半導體存儲技術工藝全集
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半導體存儲技術工藝全集部分目錄如下:
1 實現信息提示的半導體存儲方法及裝置
2 半導體存儲裝置的數據寫入方法以及半導體存儲裝置
3 半導體存儲裝置
4 半導體存儲器
5 半導體存儲器件的功率控制方法及半導體存儲器件
6 半導體存儲器
7 半導體存儲裝置
8 半導體存儲裝置及其測試方法
9 半導體存儲器
10 電子電路以及半導體存儲裝置
11 具有較短數據傳送時延的半導體存儲器件
12 半導體存儲單元和半導體存儲裝置
13 非易失性半導體存儲器
14 非易失性半導體存儲器件及其制造方法和操作方法
15 半導體存儲器與半導體存儲器控制方法
16 非揮發性半導體存儲器件
17 半導體存儲器件
18 恒定電壓產生電路及半導體存儲器件
19 同步型半導體存儲裝置
20 非易失性半導體存儲器件及其不良補救方法
21 半導體存儲器
22 半導體存儲元件、半導體裝置及其制造方法
23 分離式位線結構的非揮發性半導體存儲單元
24 半導體存儲器
25 半導體存儲器件
26 半導體存儲器及其測試方法
27 包含影像隨機存取存儲器的半導體存儲設備
28 半導體存儲器件
29 具有降低的寫入速度波動的半導體存儲器
30 非易失性半導體存儲器
31 適用于手機和電腦系統的半導體存儲方法及裝置
32 半導體存儲裝置
33 可實現高密度化或高性能化的半導體存儲器
34 非易失性半導體存儲器及其制造方法
35 能適應多種封裝形式的半導體存儲裝置
36 半導體存儲器
37 半導體存儲器
38 半導體存儲器
39 具有備份存儲器塊的非易失性半導體存儲器
40 半導體存儲器件
41 半導體存儲部件
42 半導體存儲器
43 半導體存儲器
44 半導體存儲器
45 非易失性半導體存儲裝置
46 非易失性半導體存儲裝置
47 非易失性半導體存儲裝置
48 非易失性半導體存儲器
49 半導體存儲器
50 半導體存儲器件、其控制方法以及半導體器件的控制方法
51 半導體存儲器
52 非易失性半導體存儲器
53 半導體存儲器
54 半導體存儲裝置
55 半導體存儲器件與冗余判斷方法
56 半導體存儲器件
57 非揮發性半導體存儲單元結構及其制作方法
58 高性能半導體存儲設備
59 半導體存儲器件
60 半導體存儲裝置
61 根據存取時的存儲單元通過電流來讀出數據的半導體存儲器
62 難發生軟錯誤的半導體存儲電路
63 具有存儲多個位的存儲單元的半導體存儲器及其驅動方法
64 半導體存儲裝置
65 具有存儲多個字節的存儲單元的半導體存儲器及其制造方法
66 半導體存儲器件的刷新控制方法和半導體存儲器件
67 半導體存儲器件
68 平坦型非揮發性半導體存儲元件
69 非易失性半導體存儲器及其制造工藝
70 非易失性半導體存儲器及方法
71 半導體存儲器件
72 半導體存儲裝置
73 減少了刷新工作時的功耗的半導體存儲器
74 時鐘同步型半導體存儲器
75 非易失性半導體存儲裝置的編程方法
76 非易失性半導體存儲器件
77 非易失性半導體存儲裝置
78 半導體存儲裝置
79 以低功耗工作的半導體存儲器
80 可兼顧兩種列地址選通等待時間的工作的半導體存儲器
81 半導體存儲器件的字線驅動器
82 半導體存儲器及其老化篩選方法
83 電容元件、半導體存儲器及其制備方法
84 半導體存儲裝置
85 半導體存儲器及其數據讀出方法
86 半導體存儲器件及其制造方法
87 在刷新操作過程中讀取數據并能糾錯的半導體存儲器件
88 半導體存儲器
89 非易失半導體存儲裝置
90 非易失性半導體存儲裝置
91 非易失半導體存儲器件及其制造方法
92 半導體存儲器以及驅動半導體存儲器的方法
93 提高了抗軟錯誤能力的半導體存儲電路
94 具有頁復制功能的半導體存儲裝置
95 半導體元件和半導體存儲器
96 非易失性半導體存儲器的編程方法
97 半導體存儲器件
98 非易失性半導體存儲裝置
99 非易失性半導體存儲裝置
100 非易失性半導體存儲裝置
101 非易失性半導體存儲裝置
102 半導體存儲器件、數據處理器及確定頻率的方法
103 非易失性半導體存儲器和操作方法
104 半導體存儲器及其制造方法
105 具有讀出放大器的半導體存儲器
106 半導體存儲裝置
107 半導體存儲器的數據存取方法以及半導體存儲器
108 在單個存儲單元中存儲多值數據的非易失性半導體存儲器
109 半導體存儲器及其控制方法
110 半導體存儲裝置
111 可隨機編程的非揮發半導體存儲器
112 用于控制半導體存儲設備的AC定時參數的電路及其方法
113 包含能產生足夠恒定延時信號的延時電路的半導體存儲器
114 利用超薄介質擊穿現象的半導體存儲器單元和存儲器陣列的編程方法及其電路
115 使用垂直溝道晶體管的半導體存儲器件
116 強電介質半導體存儲器
117 采用單個晶體管的高密度半導體存儲器單元和存儲器陣列
118 半導體存儲裝置
119 具有許多存儲器組的同步半導體存儲器設備和控制該設備的方法
120 具有加電讀模式的非易失半導體存儲器
