半導體襯底技術 測試襯底工藝配線襯底技術工藝匯編
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半導體襯底技術 測試襯底工藝 配線襯底技術工藝匯編部分目錄如下:
[ [0001] 加熱方法、加熱裝置、以及圖像顯示裝置的制造方法
[0002] 半導體器件及其制造方法
[0003] 半導體裝置的制造方法在通過半導體裝置制造的傳統過程形成接觸孔的情況下，為了在沒有形成接觸孔的薄膜上形成抗蝕劑，要求形成幾乎整個覆蓋基片的抗蝕劑。因此，生產能力相當地低。此外，當所應用的抗蝕劑的數量和底基的表面狀態沒有被完全控制的時候，抗蝕劑擴展到接觸孔的區域時，接觸缺陷發生。因此要求改善。根據本發明，在形成半導體裝置中，是半導體裝置的接觸孔的部分可能覆蓋著***防護的第一有機薄膜。隨后，在沒有形成第一有機薄膜的區域上，形成作為絕緣薄膜的第二有機薄膜，且隨后移除第一有機薄膜來形成接觸孔。
[0004] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[0005] 晶體管基板與顯示裝置及其制造方法
[0006] 信息處理結構體
[0007] 氧化鋯穩定的復絲鈮-錫超導線
[0008] 等離子體處理裝置
[0009] 一種層轉移結構及其方法
[0010] 薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
[0011] 基于雙勢壘隧道結共振隧穿效應的晶體管
[0012] 太陽電池自動布貼系統
[0013] 使用直接銅接合的電/光集成方案
[0014] 攝像設備和包括攝像設備的攝像機系統
[0015] 半導體裝置及其制造方法
[0016] 具有氮/碳穩定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法 [0017]具有抗全反射增透薄膜的發光二極管及其制備方法
[0018] 一種基于縱向雙勢壘共振隧穿結構的量子點存儲器
[0019] 半導體器件及其制作方法
[0020] 一種具有多個內部功能塊的芯片及其供電降噪的方法
[0021] 發光二極管
[0022] 靜電蝕刻方法及其裝置
[0023] 倒裝芯片安裝電路板、其制造方法和集成電路裝置
[0024] 新型準直發光二極管封裝結構
[0025] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設備
[0026] 制造具有絕緣環的溝道式電容器的方法
[0027] 一種超深隔離槽開口形狀的控制方法及產品
[0028] 一種可校正制造工藝偏差的對準標記及其對準方法
[0029] 半導體集成電路裝置
[0030] 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的制造方法
[0031] 一種基于納米碳管的互連方法
[0032] 光學器件及其制造方法
[0033] 一種發光二極管結構
[0034] 被處理體的升降***及使用它的處理裝置
[0035] 半導體處理用的熱處理裝置及方法
[0036] 處理柵極結構的方法 [0037] 利用整合度量工具監測制程的穩定度
[0038] 利用多層布線防止低介電常數膜剝離的半導體器件
[0039] 圖案形成方法
[0040] 半導體發光器件及其制造方法
[0041] 晶片級CSP的制造方法
[0042] 光發射器件組件
[0043] 輻射元件的芯片引線架、輻射元件及其制造方法
[0044] 用于光電裝置的烘箱
[0045] 基板接合體及其制法、電光學裝置的制法、及電光學裝置
[0046] 壓電元件及利用該壓電元件的觸摸屏
[0047] 半導體集成電路裝置
[0048] 具有表面擊穿保護的低壓穿通雙向瞬態電壓抑制器件及其制造方法
[0049] 閃存存儲單元及其制備方法
[0050] 半導體器件的接觸結構及其制造方法
[0051] 在基底上制作集成電路及形成均勻銅內聯機的方法
[0052] 半導體裝置及其制造方法
[0053] 薄膜晶體管陣列面板
[0054] 透光、熱穩定的含有有機層的發光元件
[0055] 層積半導體芯片的半導體裝置及其制造方法
[0056] 制造半導體器件的設備及方法和半導體器件 [0057] 將密封物體固定到基底物體上的方法
[0058] 藍寶石襯底減薄方法
[0059] 半導體模塊及其制造方法
[0060] 晶片裝載室
[0061] 防止微粒附著裝置和等離子體處理裝置
[0062] 集成電路的斜主動區域半導體組件結構
