- 產品品牌：潤杰
- 產品型號：fyj-utf
半導體襯底技術工藝薈萃-襯底材料類技術工藝全集
本套半導體襯底技術系列技術全文，全部在2張優質光盤內，發給您的光盤內容會包含最新（今年）加進去的所有新的技術內容，全國各大城市均可貨到付款。
本套半導體襯底技術工藝薈萃-襯底材料類技術工藝全集內每個技術項目如果是機械設備類，都包括原理圖，剖面圖和圖解（ 也就是圖紙說明）以及文字說明。其他技術項目都詳細地闡述了襯底材料技術領域內現有市場產品技術分析，新產品發明的市場背景，新產品制作的主要技術原理，包括襯底材料的生產工藝過程，原料配方，具體實施例，以及該項目的研制單位名稱，通信地址，研制時間等。是襯底材料生產企業不可多得的技術開發，企業生產的技術匯編資料。為您的企業參與市場產品開發提供第一手寶貴資料。
咨詢電話：15593788008。
半導體襯底技術工藝薈萃-襯底材料類技術工藝全集部分目錄如下:
[HT29866-0083-0001] 半導體襯底表面分析的預處理方法和裝置
[HT29866-0373-0002] 用于雙襯底封裝的方法和裝置
[HT29866-0409-0003] 半導體襯底的制造方法 [HT29866-0082-0004] 半導體襯底的對準掩模及其制造方法
[HT29866-0430-0005] 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
[HT29866-0632-0006] 一種降低SiGe虛擬襯底表面粗糙度的方法
[HT29866-0088-0007] 使用*等離子體的半導體襯底的改進的氧化工藝
[HT29866-0018-0008] 半導體襯底的生產方法
[HT29866-0146-0009] 氮化物半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0358-0010] 一種在硅襯底上生長無裂紋Ⅲ族氮化物的方法
[HT29866-0542-0011] 用于制造氮化鋁晶體的方法、氮化鋁晶體、氮化鋁晶體襯底和半導體器件
[HT29866-0007-0012] 低襯底損耗電感
[HT29866-0046-0013] 半導體襯底清洗方法與半導體器件制造方法
[HT29866-0066-0014] 半導體襯底和薄膜器件及其制造方法以及陽極化處理裝置
[HT29866-0484-0015] 半導體照明散熱襯底基板材料
[HT29866-0355-0016] 在硅襯底上制備高質量發光半導體薄膜的方法
[HT29866-0036-0017] 在半導體襯底上制造具有高質量氧化膜的半導體器件的方法
[HT29866-0179-0018] 用于在半導體襯底上外延淀積膜的系統和方法
[HT29866-0464-0019] 化合物半導體襯底及其檢測方法和表面處理方法和制造化合物半導體晶體的方法
[HT29866-0642-0020] 襯底組件、組裝工藝和組裝裝置
[HT29866-0196-0021] 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的制造方法
[HT29866-0376-0022] 發光裝置、用于制造該發光裝置的方法及氮化物半導體襯底
[HT29866-0142-0023] 第3-5族氮化物半導體多層襯底，用于制備第3-5族氮化物半導體自立襯底的方法和半導體元件
[HT29866-0518-0024] 同一個襯底上具有相同導電類型的低和高性能器件的半導體器件結構
[HT29866-0577-0025] 用于制備化合物半導體襯底的方法
[HT29866-0425-0026] 半導體硅襯底上氧化鋁介電薄膜硅離子注入腐蝕方法
[HT29866-0563-0027] 半導體晶體的制造方法和半導體襯底
[HT29866-0507-0028] 半導體襯底、半導體裝置、以及其制造方法
[HT29866-0317-0029] 制造半導體器件的方法以及一種半導體襯底
[HT29866-0485-0030] 半導體襯底
[HT29866-0475-0031] 集成有鰭式FET的平面型襯底器件及其制造方法
[HT29866-0032-0032] 高熱導率氮化硅電路襯底和使用它的半導體器件
[HT29866-0403-0033] 源極/漏極電極、晶體管襯底及其制造方法和顯示裝置
[HT29866-0453-0034] 半導體集成電路器件及襯底偏置控制方法
[HT29866-0606-0035] 一種采用近空間升華技術在襯底沉積形成半導體薄膜的方法和裝置
[HT29866-0568-0036] 半導體襯底及其制造方法、以及半導體裝置的制造方法
[HT29866-0466-0037] 半導體襯底、半導體器件和制造半導體襯底的方法
[HT29866-0456-0038] 氮化物半導體襯底、其制法及氮化物半導體發光器件用外延襯底
[HT29866-0023-0039] 半導體器件及其制法、SOI襯底及其制法和其顯示器件
[HT29866-0483-0040] 粘結襯底的方法
[HT29866-0182-0041] 半導體裝置的制造方法及半導體襯底
[HT29866-0076-0042] 半導體器件及其制造方法和用于制造半導體器件的襯底
[HT29866-0560-0043] 半導體襯底、電子器件、光學器件及其制造方法
[HT29866-0411-0044] 在襯底上集成SiGe NPN和垂直PNP器件的方法及相關結構
[HT29866-0121-0045] 多晶半導體薄膜襯底及其制造方法、半導體器件和電子器件
[HT29866-0553-0046] 設置有半導體膜的襯底及其制造方法
[HT29866-0494-0047] 襯底加熱設備和半導體制造方法
[HT29866-0618-0048] 通過使用溶劑和系統的襯底清洗方法
[HT29866-0170-0049] 用于將材料選擇性沉積到表面和襯底上的方法和裝置
[HT29866-0503-0050] 包含在襯底上的至少一個單晶層的元件的制造方法
[HT29866-0478-0051] 具有低缺陷的半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0351-0052] 襯底保持裝置和拋光裝置
[HT29866-0353-0053] 具有硅襯底的氧化鋅薄膜及制備方法
[HT29866-0092-0054] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0160-0055] 將半導體部件導電連接至襯底的方法和半導體結構
[HT29866-0269-0056] 絕緣襯底上制備高質量半導體晶體薄膜的方法
[HT29866-0056-0057] 制造同一襯底上混有MOS晶體管和雙極晶體管的半導體器件的方法
[HT29866-0339-0058] 用于制備可分離半導體組件的工藝、特別是制成電子器件、光電器件和光學器件用的襯底
[HT29866-0042-0059] 具有低阻薄層襯底結構的高壓硅管
[HT29866-0240-0060] 布線襯底、使用該布線襯底的固態成像裝置及其制造方法
[HT29866-0510-0061] 制備半導體襯底的方法
[HT29866-0130-0062] 形成倒裝芯片式半導體封裝的方法及其半導體封裝和襯底
[HT29866-0512-0063] GaAs半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0435-0064] 半導體裝置、電子設備及半導體裝置用襯底的制造方法
[HT29866-0417-0065] 用于半導體襯底的高壓處理室
[HT29866-0041-0066] Ⅱ-Ⅵ族膜襯底蝕孔結構及加工方法
[HT29866-0624-0067] 碳化硅半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0324-0068] 襯底保持裝置以及拋光裝置
[HT29866-0087-0069] 半導體襯底及其制備方法
[HT29866-0203-0070] 一種用于形成如圖 5所示具有襯底(2)、帶有至少一個溝槽(52)的電壓維持外延層(1)、以及鄰接并環......