121 半導體存儲器件及采用半導體存儲器件的電子信息設備
122 可提高位線耐壓的非易失性半導體存儲器
123 半導體存儲裝置
124 半導體存儲設備
125 存儲在非易失可重新編程半導體存儲器中的文件數據的訪問
126 使用磁阻效應的半導體存儲器件
127 半導體存儲裝置
128 半導體器件和半導體存儲器件的檢測方法
129 半導體存儲器件
130 半導體存儲器件
131 多晶存儲結構形成該結構的方法和使用該結構的半導體存儲裝置
132 具有電位控制電路的半導體存儲器
133 含非易失存儲單元的高穩定性半導體存儲裝置
134 半導體存儲器
135 半導體存儲裝置及使用該器件的電子信息裝置
136 半導體存儲裝置和控制方法
137 半導體存儲器件
138 強電介質電容器及其制造方法以及半導體存儲裝置
139 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
140 半導體存儲器件
141 記憶性半導體存儲器
142 可轉換為雙存儲單元結構的半導體存儲器
143 需要刷新工作的半導體存儲器
144 可正確寫入數據的半導體存儲裝置
145 可均一輸入輸出數據的非易失性半導體存儲裝置
146 半導體存儲器件及其制造方法
147 半導體存儲裝置
148 半導體存儲器件的倒裝芯片接口電路及倒裝芯片接口方法
149 半導體存儲器件
150 半導體存儲器的改進結構
151 具有測試模式的半導體存儲器及應用它的存儲系統
152 半導體存儲器
153 制造半導體存儲器的方法
154 半導體存儲器模塊
155 形成半導體存儲器陣列的方法及由此制造的存儲器陣列
156 半導體存儲裝置及其測試方法和測試電路
157 非易失性半導體存儲裝置及其機密保護方法
158 半導體存儲裝置
159 半導體存儲器延遲電路
160 半導體存儲器
161 半導體存儲器件
162 非易失半導體存儲器及其制造方法
163 半導體存儲器
164 半導體存儲元件的制造方法
165 半導體存儲器
166 半導體存儲裝置及其驅動方法
167 半導體器件和采用該半導體器件的半導體存儲器
168 半導體存儲裝置
169 設有不需要刷新操作的存儲器單元的半導體存儲裝置
170 備有無需刷新動作的存儲單元的半導體存儲裝置
171 半導體存儲裝置
172 半導體存儲器中的自動預充電控制電路及其方法
173 半導體存儲裝置及其制造方法
174 半導體存儲器及向半導體存儲元件的電壓施加方法
175 一種具有電子俘獲擦除狀態的非易失半導體存儲單元及其操作方法
176 半導體存儲裝置
177 半導體存儲器
178 半導體存儲器
179 形成半導體存儲器陣列的方法及由此制造的存儲器陣列
180 半導體存儲器
181 半導體存儲裝置及其更新方法
182 定時電路以及內設該定時電路的半導體存儲裝置
183 高速低功率半導體存儲器結構
184 具有支持隱藏式刷新的雙端口單元的半導體存儲器
185 半導體存儲裝置中產生初始化信號的方法
186 具有分級位線結構的半導體存儲器件
187 非易失性半導體存儲裝置
188 用于半導體存儲器件的自動模式選擇電路
189 半導體存儲卡的數據記錄設備和方法
190 同時指定多位檢驗方式和特定檢驗方式的半導體存儲器件
191 非易失性半導體存儲器件的多塊擦去與驗證裝置及其方法
192 具有改進的分級電源線結構的半導體存儲裝置
193 非易失性半導體存儲器件中的自動編程電路
194 有用改進位線預充電系統的分層位線結構的半導體存儲器
195 非易失半導體存儲器
196 半導體存儲器
197 呈電路陣列結構供高速操作的半導體存儲器
198 半導體存儲器件及其制造方法
199 半導體存儲器
200 用半導體存儲卡來再現多路聲音的裝置及其方法
201 半導體存儲設備中的內電壓提升電路
202 用來獲得高帶寬的半導體存儲器件及其信號線的排列方法
203 半導體存儲裝置及其制造方法
204 用于成組存取的半導體存儲裝置
205 僅當按正常順序施加命令時才啟動其內部電路的同步半導體存儲器
206 一種非易失性半導體存儲器裝置的檢測放大器電路
207 包含地址轉移檢測電路的半導體存儲器件
208 裝有供快速存取用的數據輸出通路的半導體存儲器
209 制造有擦除柵的非易失半導體存儲器的方法
210 半導體存儲裝置和使用了該半導體存儲裝置的電子設備
211 半導體存儲器及其測試電路、存儲器系統、和數據傳送系統
212 半導體存儲器件的冗余電路及其方法
213 半導體存儲裝置
214 具有雙字線結構的半導體存儲器件
215 非易失性半導體存儲器件
216 半導體存儲器裝置及其字線升壓方法
217 包含降低占用面積的輸出控制電路的同步半導體存儲器
218 能根據工作方式設定基片電壓幅度的半導體存儲裝置
219 能適應高頻系統時鐘信號的同步半導體存儲器
220 其自動預充電操作易于控制的同步半導體存儲器
221 半導體存儲器件及其制造方法
222 半導體存儲設備
223 半導體存儲裝置
224 半導體存儲器件及其制造方法
225 半導體存儲器及其制造方法
226 減小漏電流的半導體存儲器
227 半導體存儲器
