商品代碼:3152506

  • 2英寸 半導體級高純度11N SIO2矽片 氧化層厚度200-500nm
    商品代碼: 3152506
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    商品詳細說明
    加工定制:是 種類:元素半導體 用途:實驗測試

     

     

                產品參數 

    產品尺寸

            2英寸二氧化矽拋光矽片 (SIO2)

    生長方式

            直拉單晶(CZ)      熱氧化制備                                                    

    直徑和公差mm

            50.8±0.3mm

    型號/摻雜類型

            N型(摻磷)    P型(摻硼)

    晶向

            <111><100><110>

    電阻率

            0.001-50(Ω·cm)              可按照客戶要求定制不同電阻率范圍

    平整度TIR

            <3μm

    發票

           可提供機打發票         

     翹曲度TTV

            <10μm

     彎曲的BOW

            <10μm

    粗糙度Ra

            <0.5nm

    顆粒度 pewaferr

            < 10 (for size > 0.3μm)
    包裝方式 10片封裝、25片封裝   超潔凈無塵鋁箔封裝  每片價格130元

    現有庫存厚度      納米(nm)

    300納米130元
    用途用於工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導體光刻
    支付方式公對公轉賬、支付寶付款、貨到付款、銀行匯款 13735050004 QQ 17243284        
    加工定制加工定制周期1-3周不等,詳情請於公司聯系.
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    新手教學
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