[HT29866-0330-0071] 半導體襯底和場效應晶體管以及它們的制造方法
[HT29866-0246-0072] 2O4/α-Al2O3復合襯底材料的制備方法&ipc=H01L21/00" class="a01">
[HT29866-0343-0073] 用于將微結構接合到半導體襯底的方法及其半導體結構
[HT29866-0586-0074] GaAs半導體襯底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及制造方法
[HT29866-0597-0075] 制造陶瓷襯底的方法以及陶瓷襯底
[HT29866-0214-0076] 固態成像裝置、布線襯底和制造該襯底的方法
[HT29866-0252-0077] 半導體襯底生產方法及半導體襯底和半導體器件
[HT29866-0304-0078] 晶格調諧半導體襯底的形成
[HT29866-0634-0079] 一種半導體襯底的生長方法
[HT29866-0441-0080] 用于生長懸臂外延的襯底及其制造方法
[HT29866-0109-0081] 半導體芯片與襯底的焊接
[HT29866-0236-0082] 第Ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半導體器件
[HT29866-0021-0083] 薄膜半導體外延襯底及其生產工藝
[HT29866-0079-0084] 在集成電路中形成接觸芯柱且同時平面化襯底表面的方法
[HT29866-0394-0085] 半導體器件及其制法、SOI襯底及其制法和其顯示器件
[HT29866-0575-0086] 用于將半導體襯底鍵合到金屬襯底的方法
[HT29866-0341-0087] 半導體襯底、半導體器件制造方法和半導體器件測試方法
[HT29866-0176-0088] 適合于蝕刻高縱橫比結構的襯底支座
[HT29866-0134-0089] 電子器件的金剛石基襯底
[HT29866-0081-0090] 多層安裝襯底上的表面安裝式半導體封裝
[HT29866-0060-0091] 用于在半導體襯底上制成很小結構寬度的方法
[HT29866-0167-0092] Ⅲ族氮化物半導體襯底
[HT29866-0547-0093] 一種用于制備氮化物半導體襯底的HVPE反應器
[HT29866-0534-0094] 垂直發射的、被光泵浦的、在單獨的襯底上具有外部諧振器和頻率倍增器的半導體
[HT29866-0549-0095] 具有支持襯底的氮化物半導體器件及其制造方法
[HT29866-0374-0096] 導電性半導體襯底上的電極焊盤
[HT29866-0619-0097] 制造半導體襯底疊層的系統、結構和方法
[HT29866-0487-0098] 使兩個半導體襯底的鋁電極接合的方法
[HT29866-0639-0099] 用于半導體發光器件的固體金屬塊安裝襯底和用于制造它的氧化方法
[HT29866-0127-0100] 半導體襯底制備方法
[HT29866-0027-0101] 具有柔性襯底的矩陣陣列器件
[HT29866-0613-0102] GaN外延襯底、半導體器件以及制造GaN外延襯底和半導體器件的方法
[HT29866-0366-0103] 用于改進高K柵介質MOS晶體管性能的襯底處理方法
[HT29866-0001-0104] 半導體裝置及其制造方法、電路襯底以及電子儀器
[HT29866-0382-0105] 薄膜晶體管陣列襯底及其金屬層的制作方法
[HT29866-0192-0106] 在半導體襯底中形成窄溝槽的方法
[HT29866-0120-0107] 在半導體襯底上化學汽相淀積鎢的方法
[HT29866-0628-0108] 一種外延生長用的圖形襯底及其制作方法
[HT29866-0288-0109] 具有鍺化硅材料和受應力氮化硅層的襯底
[HT29866-0113-0110] 拋光銅膜后清潔處理半導體襯底的方法和設備
[HT29866-0011-0111] 襯底處理裝置和半導體器件的制造方法
[HT29866-0191-0112] 柔性襯底及其制造方法以及半導體封裝
[HT29866-0233-0113] Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
[HT29866-0166-0114] Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體襯底制造方法
[HT29866-0162-0115] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0585-0116] 減少半導體器件中襯底電流的方法
[HT29866-0451-0117] 包含用于外部觸點的外部接觸墊片的半導體部件的布線襯底及其制造方法
[HT29866-0173-0118] 氣體旋轉襯底座
[HT29866-0383-0119] 氮化鎵半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0477-0120] 半導體器件與硅襯底的剝離方法
[HT29866-0096-0121] 半導體疊層襯底、晶體襯底和半導體器件及其制造方法
[HT29866-0565-0122] 具有精細隱埋絕緣層的SOI襯底
[HT29866-0138-0123] 包括兩片帶有多個半導體芯片和電子元件的襯底的功率電子封裝件
[HT29866-0467-0124] 表面處理方法、氮化物晶體襯底、半導體器件和制造方法
[HT29866-0582-0125] 半絕緣氮化物半導體襯底及其制造方法、氮化物半導體外延襯底和場效應晶體管
[HT29866-0297-0126] 用于半導體襯底上的金屬層和圖形的腐蝕-抑制清洗組合物
[HT29866-0177-0127] 硅襯底上生長低位錯氮化鎵的方法
[HT29866-0100-0128] 一種制備半導體襯底的方法
[HT29866-0636-0129] 薄膜太陽能電池襯底以及薄膜太陽能電池的制作方法
[HT29866-0254-0130] 半導體襯底及其制造方法和半導體器件及其制造方法
[HT29866-0199-0131] 硅襯底上的氮化物半導體及其制造方法
[HT29866-0530-0132] 控制UV照射以固化半導體襯底的方法
[HT29866-0165-0133] 在半導體襯底上制備有序砷化銦量子點的方法
[HT29866-0443-0134] 半導體元件形成用襯底及半導體元件的制造方法
[HT29866-0535-0135] 具有帶有阻擋層的半導體襯底的集成電路
[HT29866-0406-0136] 氮化物半導體襯底及器件
[HT29866-0556-0137] 在雙表面取向襯底上促進均勻拋光的硅沉積
[HT29866-0601-0138] 在襯底表面上產生電功能層的方法
[HT29866-0080-0139] 在玻璃襯底上形成結晶半導體薄膜
[HT29866-0452-0140] 2襯底上生長ZnO薄膜的方法&ipc=H01L21/363(2006.01)I" class="a01">
[HT29866-0413-0141] 氮化物系半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0513-0142] 粘貼有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體層的襯底和半導體器件
[HT29866-0049-0143] 2O3復合材料在Ⅲ－V族氮化物外延生長中做襯底的方法&ipc=H01L21/02" class="a01">
[HT29866-0651-0144] 一種用于拋光襯底的拋光部件
[HT29866-0267-0145] 延長用于芯片和襯底連接的C4焊球的疲勞壽命
[HT29866-0440-0146] 摻雜有較襯底原子擴散速度更慢原子的隔離層的半導體器件
[HT29866-0103-0147] 有增強的抗破裂強度的半導體襯底及其形成方法
[HT29866-0314-0148] Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體
[HT29866-0643-0149] 用于制造復合襯底的工藝
[HT29866-0465-0150] 雙應力SOI襯底
[HT29866-0391-0151] 用于大面積襯底的改進磁控管濺射系統
[HT29866-0074-0152] 在半導體襯底中建立高導電性埋入的側面絕緣區域的方法