228 減少其輸入緩沖電路所消耗的電流的同步型半導體存儲器
229 數據讀和寫時共用脈沖串計數器的同步半導體存儲器
230 半導體存儲裝置
231 半導體存儲器件
232 半導體存儲器及其制造方法
233 半導體存儲裝置
234 非易失半導體存儲器
235 半導體存儲裝置的輸入電路
236 串進存取半導體存儲器
237 半導體存儲器
238 含有電荷耦合器件的半導體存儲器 w
239 動態半導體存儲裝置
240 互補金屬氧化物半導體存儲器驅動器電路
241 半導體存儲器件
242 半導體存儲設備
243 半導體存儲設備
244 半導體存儲器陣列
245 具有交指型位線結構的半導體存儲器陣列
246 有疊層式電容器單元的半導體存儲器件及制法
247 用于半導體存儲器的傳感放大器驅動電路
248 半導體存儲器件多位并行測試方法
249 高度集成的半導體存儲器件及其制造方法
250 半導體存儲器件基準電壓生成電路
251 半導體存儲器件冗余裝置及方法
252 感測半導體存儲器件反偏壓電平的電路
253 半導體存儲器件應力狀態的自動測試設備
254 用于半導體存儲器件的薄膜晶體管及其制造方法
255 非易失性半導體存儲器件及其所用的優化編程方法
256 具有多個行地址選通信號的半導體存儲裝置
257 半導體存儲器的行冗余電路
258 包括多重誤差檢驗與校正電路的半導體存儲器
259 半導體存儲器及其制造方法
260 半導體存儲器件的電流檢測電路
261 同步半導體存儲器裝置的數據輸出緩沖器
262 冗余效率經過改進的半導體存儲器
263 半導體存儲器的制造方法
264 半導體存儲裝置
265 半導體存儲器及其類型的設置方法
266 能預激勵的升壓電路器件和半導體存儲器
267 半導體存儲器件
268 半導體存儲裝置
269 帶有存儲單元結構的非易失性半導體存儲器
270 非易失性半導體存儲裝置
271 半導體元件和采用其的半導體存儲器件
272 存儲單元具有與非邏輯結構的非易失性半導體存儲器
273 半導體存儲裝置
274 非易失性半導體存儲器及其數據編程方法
275 半導體存儲器件的字線驅動電路
276 半導體存儲裝置
277 半導體存儲裝置
278 半導體存儲裝置
279 半導體存儲裝置
280 半導體存儲器
281 半導體存儲裝置
282 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
283 半導體存儲器的多位測試電路
284 半導體存儲器件及其制造方法
285 半導體存儲電路
286 帶雙行譯碼器的半導體存儲器件的行冗余電路及方法
287 具有自動預充電功能的同步半導體存儲器裝置
288 在半導體存儲器件中控制自更新周期的電路
289 半導體存儲器
290 半導體存儲裝置
291 半導體存儲器裝置及其驅動裝置
292 半導體存儲器
293 具有寫等待時間控制功能的同步半導體存儲器裝置
294 半導體存儲裝置
295 修復半導體存儲器器件中缺陷的方法和電路
296 半導體存儲器
297 半導體存儲器裝置的晶片老化檢測電路
298 提供多媒體信息的半導體存儲器服務器
299 非易失性半導體存儲裝置
300 非易失性半導體存儲器
301 半導體存儲裝置
302 半導體存儲器件的增壓電路
303 半導體存儲器件的位線檢測電路及其方法
304 用于半導體存儲器器件工作狀態的升壓電路
305 非易失性半導體存儲裝置及其過寫入補救方法
306 具有減少數據總線負載的半導體存儲器器件
307 半導體存儲器件
308 振蕩電路和非易失半導體存儲器
309 半導體存儲裝置
310 半導體存儲裝置及其制造方法
311 半導體存儲器
312 半導體存儲裝置
313 半導體存儲裝置
314 半導體存儲裝置
315 半導體存儲器
316 具有抑制故障存儲單元漏電流冗余功能的半導體存儲器件
317 半導體存儲裝置及其數據寫入方法
318 中間電壓發生電路及含有該電路的非易失半導體存儲器
319 半導體存儲器件
320 半導體存儲器
321 半導體存儲單元的制造方法
322 同步半導體存儲裝置
323 半導體存儲器件
324 一種測試半導體存儲器件的方法及一種半導體存儲器件
325 非易失性半導體存儲器及其制造方法
326 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
327 具有電容器的半導體存儲器件
328 具有電容器的半導體存儲器件
329 能映射壞塊的半導體存儲器
330 具有輔助存儲器的半導體存儲裝置
331 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
332 具有電容器的半導體存儲器件
333 具有電容器的半導體存儲器件
334 具有電容器的半導體存儲器件
335 具有電容器的半導體存儲器件
336 具有電容器的半導體存儲器件
337 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
338 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