[0063] 半導體制造裝置及利用這種裝置形成圖案的方法
[0064] 氧化硅溝填制程
[0065] 分離半導體晶片的方法及使用該方法的分離裝置
[0066] 氮化物基發光器件及其制造方法
[0067] 電極制造方法
[0068] 半導體裝置及其制造方法
[0069] 在蝕刻處理中控制關鍵尺寸的方法
[0070] 半導體器件、切割半導體器件的切割設備及其切割方法
[0071] 半導體器件
[0072] 半導體器件及其制造方法
[0073] 發光元件及其制造方法
[0074] 一種發光二極管
[0075] 生產多芯片模塊的方法和多芯片模塊
[0076] 檢測器 [0077] 深溝渠電容器以及電阻之同時形成
[0078] 一種具有尖銳激子峰的半絕緣多量子阱的生長方法
[0079] 操作電子器件的裝置及其方法
[0080] 集成存儲器電路
[0081] 半導體發光元件
[0082] 制造多個組件的方法
[0083] 散熱增強的薄倒裝引腳鑄模封裝
[0084] 具有小形體尺寸和大形體尺寸元件的裝置以及制造這種裝置的方法
[0085] 具有熱吸收層的發光元件的制造方法
[0086] 引線框的制造方法、半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[0087] 可B階段雙重固化的晶片級底層填料
[0088] 電子電路裝置及其制造方法以及制造裝置
[0089] 多電流路徑抑制電流擁擠效應的片上電感設計方法
[0090] 半導體器件
[0091] 具金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
[0092] 金屬在金屬上的組件及其制造方法
[0093] 通過應用多再氧化層作為蝕刻終止層以最小化硅凹部的氮化物偏移間隔
[0094] 齒形光致電壓屋頂板
[0095] 柱形結構
[0096] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置 [0097] 半導體存儲器及其驅動方法
[0098] CCD圖像傳感器和高精度線性尺寸測量裝置及其測量方法
[0099] 晶片定位裝置及其連帶提供的加載艙
[0100] 壓電震動片的制作方法
[0101] 互補金屬氧化物半導體器件型圖像傳感器模塊
[0102] 發光二極管
[0103] 一種半導體產品可靠性的測量方法
[0104] 非易失性存儲器
[0105] 層積半導體芯片的半導體裝置及其制造方法
[0106] 帶有一個或更多通孔的半導體結構
[0107] 降低化學氣相沉積摻雜磷氧化層表面缺陷的方法
[0108] 半導體器件的制造方法
[0109] 陣列式發光二極管的模組化結構及其封裝方法
[0110] 半導體加工用粘著片及半導體加工方法
[0111] 半導體裝置的制法以及半導體芯片組裝體的保護樹脂涂敷裝置
[0112] 基于納米材料排布的納米刻蝕方法
[0113] 用于制造微電路板的方法
[0114] 具有粘膠帶的工件的解開方法和解開設備
[0115] 半導體裝置及其制造方法
[0116] 一種用氮氣消除橫向凹槽的方法 [0117] 用于改善晶體管性能的復合間隔區內襯
[0118] 兩相熱法合成硫化鎘量子點
[0119] 磁電阻效應元件、磁頭和磁再現設備
[0120] PN結襯底隔離片上電感的優化設計方法
[0121] 表面處理裝置
[0122] 基于原位傳感器的半導體處理工序控制
[0123] 發光元件的制造方法
[0124] 信息處理結構體
[0125] 具有源極端選擇晶體管的嵌入式閃存
[0126] 集成電路芯片視覺對準方法
[0127] 碳化硅-氧化物層疊體及其制造方法以及半導體裝置
[0128] 半導體器件及其制作方法
[0129] 半導體器件的制造方法
[0130] 發光二極管背光板
[0131] 半導體裝置的制造方法
[0132] 一種鎢塞阻擋層淀積工藝及其結構
[0133] 半導體元件的安裝方法及半導體元件安裝基板
[0134] 晶片級封裝方法及結構
[0135] 帶有不同硅厚度的絕緣膜上硅裝置
[0136] 顆粒除去裝置和顆粒除去方法及等離子體處理裝置 [0137] 用于浸漬處理的高級處理控制
[0138] 光電子器件
[0139] 制造精細結構之無阻光刻方法
[0140] 具有硅化物薄膜的半導體器件及其制造方法
[0141] 半導體器件及其制造方法
[0142] 利用激光結晶形成多晶系膜層的方法
[0143] 等離子體蝕刻方法
[0144] 半導體裝置及其制造方法