[HT29866-0299-0153] 制造半導體器件的方法和半導體襯底的支撐結構
[HT29866-0326-0154] 極粗糙的襯底上的半導體結構
[HT29866-0286-0155] 柔性襯底薄膜太陽電池襯底的清洗方法
[HT29866-0225-0156] 包含流量增強特征的半導體襯底高壓加工室
[HT29866-0110-0157] 以氧化鋁為埋層的絕緣層上硅結構的襯底材料及制備方法
[HT29866-0052-0158] 光半導體器件在支承襯底上的安裝方法及二者構成的組件
[HT29866-0115-0159] 制造具有在半導體襯底內分段延伸布線的半導體器件的方法及用這種方法可制造的半導體器件
[HT29866-0578-0160] 包括襯底和壓力裝置的功率半導體模塊
[HT29866-0013-0161] 半導體襯底的化學溶液處理裝置
[HT29866-0004-0162] 半導體裝置用襯底的制造方法及半導體裝置用襯底
[HT29866-0216-0163] 引線的接觸結構及其制造方法,包括該接觸結構的薄膜晶體管陣列襯底及其制造方法
[HT29866-0296-0164] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0369-0165] 混合晶向襯底上的高性能CMOS SOI器件
[HT29866-0193-0166] 用于多個半導體襯底的高壓處理室
[HT29866-0571-0167] SOI襯底及其制造方法
[HT29866-0058-0168] 在輻射檢測器和成象裝置的襯底上形成觸電的方法
[HT29866-0593-0169] 化合物半導體襯底的制造方法
[HT29866-0389-0170] 應變半導體襯底及其制法
[HT29866-0157-0171] 用于鈍化襯底表面的方法
[HT29866-0208-0172] 導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產技術和工藝
[HT29866-0493-0173] 在具有混合晶向的襯底中的高可制造的SRAM單元
[HT29866-0151-0174] 無外延襯底中隔離的互補金屬氧化物硅器件
[HT29866-0247-0175] 半導體襯底及其制造方法，以及半導體器件及其制造方法
[HT29866-0388-0176] 制造絕緣體上應變半導體襯底的方法
[HT29866-0437-0177] Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底、其制造方法及Ⅲ-Ⅴ族氮化物系發光元件
[HT29866-0063-0178] 氧化銦膜的形成方法,具有氧化銦膜的襯底及半導體元件
[HT29866-0224-0179] 襯底傳送容器
[HT29866-0071-0180] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0608-0181] 在藍寶石襯底上二次生長高質量ZnO單晶厚膜的方法
[HT29866-0234-0182] 將相異移除速度應用到襯底表面的方法與裝置
[HT29866-0590-0183] 一種半導體功率器件用襯底硅片及其制造工藝
[HT29866-0552-0184] 通過加熱襯底生產的半導體器件的制造設備和制造方法
[HT29866-0340-0185] 由襯底上的電氣組件構成的裝置以及制造這種裝置的方法
[HT29866-0126-0186] 化合物半導體襯底的制造方法
[HT29866-0328-0187] 半絕緣襯底長波長半導體激光器及其制作方法
[HT29866-0033-0188] 半導體襯底的制備
[HT29866-0068-0189] 氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
[HT29866-0500-0190] 在塊狀襯底上集成平面型與非平面型CMOS晶體管的工藝及用此工藝制作的器件
[HT29866-0070-0191] 能夠減少流過襯底的漏電流的半導體存儲器件
[HT29866-0367-0192] 具有圖案的襯底及其制造方法，和半導體器件及其制造方法
[HT29866-0215-0193] 使用硅-硅直接晶片鍵合、在具有不同晶向的混合襯底上的CMOS
[HT29866-0412-0194] 半導體器件及其制造方法和半導體器件制造中使用的襯底
[HT29866-0396-0195] 布線襯底以及半導體裝置的制造方法
[HT29866-0051-0196] 一種裝配半導體元件到襯底上的構件及其裝配方法
[HT29866-0230-0197] 電子部件安裝用襯底、電子部件和半導體器件
[HT29866-0650-0198] 一種砷化鎵基半導體-氧化物絕緣襯底
[HT29866-0428-0199] 熱輻射半導體芯片和條帶引線襯底及使用其的條帶封裝
[HT29866-0523-0200] 柔性襯底薄膜太陽電池及專用設備
[HT29866-0648-0201] 氮化鎵半導體襯底和藍色發光器件
[HT29866-0184-0202] 設置在半導體襯底上并具有位于襯底相對側上用于驅動調制器的微處理器電路的空間光調制器
[HT29866-0313-0203] 具有用于將封裝件襯底接合到印刷電路板的復合電子觸點的電子組件
[HT29866-0612-0204] Ⅲ族氮化物單晶自立式襯底及利用該襯底制造半導體裝置的方法
[HT29866-0527-0205] 半導體用氮化物襯底及其制備方法
[HT29866-0587-0206] 使用體半導體晶片形成改善的SOI襯底
[HT29866-0260-0207] 氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
[HT29866-0158-0208] 利用一個或多個半導體襯底制造材料的獨立式厚度的方法
[HT29866-0472-0209] 氮化物半導體自支撐襯底和氮化物半導體發光元件
[HT29866-0517-0210] 具有快速溫度變化的襯底支撐結構
[HT29866-0261-0211] 薄膜晶體管陣列襯底及其制造方法
[HT29866-0544-0212] 用于氮化物外延生長的納米級圖形襯底的制作方法
[HT29866-0625-0213] 對帶有絕緣埋層的半導體襯底進行邊緣倒角的方法
[HT29866-0031-0214] 半導體襯底的制造方法
[HT29866-0644-0215] 摻雜有較襯底原子擴散速度更慢原子的隔離層的半導體器件
[HT29866-0307-0216] ZnO-GaN復合襯底GaN發光器件及其制備方法
[HT29866-0498-0217] 半導體封裝、襯底、使用這種半導體封裝或襯底的電子器件和用于校正半導體封裝翹曲的方法
[HT29866-0525-0218] 一種利用線性偏振光來檢驗半導體襯底晶體質量的方法
[HT29866-0482-0219] 電路襯底和半導體器件
[HT29866-0424-0220] 氮化物系半導體襯底及半導體裝置
[HT29866-0141-0221] 半導體襯底的制造方法
[HT29866-0281-0222] 在半導體襯底上濺射保護涂層的方法
[HT29866-0266-0223] 襯底處理和光刻膠曝光方法
[HT29866-0139-0224] 具有改善熱導率的難熔金屬襯底
[HT29866-0244-0225] 具有硅襯底的電子電路器件
[HT29866-0218-0226] 半導體輻射襯底及其生產方法和組件
[HT29866-0442-0227] 半導體散熱襯底及其生產方法和組件
[HT29866-0491-0228] 生成Ⅲ-N層的方法，和Ⅲ-N層或Ⅲ-N襯底，以及其上的器件
[HT29866-0566-0229] 半導體襯底的制造方法、半導體裝置、及電子設備
[HT29866-0359-0230] 半導體襯底的原位凈化方法和半導體器件制造方法
[HT29866-0132-0231] 倒裝芯片封裝方法及其襯底間連接方法
[HT29866-0284-0232] 元件形成用襯底及其制造方法和半導體裝置
[HT29866-0073-0233] 用于半導體襯底的多層焊料密封帶及其工藝
[HT29866-0598-0234] 用于半導體倒裝芯片封裝的襯底和過程
[HT29866-0345-0235] 半導體襯底、半導體器件、發光二極管及其制造方法
[HT29866-0395-0236] 利用固相外延再生長的具有降低的摻雜輪廓深度的半導體襯底及其制作方法
[HT29866-0009-0237] 一種處理半導體晶片的方法和所用的半導體晶片的襯底