339 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
340 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
341 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
342 半導體存儲裝置及其測試方法
343 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
344 半導體存儲器件及讀取其中數據的方法
345 具有自對準觸點半導體存儲器件的制造方法
346 半導體存儲器
347 計數器和配有該計數器的半導體存儲器
348 半導體存儲器及其制造方法
349 半導體存儲器
350 半導體存儲器件及其制造方法
351 半導體存儲器
352 靜態型半導體存儲器
353 半導體存儲器件及其制造方法
354 半導體存儲器的加速試驗方法
355 攝像機系統及用于其的圖像用半導體存儲電路
356 半導體存儲器
357 半導體存儲器及其制造方法
358 動態型半導體存儲器及其測試方法
359 同步式半導體存儲裝置
360 半導體存儲器件及其制造方法
361 半導體存儲裝置
362 同步型半導體存儲裝置
363 半導體存儲器
364 半導體存儲器件
365 具有鐵電存儲電容器的半導體存儲器件
366 非易失性半導體存儲器
367 半導體存儲裝置
368 半導體存儲裝置
369 半導體存儲器
370 半導體存儲器件
371 半導體存儲器
372 具有運算功能的半導體存儲器及使用該存儲器的處理器
373 晶體管、晶體管陣列、制造晶體管陣列的方法和非易失半導體存儲器
374 半導體存儲器
375 非易失性半導體存儲器件的擦除方法
376 半導體存儲器的布局結構
377 數據線與電源線平行的靜態半導體存儲器件
378 半導體存儲器
379 具有定時電路的靜態半導體存儲器
380 能夠提高存取速度的靜態半導體存儲器裝置
381 半導體存儲器件
382 有同步型信號輸入電路的半導體存儲器
383 半導體存儲裝置
384 半導體存儲器件的自動節能電路
385 冗余半導體存貯區中熔絲可靈活設置的半導體存儲器
386 半導體存儲器件
387 具有冗余電路的半導體存儲裝置
388 非易失性半導體存儲器件
389 半導體存儲裝置
390 能夠設有多個閾值之一的半導體存儲器
391 半導體存儲裝置
392 半導體存儲器及其制造方法
393 防位線氧化的半導體存儲器件制造方法及半導體存儲器件
394 非易失性半導體存儲器
395 能夠在一個存儲單元中存儲多位數據的半導體存儲裝置
396 非易失性半導體存儲器及制造方法
397 半導體存儲器
398 陣列的單元布局相同且周邊電路對稱的半導體存儲器件
399 一種半導體存儲器件
400 用于半導體存儲器件的數據讀出電路
401 用兩個腐蝕圖形制造半導體存儲器件的方法
402 備有執行閃速存儲器存取控制的存取電路的半導體存儲器
403 半導體存儲器件及老化檢測的方法
404 半導體存儲器件
405 半導體存儲器電路
406 制造半導體存儲器件的電容器的方法
407 半導體存儲器裝置
408 同步半導體存儲器
409 半導體存儲器件及其制造方法
410 半導體存儲電路
411 在非易失性半導體存儲器件中擦除數據的方法
412 具有分層列選擇線結構的空間有效的半導體存儲器
413 能執行高速寫入操作的半導體存儲裝置
414 半導體存儲器件及其制造方法
415 半導體存儲器
416 帶有小規模電路冗余解碼器的半導體存儲器件
417 具有地址轉換電路的半導體存儲器件
418 有控制字線激活/非激活定時電路的同步型半導體存儲器
419 有能將測試方式可靠復位的電路的同步型半導體存儲裝置
420 半導體存儲器件及其驅動方法
421 具有不均勻局部位線的分級位線結構的半導體存儲器
422 具有高空間效率的布圖的半導體存儲器
423 半導體存儲器件
424 用于讀出與刷新動態半導體存儲器的方法
425 非逸失性半導體存儲器
426 具有測試模式的半導體存儲裝置
427 不管備用單元配置情況如何都能進行測試的半導體存儲器
428 半導體存儲器件
429 具有多個存儲體的半導體存儲器
430 具有錯誤校驗和校正電路的半導體存儲器件
431 具備能抑制消耗電流的接口電路的半導體存儲器
432 能夠減少流過襯底的漏電流的半導體存儲器件
433 具有阻止無效數據輸出的功能的同步型半導體存儲器
434 非逸失性半導體存儲器
435 半導體存儲裝置
436 半導體存儲器件
437 半導體存儲裝置及其驅動方法
438 具有冗余電路的半導體存儲器
439 半導體存儲器
440 高速半導體存儲器件
441 用于安全數據存儲的半導體存儲器
442 用于制作無阻擋層的半導體存儲器裝置的方法
443 非易失半導體存儲器件以及該存儲器件的數據擦除方法
444 半導體存儲器及其制造方法
445 半導體存儲器
446 半導體存儲器件
447 具有一個編程區域的非易失性半導體存儲器件
