體器件及其制造方法
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