[HT29866-0318-0238] 半導體襯底及在半導體襯底上通過外延生長制造的半導體器件
[HT29866-0458-0239] 襯底、半導體器件及其形成方法
[HT29866-0371-0240] 在抗蝕劑剝離室中從襯底上除去抗蝕劑的方法
[HT29866-0291-0241] 無外延襯底中隔離的互補金屬氧化物硅器件
[HT29866-0054-0242] 半導體襯底及其制造工藝以及在其上制作的電子器件
[HT29866-0207-0243] 準氮化鋁和準氮化鎵基生長襯底及在氮化鋁陶瓷片上生長的方法
[HT29866-0436-0244] 藍寶石襯底粗糙化的發光二極管及其制造方法
[HT29866-0438-0245] 電流輸運增透窗口層和高反射圖形轉移襯底結構的發光二極管
[HT29866-0217-0246] 襯底處理方法及半導體裝置的制造方法
[HT29866-0238-0247] 位于絕緣體上硅結構襯底上的相變存儲器單元
[HT29866-0532-0248] GaN襯底、帶外延層的襯底、半導體器件及GaN襯底制造方法
[HT29866-0181-0249] 半導體裝置的制造方法及使用這種方法的半導體襯底的制造方法
[HT29866-0457-0250] 使用襯底傾斜的半導體摻雜
[HT29866-0148-0251] 一種用于氧化鋅外延薄膜生長的硅基可協變襯底材料
[HT29866-0521-0252] 襯底表面清洗方法、薄膜制造方法、半導體裝置及其制法
[HT29866-0059-0253] SOI/本體混合襯底及其制作方法
[HT29866-0312-0254] 硅襯底上Ⅲ族氮化物半導體外延生長技術
[HT29866-0123-0255] 半導體器件、電路襯底、光電裝置和電子設備
[HT29866-0188-0256] 用于生成氧化鋅薄膜的鎢酸鋅單晶襯底的制備方法
[HT29866-0169-0257] 薄膜晶體管陣列襯底的制造方法、及薄膜晶體管陣列襯底
[HT29866-0274-0258] 用于傳送襯底載體的方法和設備
[HT29866-0107-0259] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0446-0260] 半導體器件的制造方法以及襯底處理裝置
[HT29866-0212-0261] 在襯底表面上形成不同厚度氧化層的方法
[HT29866-0278-0262] 一種防止旁瓣被刻蝕轉移到襯底的方法
[HT29866-0450-0263] 絕緣體上半導體襯底和器件及其形成方法
[HT29866-0320-0264] 在BOX兩側具有襯底接觸部分的SOI結構及該結構的制造方法
[HT29866-0431-0265] 制作電路化襯底的方法
[HT29866-0097-0266] 在晶格高度失配的襯底上外延生長半導體的方法
[HT29866-0322-0267] 在含SIGE襯底上降低硅化物形成溫度
[HT29866-0308-0268] 用于安裝半導體的布線襯底及其制造方法和半導體組件
[HT29866-0348-0269] 一種在硅襯底上淀積硅化物的方法
[HT29866-0572-0270] 襯底中埋植二極管的相變存儲器
[HT29866-0118-0271] 用于在一個襯底上形成不同厚度的雙柵極氧化層的方法
[HT29866-0094-0272] 雙柵襯底極板動態隨機存取存儲器單元陣列
[HT29866-0419-0273] Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
[HT29866-0526-0274] SOI襯底的制造方法及半導體裝置的制造方法
[HT29866-0245-0275] 熱處理裝置、半導體裝置的制造方法及襯底的制造方法
[HT29866-0379-0276] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0505-0277] 具有功能性的層、具有該層的柔性襯底的形成方法及制造半導體器件的方法
[HT29866-0627-0278] 制造半導體襯底的方法
[HT29866-0429-0279] Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
[HT29866-0294-0280] 用于減少襯底處理室中的雜散光的設備和方法
[HT29866-0198-0281] 帶式電路襯底及使用該襯底的半導體芯片封裝
[HT29866-0205-0282] 用于漂洗和干燥半導體襯底的系統及其方法
[HT29866-0185-0283] 有源矩陣襯底的制造方法及使用所述襯底的圖象顯示設備
[HT29866-0289-0284] 半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置
[HT29866-0135-0285] 自立式襯底、其制造方法及半導體發光元件
[HT29866-0061-0286] 半導體襯底及其制作方法
[HT29866-0258-0287] 用于自襯底切割器件的方法和設備
[HT29866-0418-0288] 制造應變半導體層的方法、制造半導體器件的方法和適用于這種方法的半導體襯底
[HT29866-0102-0289] 用于清洗微電子襯底的含硅酸鹽堿性組合物
[HT29866-0174-0290] 單晶硅襯底雙面拋光片
[HT29866-0237-0291] 半導體襯底及其制造方法以及半導體器件
[HT29866-0195-0292] 模擬電路圖形評估方法、半導體集成電路的制造方法、測試襯底以及測試襯底組
[HT29866-0253-0293] 使用樹脂粒子的半導體襯底上的有機膜的研磨方法和料漿
[HT29866-0180-0294] 薄膜晶體管陣列襯底的制造方法
[HT29866-0414-0295] 將流體刷涂到表面能圖案化的襯底上限定的高分辨率結構
[HT29866-0065-0296] 半導體襯底處理裝置及其控制方法
[HT29866-0476-0297] 帶有焊球元件的載體和用球狀接觸裝備襯底的方法
[HT29866-0426-0298] 自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體元件的制造方法
[HT29866-0363-0299] 減慢半導體襯底中摻雜劑擴散的方法及由此制作的器件
[HT29866-0112-0300] 使用含氟聚合物復合襯底來制造微波多功能模塊的方法
[HT29866-0390-0301] 半導體襯底組合件和制備及切割襯底組合件用的方法
[HT29866-0336-0302] 使用電子附著從襯底除去物質的方法
[HT29866-0078-0303] SOI襯底的回收方法和再生的襯底
[HT29866-0273-0304] 在處理工具之間輸送小批量襯底載體的系統和方法
[HT29866-0524-0305] 用于集成器件的襯底級組件、其制造工藝及相關集成器件
[HT29866-0292-0306] 一種制造用于低缺陷的半導體元件的襯底晶片的方法、利用該方法獲得的元件及其應用
[HT29866-0285-0307] 有源矩陣襯底及其制造方法
[HT29866-0095-0308] 拋光銅膜后清潔處理半導體襯底的方法和設備
[HT29866-0098-0309] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0404-0310] 源極/漏極電極、薄膜晶體管襯底及其制備方法和顯示器件
[HT29866-0480-0311] 薄膜晶體管襯底、薄膜晶體管的制造方法以及顯示裝置
[HT29866-0045-0312] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0386-0313] 襯底的表面處理方法及Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的制造方法
[HT29866-0617-0314] 半導體襯底加工用粘合片
[HT29866-0352-0315] 襯底內的電連接
[HT29866-0016-0316] 氧化銦膜的形成方法、具有氧化銦膜的襯底及半導體元件
[HT29866-0300-0317] 氮化物半導體生長用襯底
[HT29866-0400-0318] 微電子襯底的濕法蝕刻處理用旋涂保護涂層
[HT29866-0323-0319] 焊墊下襯底結構及焊墊結構
[HT29866-0243-0320] 制備納米級超薄硅可協變襯底的可控性腐蝕法