448 半導體存儲器件及其檢驗與使用方法
449 非易失性半導體存儲器件
450 非易失半導體存儲器件
451 非易失性半導體存儲器裝置
452 半導體存儲器件
453 存儲器地址發生電路和半導體存儲器件
454 具有能減少功耗的動態數據放大器的半導體存儲裝置
455 非易失性半導體存儲器件
456 具有輸出冗余取代選擇信號裝置的半導體存儲器件
457 采用不接觸技術減小單元面積的非易失半導體存儲器
458 半導體存儲器件
459 半導體存儲器及其制造方法
460 非易失性半導體存儲裝置
461 半導體存儲器件
462 在低電源電壓下高速動作的靜態型半導體存儲裝置
463 用于制作沒有阻擋層的半導體存儲器裝置的方法
464 具有埋置的極板式電極的集成半導體存儲器裝置
465 帶多層電容器的半導體存儲器裝置
466 制造集成半導體存儲裝置的方法
467 半導體存儲器件
468 多值型半導體存儲器件及其錯誤消除方法
469 非易失半導體存儲器件及其過寫入補救方法
470 制造無勢壘半導體存儲器裝置的方法
471 靜態半導體存儲器
472 半導體存儲器
473 能夠完成高速讀出操作的半導體存儲器器件
474 半導體存儲器及其制造方法
475 半導體存儲器件
476 半導體存儲器
477 半導體存儲器
478 在動態隨機存取存儲器中制作半導體存儲單元的方法
479 非易失性半導體存儲器件
480 半導體存儲器件及其制造方法
481 半導體存儲器
482 同步半導體存儲器件
483 在半導體存儲芯片中進行冗余處理的裝置
484 半導體存儲器
485 帶有冗余電路的半導體存儲器
486 半導體存儲器
487 半導體存儲器
488 開路位線之間具有共用讀出放大器的半導體存儲裝置
489 同步型半導體存儲器
490 刷新存儲區的控制容易的多存儲區同步型半導體存儲裝置
491 半導體存儲器
492 具有恒壓電路的半導體存儲器
493 半導體存儲器
494 能夠實現穩定的檢驗方式操作的半導體存儲器
495 大規模集成半導體存儲器和制造該半導體存儲器的方法
496 半導體存儲器件
497 非易失性半導體存儲裝置及其生產方法
498 用于半導體存儲器元件的熔絲裝置
499 半導體存儲裝置
500 降低數據保持狀態耗電量實現穩定動作的半導體存儲裝置
501 半導體存儲裝置
502 非易失性半導體存儲器
503 非易失性半導體存儲器
504 存儲單元及備有該存儲單元的非易失性半導體存儲器
505 具有選擇電路的半導體存儲器
506 多存儲體同步型半導體存儲裝置
507 帶有對用于選擇存儲單元的輔助字線的控制的半導體存儲器件
508 半導體存儲器件的輸出電路
509 含有多個存儲體的半導體存儲裝置
510 具有使電特性發生變化的電路的半導體存儲器
511 半導體存儲裝置
512 多存儲體同步型半導體存儲裝置
513 時鐘移位電路及采用該電路的同步型半導體存儲裝置
514 具有對角位線及雙字線的高密度半導體存儲器
515 一種半導體存儲器
516 半導體存儲裝置
517 半導體存儲裝置
518 脈沖串式半導體存儲裝置
519 具有移位冗余電路的半導體存儲器電路
520 半導體存儲器
521 具有閾值補償功能的動態型半導體存儲器件
522 有輸入/輸出掩碼功能且不破壞數據位的半導體存儲器件
523 半導體存儲器試驗裝置
524 半導體存儲器冗余電路
525 制造半導體存儲器件的方法
526 可以減少備用時耗電的同步式半導體存儲器
527 高速緩沖存儲器裝置等的半導體存儲裝置
528 帶有內置行緩沖器的半導體存儲器和驅動該存儲器的方法
529 具有高空間效率主數據線開關布置的半導體存儲器
530 具有分層位線和/或字線結構的半導體存儲器
531 具有包括交錯主位線的分級位線結構的半導體存儲器
532 集成半導體存儲裝置
533 半導體存儲器件
534 非易失的半導體存儲裝置的控制電路
535 非易失性半導體存儲器
536 用于半導體存儲器的分層預取
537 具有非易失性雙晶體管存儲單元的半導體存儲器
538 具有冗余存儲電路的半導體存儲器件
539 以塊單位進行擦除的半導體存儲裝置
540 用于半導體存儲器的并行冗余方法和裝置
541 非易失半導體存儲器
542 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
543 半導體存儲器
544 半導體存儲器件及其制造方法和掩膜數據制備方法
545 半導體存儲器的冗余電路
546 非易失性半導體存儲器件及其中使用的數據擦除控制方法
547 半導體存儲器器件以及在測試模式中讀取該器件的方法
548 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
549 非易失性半導體存儲器
550 半導體存儲卡
551 半導體存儲裝置
552 存儲多位的數據的非易失性半導體存儲器
553 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
554 非易失性半導體存儲器件及其制造工藝
555 可切換的多位半導體存儲裝置