[0145] 一種具有反相雙輸出的極***錯型壓電陶瓷變壓器
[0146] 用標準集成電路工藝設計低寄生電容差分驅動對稱電感的方法
[0147] 電子束描繪裝置和電子束描繪方法
[0148] 具有埋設金屬硅化物位線的金屬氧氮氧半導體裝置
[0149] 將保護帶接合到半導體晶片的方法和裝置
[0150] 半導體集成電路裝置
[0151] 具有制作在不同晶向晶片上的器件層的三維CMOS集成電路
[0152] 半導體裝置及其制造方法
[0153] 發光二極管
[0154] 一種用于淺溝槽隔離技術的化學機械拋光工藝
[0155] 制造半導體器件的方法
[0156] 具溝槽晶體管的存儲單元 [0157] 偏轉變形校正系統和方法以及半導體器件的制造方法
[0158] 用于化學機械拋光的***性拋光墊板
[0159] 用于使N-溝道與P-溝道晶體管個別最佳化的差別隔離層的形成方法
[0160] 制作一半導體發光元件的方法
[0161] 利用氧化線間隙壁與回蝕刻制造DRAM晶胞結構的方法
[0162] 模擬電路圖形評估方法、半導體集成電路的制造方法、測試襯底以及測試襯底組
[0163] 制作太陽能電池的方法及由此制作的太陽能電池
[0164] 包含金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
[0165] 有改善的較小正向電壓損耗和較高截斷能力的半導體結構
[0166] 非易失存儲單元的制造
[0167] 熱電變換裝置
[0168] 半導體封裝器件及其制造和測試方法
[0169] 芯片夾心裝置之互連及其制造方法
[0170] 制作高寬高比的電極的方法
[0171] 制造半導體器件的方法
[0172] 雙大馬士革結構中刻蝕阻擋層的旋涂法制備
[0173] 一種發光二極管的結構及其制造方法
[0174] 同時制造各種尺寸的隔離結構的方法
[0175] 用于銅布線化學機械拋光的清洗液提供裝置
[0176] 能防止濕式清潔過程導致之損壞的半導體裝置的制造方法 [0177]將半導體晶片與支承件分離的方法以及使用該方法的裝置
[0178] 布線基板及其制造方法以及薄膜晶體管及其制造方法
[0179] 半導體器件及其制造方法
[0180] 半導體器件及制作一低溫多晶硅層的方法
[0181] 包括有薄氧化物內襯的半導體裝置及其制法
[0182] 微型薄膜溫差電池的制造方法
[0183] 減輕緊鄰表面***分散噴流之間交叉污染的方法和裝置
[0184] 一種瀑布載流子俘獲結構有機發光二極管的制造方法
[0185] 基于優化遺傳算法改進軟硬件劃分效率的技術實現方法
[0186] 二極管電路及其制造方法
[0187] 反射板和發光二極管用殼體及其發光二極管
[0188] 半導體器件以及半導體器件的驅動電路
[0189] 光學器件及其制造方法
[0190] 配線襯底及其制造方法
[0191] 單一晶體管型隨機存取存儲器的制造方法及其電容器結構
[0192] 大面積碳化硅器件及其制造方法
[0193] 用多官能碳硅烷制造介電層的方法
[0194] 液冷式電功率轉換裝置
[0195] 通過離子注入制造高電壓MOS晶體管的方法
[0196] 半導體器件 [0197] 半導體器件及其制造方法
[0198] 具有對氮化物肩部高度敏感性的自對準接觸蝕刻
[0199] 應用于半導體制備工藝中的斜面制造方法
[0200] 用于太陽能電池的防護玻璃罩
[0201] 閥裝置和熱處理裝置
[0202] 流體供給裝置
[0203] 低電阻形脊結構
[0204] 功率模塊及其連接方法
[0205] 具有多晶硅熔絲的半導體器件及其微調方法
[0206] 高亮度的發光元件及其制造方法
[0207] 表面處理方法
[0208] 電性程序化的金屬氧化半導體晶體管源極/漏極串聯電阻
[0209] 管芯底部與支撐板分隔開的表面安裝封裝
[0210] 薄膜晶體管陣列基板的制造方法
[0211] 氮化物半導體發光器件及其制造方法
[0212] 控制薄膜晶體管及其制造方法與含其的電致發光顯示裝置
[0213] 制造電子器件的方法
[0214] 半導體晶片的加工方法
[0215] 光半導體集成電路裝置的制造方法
[0216] 電路裝置及其制造方法 [0217] 用于半導體工藝中高級工藝控制的動態度量方案和取樣方案
[0218] 集成電路系統及其制造方法
[0219] 帶電粒子束描繪方法和帶電粒子束描繪裝置
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