[HT29866-0062-0321] 半導體集成電路的襯底和半導體集成電路的制造方法
[HT29866-0354-0322] 半導體襯底、半導體裝置和其制造方法
[HT29866-0279-0323] 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
[HT29866-0607-0324] 半導體器件的制造方法以及襯底處理裝置
[HT29866-0401-0325] 金剛石襯底上的碳化硅和相關的器件和方法
[HT29866-0519-0326] 用于表面安裝式組件的無墊襯底
[HT29866-0***-0327] 2O3緩沖層的硅襯底MgxZn1-xO薄膜磁控濺射制備方法&ipc=C23C14/35(2006.01)I" class="a01">
[HT29866-0558-0328] SOI襯底的制造方法
[HT29866-0085-0329] 用于建立芯片一襯底－連接的設備和方法
[HT29866-0370-0330] 金剛石襯底及其制造方法
[HT29866-0221-0331] 用于提供具有活性摻雜劑層結構的半導體襯底的方法
[HT29866-0548-0332] 硅三重擴散襯底制造金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的方法
[HT29866-0584-0333] 制造GaN襯底、外延晶片和半導體器件的方法以及外延晶片
[HT29866-0124-0334] 用于半導體和功率模件的絕緣襯底板
[HT29866-0303-0335] 外延生長方法以及外延生長用襯底
[HT29866-0161-0336] 鄰近襯底上的結構形成接觸的方法以及相關的半導體器件
[HT29866-0561-0337] 在襯底上施加金屬、金屬氧化物和/或半導體材料的圖案的方法
[HT29866-0014-0338] 半導體芯片安裝襯底*面顯示器
[HT29866-0415-0339] 具有連接襯底的半導體模塊及其制造方法
[HT29866-0433-0340] 用于襯底波導化顯示系統的裝置、方法和計算機程序產品
[HT29866-0035-0341] 作為半導體外延薄膜生長用襯底的方鐵礦結構氧化物
[HT29866-0201-0342] 用于切割在半導體襯底上形成的導線的方法和裝置
[HT29866-0086-0343] 半導體襯底、半導體薄膜以及多層結構的制造工藝
[HT29866-0533-0344] 垂直發射的、被光泵浦的、在單獨的襯底上具有外部諧振器的半導體
[HT29866-0445-0345] 晶格調諧半導體襯底的形成
[HT29866-0454-0346] 具有埋入襯底的柵的動態隨機存取存儲器晶體管及其形成方法
[HT29866-0384-0347] 化合物半導體襯底、外延襯底、制造化合物半導體襯底和外延襯底的方法
[HT29866-0499-0348] SOI襯底及其制造方法以及半導體裝置
[HT29866-0332-0349] 半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置
[HT29866-0156-0350] 形成在襯底上的半導體結構及其制造方法
[HT29866-0334-0351] 轉移熱敏材料到襯底的方法和施主元件
[HT29866-0631-0352] 藍寶石襯底及拋光方法與應用
[HT29866-0271-0353] 半導體襯底的制造方法和半導體器件的制造方法
[HT29866-0069-0354] 半導體襯底的處理方法和半導體襯底
[HT29866-0309-0355] 在異質襯底上制作晶體半導體薄膜的方法
[HT29866-0398-0356] 超薄SOI/SGOI襯底上的超高速Si/SiGe調制摻雜場效應晶體管
[HT29866-0481-0357] 用于襯底化/構件化波導化護目鏡系統的裝置、方法和計算機程序產品
[HT29866-0265-0358] 薄膜晶體管襯底及其制造方法
[HT29866-0622-0359] 半導體襯底的形成方法以及太陽能電池的制作方法
[HT29866-0306-0360] 半導體襯底及其制造工藝
[HT29866-0025-0361] 半導體制造裝置、半導體制造系統和襯底處理方法
[HT29866-0508-0362] GaN襯底以及采用該襯底的外延襯底和半導體發光器件
[HT29866-0574-0363] 半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置
[HT29866-0276-0364] 半導體襯底晶體材料生長真空系統
[HT29866-0600-0365] 襯底加熱設備、加熱方法以及半導體裝置制造方法
[HT29866-0567-0366] SOI襯底的制造方法
[HT29866-0315-0367] 引線框架基和襯底基半導體封裝鍵合結構及其制備方法
[HT29866-0506-0368] SOI襯底的制造方法、以及半導體裝置的制造方法
[HT29866-0006-0369] 半導體襯底、半導體元件及其制造方法
[HT29866-0496-0370] 半導體外延襯底、化合物半導體器件及其制造方法
[HT29866-0490-0371] 薄膜晶體管陣列襯底、其制造方法以及顯示裝置
[HT29866-0361-0372] 半導體襯底的形成方法及形成的半導體襯底
[HT29866-0168-0373] 納米梁上MOS電容襯底的壓阻結構及檢測方法
[HT29866-0528-0374] GaN襯底、帶外延層的襯底、半導體器件及GaN襯底制造方法
[HT29866-0022-0375] 分層半導體襯底和光學半導體元件
[HT29866-0256-0376] 用于在襯底上沉積具有較高介電常數的涂層的方法
[HT29866-0402-0377] 薄膜晶體管襯底及其制造方法
[HT29866-0186-0378] 中間襯底及具有半導體元件、中間襯底和襯底的結構體
[HT29866-0447-0379] 帶有晶體管襯底偏置的集成電路的抑制閂鎖電路
[HT29866-0248-0380] 液晶顯示裝置的矩陣襯底及其制作方法
[HT29866-0338-0381] 在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜的方法
[HT29866-0647-0382] 用于制造到達襯底的頂部接觸的方法和結構
[HT29866-0536-0383] 用于在已安裝的襯底上形成焊接觸點的方法
[HT29866-0407-0384] 生長半導體襯底的方法、氮化物基發光器件及其制造方法
[HT29866-0277-0385] 半導體器件的制造方法、柔性襯底和半導體器件
[HT29866-0583-0386] GAN納米線的脈沖式生長及在族Ⅲ氮化物半導體襯底材料中的應用和器件
[HT29866-0511-0387] 化合物半導體襯底及其拋光方法、外延襯底及其制造方法
[HT29866-0149-0388] 一種具有薄氮化鉿可協變層的硅基可協變襯底材料
[HT29866-0495-0389] 用于生長Ⅲ-Ⅴ發光器件的復合主體-晶種襯底
[HT29866-0037-0390] 在半導體襯底上制造電容器的方法
[HT29866-0153-0391] 使用具有降低布線斷開的布線結構的布線襯底的半導體器件
[HT29866-0104-0392] 半導體襯底及其生產工藝
[HT29866-0333-0393] 襯底處理設備
[HT29866-0228-0394] 用于半導體襯底上的金屬層和圖形的防腐蝕清潔劑
[HT29866-0439-0395] 半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置
[HT29866-0171-0396] 允許在不同環境下進行處理的襯底處理平臺
[HT29866-0111-0397] 半導體器件的載體襯底的電極結構
[HT29866-0293-0398] 有源矩陣襯底與顯示器件
[HT29866-0350-0399] 襯底拋光設備
[HT29866-0229-0400] 具有減小的襯底電容的半導體器件和方法
[HT29866-0020-0401] 使用包含粘合增進劑的混合物來涂覆半導體襯底的方法
[HT29866-0242-0402] 二硼化物單晶襯底與使用它的半導體裝置及其制造方法
[HT29866-0562-0403] 用于半導體載體的低歐姆襯底通孔互連
[HT29866-0131-0404] 形成在半導體襯底上的精密高頻電容器