556 半導體存儲器及其制造方法
557 半導體存儲器裝置及該裝置的數據讀取方法
558 半導體存儲器
559 半導體存儲器
560 制造高密度半導體存儲器件的方法
561 半導體存儲器
562 非易失性半導體存儲器及其程序驗證方法
563 同步猝發半導體存儲器件
564 用于半導體存儲器器件的高壓發生電路
565 具備低功耗模式的動態型半導體存儲器
566 同步型半導體存儲器
567 具有時鐘發生電路的同步半導體存儲器件
568 半導體存儲器及其制造方法
569 用于最小化半導體存儲器存取時間的方法
570 非易失性半導體存儲器件
571 半導體存儲器件
572 半導體存儲器及其制造方法
573 半導體存儲器件的制造方法及其結構
574 同步型半導體存儲器
575 半導體存儲元件的電容器及其制造方法
576 半導體存儲元件的電容器的形成方法
577 半導體存儲元件的電容器及其制造方法
578 半導體存儲元件的電容器及其制造方法
579 半導體存儲器元件的電容器及其制造方法
580 半導體存儲器及半導體存儲器的存取方法
581 具有冗余功能的半導體存儲裝置
582 減少了數據保持模式時的消耗電流的半導體存儲器
583 卡形半導體存儲器件及其制作操作設定方法
584 用于半導體存儲器的芯片內可編程數據模式發生器
585 半導體存儲器件的電容器及其制造方法
586 能提高存儲單元讀取速度的半導體存儲器
587 非易失性半導體存儲裝置
588 使用半導體存儲器的存儲系統和其中的存儲文件管理方法
589 非易失性半導體存儲器及其制造方法
590 具有電容器保護層的半導體存儲器件及其制備方法
591 異步流水線半導體存儲器
592 半導體存儲介質
593 半導體存儲裝置及其操作設定方法
594 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
595 有測試模式判斷電路的半導體存儲器
596 備有高速信息包數據輸入的半導體存儲器
597 非易失性半導體存儲器及其制造方法
598 鐵電半導體存儲器的制法
599 有鐵電存儲效應存儲單元的集成半導體存儲器
600 半導體存儲器和程序判別系統
601 具有置換程序電路的半導體存儲裝置
602 半導體存儲器件
603 半導體存儲器生產系統和半導體存儲器生產方法
604 半導體存儲器件、其驅動方法及其制造方法
605 半導體存儲裝置的數據讀出及數據寫入方法和驅動方法
606 具有釕電極的半導體存儲器及其制造方法
607 半導體存儲器卡、播放裝置、記錄裝置、播放方法、記錄方法、和計算機可讀記錄介質
608 半導體存儲器卡、播放裝置、記錄裝置、播放方法、記錄方法、和計算機可讀存儲介質
609 半導體存儲卡和數據讀取裝置
610 一種半導體存儲裝置
611 特定用途的基于事件的半導體存儲器測試系統
612 半導體存儲器元件
613 半導體存儲器卡、播放裝置、記錄裝置、播放方法、記錄方法、和計算機可讀存儲介質
614 利用溝道技術和介質浮柵的每單元8位的非易失性半導體存儲器結構
615 半導體存儲裝置
616 半導體存儲器件
617 含有電容器的半導體存儲器件的制造方法
618 非易失性半導體存儲裝置
619 半導體存儲器和程序判別系統
620 半導體存儲裝置
621 半導體存儲裝置及其驅動方法
622 半導體存儲裝置的驅動方法
623 具有接觸電容器電極的插塞的半導體存儲器及其制造方法
624 具有接觸電容器電極的插塞的半導體存儲器及其制備方法
625 具有減小的信號過耦合的任意選擇存取的半導體存儲器
626 半導體存儲裝置的驅動方法
627 用于提高總線效率的半導體存儲器設備及存儲器系統
628 半導體存儲裝置
629 半導體存儲卡的訪問裝置、計算機可讀記錄介質、初始化方法和半導體存儲卡
630 一種多功能半導體存儲裝置
631 半導體存儲設備
632 半導體存儲裝置的驅動方法
633 半導體存儲器件及采用其的存儲模塊和系統
634 半導體存儲器及其制造方法
635 具有數據掩蔽引腳的半導體存儲裝置及包括該裝置的存儲系統
636 利用隧道磁阻效應的半導體存儲器及其制造方法
637 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
638 半導體存儲器
639 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
640 具有多級管線結構的高速同步半導體存儲器及其操作方法
641 半導體存儲器電路的電容器的制造方法
642 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
643 非易失性半導體存儲裝置
644 半導體存儲卡、把數據記錄在半導體存儲卡上的裝置和重放半導體存儲卡的數據的裝置
645 半導體存儲裝置及其制造方法
646 半導體存儲元件的制法
647 半導體存儲器
648 利用超薄介質擊穿現象的半導體存儲器單元和存儲器陣列
649 有控制柵隔片的浮柵存儲單元的半導體存儲陣列自對準方法及制造的存儲陣列
650 具有多個低功耗模式的半導體存儲器件
