- 產品品牌：LJZG
- 產品型號：lj229
2-6寸本征高阻不摻雜拋光硅片參數規格
生長方式： 區熔 FZ
晶向： 111/100
電阻： 800-5000Ω·cm（電阻范圍可選、也可按照客戶需要訂制）
厚度： 300-5000μm（厚度范圍可選、也可按照客戶需要訂制）
平整度TIR：<3μm
彎曲度Bow: <15μm
翹曲度TTV: <15μm
粗糙度nm : <0.5nm
庫存現有厚度：需訂制
盒裝硅片 :25片裝(鍍鋁箔真空包裝)
上述概括了此產品參數，對產品有其它厚度或者參數要求請與本公司詳談！ 主要用途有：
1、用于同步輻射實驗樣品載體；
2、用于磁控濺射生長樣品；
3、用于X射線分析晶體等。
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