[HT29866-0223-0405] 具有通過層疊模板層的局部非晶化和再結晶而形成的選定半導體晶向的平坦襯底
[HT29866-0250-0406] 磁場爐和一種使用磁場爐制造半導體襯底的方法
[HT29866-0030-0407] 用干法刻蝕在半導體襯底上形成金屬布線的方法
[HT29866-0462-0408] 在半導體襯底上制造外延層的方法及用這種方法制造的器件
[HT29866-0603-0409] SOI襯底的制造方法
[HT29866-0609-0410] 包裝化合物半導體襯底的方法
[HT29866-0599-0411] 一種在絕緣襯底上制作硅化物納米結構的方法
[HT29866-0002-0412] 硅半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0569-0413] SOI襯底的制造方法及半導體裝置的制造方法
[HT29866-0357-0414] 硅襯底Ⅲ族氮化物外延生長
[HT29866-0573-0415] 確定半導體襯底溫度的方法和裝置
[HT29866-0200-0416] 1+xIn2-2xSnxO4/MgAl2O4復合襯底材料及其制備方法&ipc=H01L21/00" class="a01">
[HT29866-0319-0417] 大面積納米啟動宏電子襯底及其用途
[HT29866-0305-0418] 金屬碳化物襯底表面的處理方法及這種金屬碳化物襯底
[HT29866-0550-0419] 用于模制蓋的襯底表面的非導電平坦化
[HT29866-0646-0420] 顯示器件、用于制造顯示器件的方法、以及SOI襯底
[HT29866-0626-0421] 腐蝕帶有絕緣埋層的襯底邊緣的方法
[HT29866-0502-0422] 半導體及液晶生產過程中的半導體及液晶襯底表面的靜電去除裝置
[HT29866-0187-0423] 基于硅襯底的聚合物光波導器件的制作方法
[HT29866-0360-0424] 在具有空位團的襯底中形成的薄層的轉移的方法
[HT29866-0364-0425] 改進的集成電路襯底材料和方法
[HT29866-0024-0426] 集成到半導體襯底中的磁通閘門敏感元件及其制造方法
[HT29866-0470-0427] TFT陣列襯底、其制造方法以及顯示裝置
[HT29866-0520-0428] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0064-0429] 在半導體襯底上制造不同厚度的柵氧化層的方法
[HT29866-0463-0430] 硅襯底上以三族氮化物為主材的半導體晶體生長方法及器件
[HT29866-0555-0431] 含有連接表面層和襯底區域的部分SOI結構制造方法
[HT29866-0093-0432] 半導體襯底的清洗方法
[HT29866-0211-0433] 加工襯底,特別是半導體晶片
[HT29866-0570-0434] 氮化物半導體自支撐襯底及使用該襯底的器件
[HT29866-0637-0435] 形成用于高容量存儲器卡的單層襯底的方法
[HT29866-0580-0436] 包含金屬襯底的基于黃銅礦半導體的光伏太陽能電池、用于光伏太陽能電池的被涂敷的金屬襯底及其制造方法
[HT29866-0226-0437] 用于制造半導體襯底的方法和所得結構
[HT29866-0005-0438] 半導體襯底夾具和半導體器件的制造方法
[HT29866-0337-0439] 半導體元件的連接結構、布線襯底及半導體裝置
[HT29866-0325-0440] 用于修正硅襯底的緩沖結構
[HT29866-0615-0441] 用于制造碳化硅襯底的方法以及碳化硅襯底
[HT29866-0385-0442] 半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置
[HT29866-0652-0443] 一種半導體功率器件用襯底硅片
[HT29866-0408-0444] Ⅲ族氮化物晶體襯底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半導體器件
[HT29866-0576-0445] 帶有支承襯底的發射輻射的半導體本體及其制造方法
[HT29866-0067-0446] 帶有由低電阻鋁合金形成的導體的襯底
[HT29866-0579-0447] 用于均勻地底部填充由焊球組裝的電子裝置的開槽襯底
[HT29866-0616-0448] 用于單襯底或雙襯底加工的設備和方法
[HT29866-0516-0449] 半導體裝置以及用以制造半導體裝置的襯底
[HT29866-0178-0450] 晶化方法，晶化設備，處理襯底，薄膜晶體管及顯示器設備
[HT29866-0099-0451] 半導體器件和有源矩陣襯底的制造方法及電光器件
[HT29866-0342-0452] 在硅襯底上生長氮化鎵自支撐襯底材料的方法
[HT29866-0638-0453] Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體襯底、外延晶片及它們的制造方法
[HT29866-0375-0454] 在半導體襯底中蝕刻溝槽的方法
[HT29866-0197-0455] 在半導體襯底中制造半導體元件的方法
[HT29866-0075-0456] 復合部件及其分離方法和半導體襯底的制備方法
[HT29866-0377-0457] 具有多層處理腔室的清洗襯底的裝置以及使用該裝置清洗襯底的方法
[HT29866-0469-0458] 一種襯底偏置混頻器
[HT29866-0057-0459] 用于生產半導體襯底的方法
[HT29866-0232-0460] 薄膜光電晶體管,應用該光電晶體管的有源矩陣襯底以及應用該襯底的圖象掃描裝置
[HT29866-0144-0461] 半導體襯底及制備方法和在絕緣體上的硅與外延中的應用
[HT29866-0331-0462] 基于掩模層的光學性能在襯底上對準圖形的方法及相關器件
[HT29866-0589-0463] 一種弛豫薄SiGe虛擬襯底的制備方法
[HT29866-0468-0464] 半導體封裝及制造方法和襯底和半導體器件及制造方法
[HT29866-0220-0465] 襯底表面清洗方法、薄膜制造方法、半導體裝置及其制法
[HT29866-0282-0466] 用于在襯底上安裝半導體芯片的方法
[HT29866-0012-0467] 使用了部分SOI襯底的半導體器件及其制造方法
[HT29866-0295-0468] 濕法腐蝕兩步法制備超薄柔性硅襯底的腐蝕工藝
[HT29866-0268-0469] 半導體襯底及其制造方法、半導體器件及其制造方法
[HT29866-0410-0470] 用于控制半導體襯底工藝腔室中氣體流動的裝置
[HT29866-0378-0471] 偏振狀態檢查方法和檢查襯底、半導體器件的制造方法
[HT29866-0055-0472] 將半導體襯底對準底座臺的方法及實施該方法的裝置
[HT29866-0072-0473] 用于半導體襯底的清洗水溶液
[HT29866-0145-0474] 一種SiGe弛豫襯底材料及其制備方法
[HT29866-0114-0475] 在感應式外延反應器中用自調平真空系統處理襯底的裝置與方法
[HT29866-0206-0476] 具有支持襯底的氮化物半導體器件及其制造方法
[HT29866-0432-0477] 半導體元件安裝用襯底、半導體裝置及電子設備
[HT29866-0592-0478] 制造熱增強型的基于襯底的陣列封裝的方法
[HT29866-0019-0479] 半導體襯底晶體材料生長真空系統
[HT29866-0444-0480] 導電支持襯底的通孔垂直結構的半導體芯片或器件
[HT29866-0557-0481] 柔性襯底生長n型ZnMgO摻Ga半導體薄膜的方法
[HT29866-0546-0482] 半導體異質襯底及其生長方法
[HT29866-0038-0483] 絕緣襯底上混合源雙面硅單晶生長
[HT29866-0119-0484] 具有深襯底接觸的半導體器件
[HT29866-0183-0485] 薄膜半導體襯底及制造方法、薄膜半導體器件及制造方法
[HT29866-0091-0486] 半導體襯底的制造工藝
[HT29866-0397-0487] 利用固相外延再生長的具有降低的結泄漏的半導體襯底及其制作方法
[HT29866-0595-0488] 半導體襯底、半導體襯底的制備方法及三維封裝方法