651 半導體存儲器及其制造方法
652 半導體存儲器芯片組件
653 半導體存儲器及其存取方法
654 半導體存儲器
655 可縮短測試時間的半導體存儲裝置
656 半導體存儲裝置
657 半導體存儲器及其制造方法和驅動方法
658 半導體存儲器陣列的自對準方法和由此制造的存儲器陣列
659 具有分離式隧道窗口的非易失性半導體存儲器單元的制造方法
660 為優化測試技術和冗余技術而形成的半導體存儲器件
661 半導體存儲器
662 具有冗余系統的半導體存儲器件
663 半導體存儲元件的制造方法
664 可控制讀出放大器工作定時的半導體存儲器
665 用于減少輸入測試模式的輸入周期數的半導體存儲器
666 半導體存儲裝置
667 支持多種接口的半導體存儲方法及裝置
668 埋入式非易失性半導體存儲器單元的制造方法
669 包含非易失性半導體存儲器的半導體集成電路裝置的制造方法
670 具有存儲單元、邏輯區域和填充結構的半導體存儲元件
671 非易失性半導體存儲裝置
672 對存儲在非易失性可重編程半導體存儲器中的信息進行組織
673 利用分開的介電浮柵的新型易收縮非易失性的半導體存儲單元及其制造方法
674 半導體存儲裝置和信息處理單元
675 半導體存儲器件的讀出放大器控制電路
676 半導體存儲器件及其制造方法
677 采用了冗余方式的半導體存儲器
678 半導體存儲裝置
679 半導體存儲器件
680 半導體存儲裝置及其制造方法
681 半導體存儲器裝置及信息處理系統
682 只用單溝道晶體管對所選字線傳送電壓的半導體存儲裝置
683 具有有效和可靠的冗余處理的半導體存儲器件
684 半導體存儲器件
685 半導體存儲器件
686 半導體存儲裝置
687 半導體存儲裝置
688 半導體存儲裝置及其驅動方法
689 半導體存儲器件以及在該器件中選擇多條字線的方法
690 控制電路和半導體存儲器裝置
691 非易失性半導體存儲器
692 半導體存儲器中高速讀出操作的方法和裝置
693 具有單個時鐘信號線的半導體存儲器
694 半導體存儲器裝置
695 半導體存儲器元件測試結構及其裝置和測試方法
696 制造具有減反射膜的半導體存儲裝置的方法
697 半導體存儲裝置及其制造方法
698 包含非易失性半導體存儲裝置的半導體集成電路裝置
699 具有相同特性的存儲單元的半導體存儲器及其制造方法
700 半導體存儲裝置中執行部分陣列自更新操作的系統和方法
701 半導體存儲裝置及其制造方法
702 半導體存儲器件及其控制方法
703 集成半導體存儲器存儲單元的功能檢測法
704 復位裝置半導體IC裝置和半導體存儲器裝置
705 非易失半導體存儲裝置
706 非易失性半導體存儲裝置和非易失性半導體存儲系統
707 同步半導體存儲器件
708 形成半導體存儲器件位線的方法
709 半導體存儲器裝置及其數據掩蔽方法
710 輸出驅動器電路和具有該電路的半導體存儲器件
711 半導體存儲器件、存儲系統和測試存儲系統的方法
712 非易失性半導體存儲器及其讀出方法、以及微處理器
713 用于半導體存儲器的多厚度電介質
714 半導體存儲裝置
715 半導體存儲器件
716 半導體存儲器和存儲器系統
717 半導體存儲器件
718 半導體存儲裝置中的內部信號監視裝置及其監視方法
719 半導體存儲器件中的電壓監視裝置
720 半導體存儲裝置
721 半導體存儲器和系統
722 半導體存儲器件
723 半導體存儲裝置的測試方法及其半導體存儲裝置
724 元件隔離膜的形成方法以及非易失性半導體存儲器
725 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
726 半導體存儲器件及其操作方法
727 半導體存儲器及系統
728 一種具有部分刷新功能的半導體存儲器設備
729 半導體存儲器器件及控制時序的方法
730 半導體存儲裝置
731 半導體存儲裝置
732 半導體存儲裝置
733 非揮發性半導體存儲器及其制作方法
734 非揮發性半導體存儲器及其制作方法
735 半導體存儲裝置的生產方法及半導體存儲裝置
736 半導體存儲器件及其制造方法
737 半導體存儲器件及其制造方法
738 半導體存儲器設備以及控制該設備的方法
739 非易失性半導體存儲元件以及非易失性半導體存儲器件
740 非易失性半導體存儲器
741 半導體存儲器件及其操作方法
742 輸出半導體存儲設備的溫度數據的電路及方法
743 半導體存儲裝置
744 實現多位單元的非易失性半導體存儲元件及其制造方法
745 半導體存儲器件
746 包括凹槽式控制柵電極的半導體存儲器裝置
747 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
748 具有凹進式控制柵極的半導體存儲器裝置的操作方法
749 半導體存儲裝置
750 半導體存儲裝置
751 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
752 將弱單元用作讀取標識符的非易失性半導體存儲器器件
753 在包括閃存的半導體存儲裝置中提供塊狀態信息的方法
754 半導體存儲裝置及其制造方法
755 半導體存儲器件和字線接觸部的布局結構
756 具備靜態型存儲單元的半導體存儲裝置
757 半導體存儲器件
758 非易失性半導體存儲器設備的譯碼器和譯碼方法
759 半導體存儲器件
760 非易失性半導體存儲裝置的擦除電路
761 半導體存儲裝置及搭載它的半導體集成電路
762 時鐘同步型半導體存儲器
763 包括寫恢復時間控制電路的半導體存儲裝置
764 動態半導體存儲裝置及操作該裝置的方法
765 半導體存儲裝置
766 電荷捕獲層及其制造方法和電荷捕獲型半導體存儲裝置
767 非易失性半導體存儲裝置以及制造該存儲裝置的方法
768 半導體存儲裝置
769 半導體存儲器件及其制造方法
770 半導體存儲裝置
771 半導體存儲器件及其修復方法
772 半導體存儲器件及其制造方法
773 半導體存儲器及其形成方法
774 半導體存儲器件及其制造方法
775 半導體存儲裝置
776 半導體存儲器及其形成方法
777 半導體存儲裝置
778 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
779 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
780 半導體存儲器件、半導體器件、存儲系統和刷新控制方法
781 半導體存儲裝置及其編程方法
782 半導體存儲裝置及其寫入控制方法
783 多級半導體存儲裝置及其編程方法
784 半導體存儲器件及其制造方法
785 半導體存儲設備及其方法
786 半導體存儲器、讀出放大器電路和存儲器單元讀取方法
787 半導體存儲器件及其讀出放大器電路
788 多路徑可訪問半導體存儲器設備及其郵箱訪問控制方法
789 具有判定半導體微電流功能的半導體存儲器
790 半導體存儲裝置
791 半導體存儲器器件的電壓生成電路及其方法
792 非易失性半導體存儲裝置及其存取評價方法
793 非揮發性半導體存儲器元件及其制造方法
794 半導體存儲裝置
795 具有刷新觸發器的半導體存儲器件
796 電流或電壓測量電路、讀出電路、非易失性半導體存儲器及差動放大器
797 半導體存儲器設備的讀出放大器電路及其操作方法
798 半導體存儲器件
799 非易失性半導體存儲設備和管理該設備的方法
800 可修復半導體存儲器件及其修復方法
801 集成半導體存儲裝置的制造方法及相應的半導體存儲裝置
802 非易失性半導體存儲器件的制造方法
803 印刷電路板及使用該印刷電路板的半導體存儲器模塊
804 非易失性半導體存儲裝置
805 順序訪問型半導體存儲裝置的寫入保護方法
806 半導體存儲卡
807 偏壓發生器及產生用于半導體存儲器件的偏壓的方法
808 非易失性半導體存儲器件
809 半導體存儲器件及其制造方法
810 用于修復半導體存儲器的設備和方法
811 系統同步復位高速抗干擾自保持半導體存儲器
812 同步型半導體存儲器設備模塊及其控制方法與信息設備
813 半導體存儲器
814 利用半導體存儲裝置實現自動執行的方法
815 半導體存儲裝置
816 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
817 用于將數據寫入快閃存儲設備的半導體存儲器的裝置和方法
818 半導體存儲裝置
819 半導體存儲裝置和用于高頻操作的模塊
820 以連續脈沖模式存取數據的與位置無關的半導體存儲器件
821 半導體存儲裝置
822 能夠降低有效模式下電流消耗的半導體存儲裝置
823 半導體存儲器件
824 防止非法拷貝的半導體存儲器
825 存儲節點觸點形成方法和用于半導體存儲器中的結構
826 半導體存儲裝置及其制造方法
827 非易失性半導體存儲裝置、電子卡及電子裝置
828 非易失性半導體存儲器件
829 半導體存儲器件及半導體集成電路
830 半導體存儲器器件中的預充電裝置及其預充電方法
831 利用具有主機系統功能的半導體存儲裝置交換數據的方法
832 一種具有主機系統操作功能的半導體存儲裝置
833 半導體器件和半導體存儲器件
834 半導體存儲裝置及其制造方法
835 非易失性半導體存儲裝置及其控制方法
836 半導體存儲器件
837 非易失性半導體存儲裝置及其控制方法
838 非易失性半導體存儲裝置及其寫入方法和刪除方法
839 具有無需更新動作的存儲單元的半導體存儲裝置
840 半導體存儲裝置及半導體集成電路裝置
841 用于控制同步半導體存儲裝置中自我刷新操作的控制設備
842 半導體存儲裝置
843 可控制電源線與/或接地線的電位電平的半導體存儲裝置
844 半導體存儲設備
845 半導體存儲器
846 半導體存儲設備及控制該存儲設備的方法
847 半導體存儲設備
848 非易失性半導體存儲器件
849 具有拾取結構的半導體存儲器件
850 半導體存儲器件、半導體器件及其制造方法
851 半導體存儲器……
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