[HT29866-0421-0489] 用于包含遞歸區域的襯底化波導的裝置、方法和計算機程序產品
[HT29866-0380-0490] 半導體器件的制造方法和襯底處理裝置
[HT29866-0136-0491] 含有銅特異的防腐劑、用于清洗半導體襯底上的無機殘余物***性清洗組合物
[HT29866-0029-0492] 連接襯底的結構和方法
[HT29866-0311-0493] 導電和絕緣準氧化鋅襯底及垂直結構的半導體發光二極管
[HT29866-0129-0494] 基于氮化物的化合物半導體晶體襯底結構及其制造方法
[HT29866-0175-0495] 電流輸運增透窗口層和高反射圖形轉移襯底的發光二極管
[HT29866-0222-0496] 拋光墊及使用該墊制造半導體襯底的方法
[HT29866-0287-0497] 具有凹陷的對準標記的平面磁隧道結襯底
[HT29866-0047-0498] 拋光襯底上形成的介質層的裝置
[HT29866-0210-0499] 用于單襯底或雙襯底加工的設備和方法
[HT29866-0501-0500] 含有碳基襯底的銦鎵鋁氮發光器件以及其制造方法
[HT29866-0594-0501] 半導體襯底的制造方法及半導體器件的制造方法
[HT29866-0335-0502] 具有銅/金剛石復合材料的半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0381-0503] 用于半導體發光器件的固體金屬塊安裝襯底和用于制造它的氧化方法 [HT29866-0514-0504] 半導體襯底、半導體器件和半導體襯底的制造方法
[HT29866-0255-0505] 含有銅特異的防腐劑、用于清洗半導體襯底上的無機殘余物***性清洗組合物
[HT29866-0540-0506] 氮化物半導體自支撐襯底生長方法及專用設備
[HT29866-0219-0507] 一種用于制造由單晶半導體材料制成的無支撐襯底的方法
[HT29866-0479-0508] TFT陣列襯底及其制造方法、以及使用該襯底的顯示裝置
[HT29866-0028-0509] 半導體集成電路裝置、安裝襯底和安裝體
[HT29866-0405-0510] 具有InP襯底的光半導體裝置
[HT29866-0039-0511] 可大批量傳送半導體襯底用的全罩式裝載器具（舟）
[HT29866-0283-0512] 帶有半導體襯底和測試結構的半導體產品及方法
[HT29866-0150-0513] Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
[HT29866-0399-0514] 用于在單片半導體集成電路襯底上形成雙頻率帶寬接收通道的接收機芯片
[HT29866-0159-0515] 一種在CdZnTe襯底上制備Ⅳ-Ⅵ族半導體單晶薄膜的方法
[HT29866-0538-0516] 用于保持襯底的裝置和方法
[HT29866-0365-0517] 摻稀土元素氧化鎵熒光襯底材料及其制備方法
[HT29866-0449-0518] 化合物半導體襯底、其表面處理方法及制造方法
[HT29866-0564-0519] 使用薄的管芯和金屬襯底的半導體管芯封裝
[HT29866-0420-0520] 垂直氮化鎵半導體器件和外延襯底
[HT29866-0591-0521] 半導體元件襯底、噴墨頭及其相關連接方法
[HT29866-0101-0522] 用于對半導體襯底進行處理的方法和設備
[HT29866-0264-0523] 絕緣體上硅襯底和半導體集成電路器件
[HT29866-0459-0524] 具有在襯底之內包括氘的隔離結構的結構和相關方法
[HT29866-0488-0525] 應變SOI襯底的制造方法和在其上制造CMOS器件的方法
[HT29866-0551-0526] 具有正面襯底接觸的絕緣體上半導體器件的制造方法
[HT29866-0189-0527] Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0172-0528] 具有單層襯底結構的高壓晶體管
[HT29866-0461-0529] 半導體襯底和半導體器件以及該半導體器件的制造方法
[HT29866-0509-0530] 用于高遷移率平面和多柵極MOSFET的混合襯底技術
[HT29866-0362-0531] 外延半導體襯底的制造方法和半導體器件的制造方法
[HT29866-0310-0532] 制造應變含硅混合襯底的方法以及含硅混合襯底
[HT29866-0604-0533] 大孔徑襯底出光垂直腔面發射半導體激光器
[HT29866-0050-0534] 傳送和使用半導體襯底托的方法和設備
[HT29866-0588-0535] 厚應變SOI襯底中的工程應變
[HT29866-0239-0536] 替代襯底及使用該替代襯底的襯底處理方法
[HT29866-0259-0537] 硅襯底上生長II－VI族材料薄膜的方法
[HT29866-0298-0538] 一種濕法腐蝕藍寶石圖形襯底的方法
[HT29866-0241-0539] 用于檢測襯底位置/存在的共用傳感器
[HT29866-0235-0540] 半導體襯底的制造方法以及半導體裝置的制造方法和由該方法制造的半導體襯底以及半導體裝置
[HT29866-0026-0541] 半導體器件和提供低襯底電容區域的方法
[HT29866-0190-0542] 襯底噪聲分析方法、分析設備及半導體集成電路
[HT29866-0227-0543] N-型襯底上的圖像傳感器
[HT29866-0434-0544] 絕緣體上半導體的襯底以及由該襯底所形成的半導體裝置
[HT29866-0147-0545] 在半導體襯底上制備均勻有序量子結構的方法
[HT29866-0077-0546] 襯底觸發式靜電放電保護的半導體器件及其方法
[HT29866-0356-0547] 用于獲得具有支撐襯底和超薄層的結構的方法
[HT29866-0257-0548] 用于從電子部件襯底去除殘留材料的方法及其裝置
[HT29866-0372-0549] 半導體器件的生產管理方法及半導體襯底
[HT29866-0143-0550] 無鉻刻蝕溶液及揭示缺陷的方法和處理襯底的工藝
[HT29866-0471-0551] GaN襯底的儲存方法、儲存的襯底、和半導體器件及其制造方法
[HT29866-0194-0552] 測試插件用襯底
[HT29866-0602-0553] SOI襯底的制造方法
[HT29866-0581-0554] GaN襯底制造方法、GaN襯底和半導體器件
[HT29866-0302-0555] 半導體裝置、布線襯底的形成方法和襯底處理裝置
[HT29866-0152-0556] 用于通過氫化物氣相外延法制造自支撐半導體襯底的半導體襯底和掩模層及所述自支撐半導體襯底的制造方法
[HT29866-0522-0557] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0280-0558] 半導體設備的制造方法以及半導體襯底的氧化方法
[HT29866-0202-0559] 用于支持球柵陣列的襯底中通路的排布
[HT29866-0448-0560] GaN晶體襯底及其制造方法以及制造半導體器件的方法
[HT29866-0515-0561] 再加工半導體襯底的方法和形成半導體器件的圖案的方法
[HT29866-0262-0562] 元件形成用襯底及其制造方法和半導體裝置
[HT29866-0231-0563] 利用半導體襯底中的激光器和布拉格光柵進行可調波長轉換的方法和裝置
[HT29866-0089-0564] 在同一襯底上制造一個異質結雙極型晶體管和一個激光二極管
[HT29866-0034-0565] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0423-0566] Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
[HT29866-0605-0567] 在襯底上施加金屬、金屬氧化物和/或半導體材料圖案的方法
[HT29866-0128-0568] Ⅲ族氮化物制造的半導體襯底及其制造工藝
[HT29866-0529-0569] 在半導體襯底中形成的螺旋電感以及形成該電感的方法
[HT29866-0017-0570] 將管芯附著到襯底上的方法
[HT29866-0489-0571] 混合襯底上的抗閉鎖半導體結構及其制造方法
[HT29866-0125-0572] 半導體襯底、場效應晶體管、鍺化硅層形成方法及其制造方法
[HT29866-0272-0573] 一種砷化鎵基半導體-氧化物絕緣襯底及其制備方法
[HT29866-0539-0574] 一種制備無裂紋氮化物半導體襯底的方法
[HT29866-0270-0575] 一種納米級藍寶石襯底的加工方法及其專用拋光液
[HT29866-0327-0576] 包括磁隧道結結構和襯底之間的存儲器及其相關方法
[HT29866-0154-0577] 半導體襯底、制備技術及在先進三維電子封裝中的應用
[HT29866-0497-0578] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0455-0579] 具有混合表面取向襯底的溝槽電容器
[HT29866-0010-0580] 在藍寶石襯底上形成半導體發光二極管管芯的方法
[HT29866-0473-0581] 氮化物半導體襯底的制造方法及復合材料襯底
[HT29866-0621-0582] 制造Ⅲ族氮化物結晶、Ⅲ族氮化物結晶襯底以及半導體器件的方法
[HT29866-0015-0583] 襯底的制造方法和制造設備
[HT29866-0630-0584] 一種具有絕緣埋層的半導體襯底的制備方法
[HT29866-0040-0585] 階梯襯底內條形激光器
[HT29866-0344-0586] 絕緣襯底和半導體器件
[HT29866-0347-0587] 用于連結到金屬襯底的半導體襯底的通孔和溝槽結構
[HT29866-0623-0588] 形成貫穿襯底的互連的方法
[HT29866-0633-0589] 一種制備混合晶向半導體襯底的方法
[HT29866-0140-0590] 在半導體襯底上形成曲線輪廓的工藝
[HT29866-0460-0591] GaN晶體襯底
[HT29866-0106-0592] 半導體襯底及其制造方法、和使用它的半導體器件及其制造方法
[HT29866-0545-0593] 閃鋅礦型氮化物半導體自支撐襯底、制造方法及發光裝置
[HT29866-0122-0594] 在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法
[HT29866-0474-0595] 其上接合有GaN薄膜的襯底及其制備方法以及基于GaN的半導體器件及其制備方法
[HT29866-0641-0596] 襯底構造體及其移除方法
[HT29866-0105-0597] 測量薄膜,特別是半導體襯底上的感光樹脂薄膜的厚度的方法與裝置
[HT29866-0251-0598] 具有法拉第屏蔽以及埋在襯底中的電介質阱的高Q電感
[HT29866-0090-0599] 外延晶片、其制造方法和化合物半導體襯底的表面清洗方法
[HT29866-0543-0600] 一種制備無裂氮化物半導體襯底的方法
[HT29866-0531-0601] 在ITO襯底上生長ZnMgO合金薄膜的方法
[HT29866-0537-0602] 襯底及其制造方法、半導體裝置及其制造方法
[HT29866-0486-0603] 具有分段的襯底的探針卡
[HT29866-0541-0604] 具有導電漿料的電路化襯底
[HT29866-0368-0605] 半導體裝置及該半導體裝置用絕緣襯底
[HT29866-0209-0606] 在半導體襯底上制作集成半導體元件的方法
[HT29866-0275-0607] 導體襯底，半導體器件及其制造方法
[HT29866-0044-0608] 雙柵襯底極板動態隨機存取存儲器單元陣列
[HT29866-0387-0609] 經處理以清除自由碳的半導體襯底加工裝置的碳化硅部件
[HT29866-0117-0***] 半導體裝置和“絕緣體上的半導體”襯底
[HT29866-0393-0611] 氮化物晶體、氮化物晶體襯底、含有外延層的氮化物晶體襯底、半導體器件及其制備方法
[HT29866-0422-0612] 高電子遷移率晶體管、場效應晶體管、外延襯底、制造外延襯底的方法以及制造Ⅲ族氮化物晶體管的方法
[HT29866-0504-0613] 用于襯底傳遞的高溫抗下垂終端受動器
[HT29866-0346-0614] 用于處理電子器件襯底表面的流體用濾筒
[HT29866-0043-0615] 砷化鎵襯底上的混合并質外延
[HT29866-0392-0616] 具有可移去陽極的用于大面積襯底的改進磁控管濺射系統
[HT29866-0163-0617] 用于半導體和電子子系統封裝的芯片載體襯底和印刷電路板上的硬波圖案設計
[HT29866-0614-0618] SOI襯底的制造方法
[HT29866-0645-0619] 制造貼合Ⅲ族氮化物半導體層的襯底的方法
[HT29866-0316-0620] 用于制造半導體封裝件的襯底
[HT29866-0635-0621] 采用高能電磁輻射的快速熱處理半導體襯底形成介電層的方法
[HT29866-0559-0622] SOI襯底的制造方法
[HT29866-0301-0623] 在半導體襯底中形成的螺旋電感以及形成該電感的方法
[HT29866-0611-0624] 一種半導體氮化鎵外延薄膜襯底的制備方法
[HT29866-0048-0625] 通過改變襯底形貌在襯底上形成平面化表面
[HT29866-0427-0626] 形成具有不同特性的晶體半導體區域之襯底的方法
[HT29866-0492-0627] 處理襯底的方法和設備
[HT29866-0249-0628] 用于制造電子封裝的半導體安裝襯底和生產這種半導體安裝襯底的生產過程
[HT29866-0084-0629] 半導體襯底的處理方法和半導體襯底
[HT29866-0554-0630] 三重擴散法制備絕緣柵雙極晶體管用N-/P-/P+襯底方法
[HT29866-0137-0631] 半導體晶圓背面加工方法,襯底背面加工方法,和輻射固化型壓敏粘著片
[HT29866-0213-0632] 一種用于氮化鎵外延生長的復合襯底
[HT29866-0349-0633] 硅襯底上高介電常數氧化鋁介電薄膜材料及制備方法
[HT29866-0116-0634] 半導體器件及其制造方法、電路襯底及電子儀器
[HT29866-0263-0635] 半導體襯底、其制造方法以及半導體器件的制造方法
[HT29866-0155-0636] AIN晶體、用于生長AIN晶體的方法以及AIN晶體襯底
[HT29866-0290-0637] 生長于硅襯底上的垂直結構的半導體芯片或器件
[HT29866-0003-0638] 在絕緣襯底上形成的場效應晶體管以及其集成電路
[HT29866-0649-0639] 制造絕緣體上硅襯底和半導體器件的方法
[HT29866-0416-0640] 半導體器件的襯底及其形成方法
[HT29866-0321-0641] 半導體集成電路硅單晶片襯底背面氮化硅層的新腐蝕方法
[HT29866-0629-0642] 鍵合兩個襯底的方法
[HT29866-0620-0643] 采用離子鍍在生長襯底上制備氮化鋁材料的方法
[HT29866-0133-0644] 半導體襯底及其制造方法
[HT29866-0329-0645] 襯底處理裝置
[HT29866-0053-0646] 在同一襯底上具有N和P型場效應晶體管的半導體器件
[HT29866-0164-0647] 在半導體襯底上制備量子環結構的方法
[HT29866-0108-0648] 半導體襯底晶體材料生長真空系統及其控制系統
[HT29866-0204-0649] 薄膜電容器、薄膜電容器內置型高密度組裝襯底、及薄膜電容器的制造方法
[HT29866-0008-0650] 制造具有驅動集成電路的陣列襯底的方法
[HT29866-0596-0651] 半導體襯底的制造方法及半導體襯底的制造裝置
[HT29866-0640-0652] 具有缺陷和污染物的襯底的再生
本店鄭重承諾：
1.因為篇幅所限，有更多的半導體襯底技術相關內容不能全部列出。但是我們給您所發送的貨里則包含全部的更多半導體襯底技術最新相關科研成果。
2.凡在本店定購《半導體襯底技術工藝薈萃-襯底材料類技術工藝全集》的用戶均可在二年內免費提供新增加的同類半導體襯底技術相關內容的更新服務，并根據您的需要免費隨時發送給您，真誠希望能為您在襯底材料技術領域的研究在技術方面提供更多的幫助。
3.如需開具發票，請提前通知。（正規國稅發票，全國均可報銷）
4.本店所有商品均支持貨到付款可撥打電話：15593788008 進行咨詢。
5.本套技術光盤為2張。價格400元。
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
