半導體結構技術 半導體裝置工藝半導體元件技術工藝匯編
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半導體結構技術 半導體裝置工藝 半導體元件技術工藝匯編部分目錄如下:
[ [0001] 電鍍裝置
[0002] 在減低壓力的情況下摻雜、擴散及氧化硅片的方法和裝置
[0003] 溝槽式肖特基勢壘整流器及其制作方法一種溝槽式肖特基勢壘整流器和制作這種整流器的方法。該整流器包括：()一個具有第一表面和相對的第二表面的半導體區，該半導體區包括一個與第一表面鄰接的第一導電類型的漂移區和一個與第二表面鄰接的第一導電類型的陰極區，該漂移區具有比所述陰極區低的凈摻雜濃度。(b)多個從第一表面延伸進入半導體區的溝槽。該溝槽在所述半導體區內定義出多個臺面，這些溝槽形成了多個溝槽的交叉點。(c)在溝槽底部和溝槽側壁的較低部分覆蓋于半導體區上的氧化物層。(d)在溝槽內的氧化物層上布置的一個多晶硅區；()在溝槽交叉點的絕緣區，其覆蓋于所述多晶硅區的一部分和氧化物層的一部分。
[0004] 溝槽式電容及其形成方法
[0005] 具有溝渠絕緣的半導體電路裝置及其制造方法
[0006] 半導體器件
[0007] 具有雙字線結構的半導體存儲器件
[0008] 抬升及支撐裝置
[0009] 通過離子注入產生具有本征吸除的絕緣體襯底硅結構的方法
[0010] 芯片引線框架
[0011] 等離子體處理裝置
[0012] 半導體裝置及其制造方法
[0013] 電子組件制造方法
[0014] 采用單晶SiC檢測電磁輻射
[0015] 半導體裝置、電子設備及它們的制造方法，以及電子儀器
[0016] 氮氧化合物淺溝槽隔離及其形成方法 [0017] 有機絕緣膜的蝕刻方法和雙波紋處理方法
[0018] 以電化學機械研磨法進行基材平坦化
[0019] 具有整合于殼體并由共享接觸夾完成接觸之至少兩芯片之半導體組件
[0020] 電子元件裝置及其制造方法
[0021] 活化P-型半導體層的方法
[0022] 改變漿料中氧化劑的濃度進行化學機械拋光(CMP)的方法
[0023] 氮化物半導體器件
[0024] 光源連接件、發光裝置、圖案化導體以及用于制造光源連接件的方法
[0025] 用于集成電路的冷卻裝置
[0026] 容納盤狀物體的裝置和該物體的搬運裝置
[0027] 采用回蝕工藝的低缺陷SiG的層移植
[0028] 增加信道載子流動性的結構
[0029] 生產硅絕緣體材料的方法
[0030] 用于電氣部件的鈍化材料及多層結構的壓電部件
[0031] 防止阻擋層被過度蝕刻的方法與結構及其應用
[0032] 降低應力遷移的多重金屬內連線布局及其制造方法
[0033] 擴散器和快速循環腔室
[0034] 半導體裝置、電子設備及它們制造方法，以及電子儀器
[0035] 溝渠電容器氧化物頸圈之制造方法
[0036] 半導體元件的散熱器 [0037] 半導體裝置及其制造方法、電子設備及其制造方法
[0038] 汽化器、使用汽化器的各種裝置以及汽化方法
[0039] 半導體裝置及其制造方法
[0040] 場效應晶體管
[0041] 用于熱處理襯底的方法和裝置
[0042] 用于處理晶片的設備和方法
[0043] 用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
[0044] 有帶集成濾色層的微透鏡的圖像傳感器及其制造方法
[0045] 氣相生長裝置
[0046] 等離子體清洗氣體和等離子體清潔方法
[0047] 互連的摻雜劑界面的形成
[0048] 用于安裝襯底操作系統的基準板
[0049] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[0050] 不具有小凸起的柵層及其制造方法
[0051] 電子裝置及其制造方法
[0052] 含有連接髮光金屬配合物的聚合物和由這種聚合物制成的裝置
[0053] 電子電路裝置
[0054] 光接收裝置及其制造方法和包括該裝置的光電集成電路
[0055] 半導體裝置、電子設備、載體基板及它們的制法、電子儀器
[0056] 發光二極管的熱傳導及光度提升結構的改進 [0057] 電路制作方法
[0058] 淺結半導體器件的制造方法
[0059] 拋光方法及研磨液
[0060] 雙柵極場效應晶體管及其制造方法
[0061] 利用無引線電鍍工藝制造的封裝基片及其制造方法
[0062] 靜電吸盤裝置用電極板和使用它的靜電吸盤裝置
[0063] 等離子體處理裝置及等離子體處理方法
[0064] 半導體器件
[0065] 多輸出超小型功率變換裝置
[0066] 硅基微機械微波/射頻開關芯片的制備方法
[0067] 感光元件封裝材料組合物及其使用方法
[0068] ***組件和方法
[0069] 光生伏打裝置和具有透明導電膜的元件
[0070] 金屬材料的黏著方法
[0071] 熱處理裝置以及熱處理方法
[0072] 半導體元件的錫焊方法與半導體裝置
[0073] 布線基板
[0074] 太陽能電池及其制備方法
[0075] 包括熱分布板和邊緣支撐的組合裝置
[0076] 半導體鰭式元件的接觸窗及其制造方法 [0077] 垂直結型場效應半導體二極管
[0078] 利用在氫氣環境中退火在碳化硅層上制備氧化物層的方法
[0079] 氮化鎵基發光二極管N型層歐姆接觸電極的制作方法
[0080] 具高效率散熱的發光二極管模塊
[0081] 可拆除基片或可拆除結構及其生產方法
[0082] 硅光電器件和使用該器件的光信號輸入和/或輸出裝置
[0083] 等離子體處理裝置及靜電吸盤的制造方法
[0084] 半導體集成電路器件的制造方法
[0085] 具有能量吸收結構的集成電路
[0086] 半導體器件及其制造方法
[0087] 具有輸入輸出端子可配置功能的芯片及其方法
[0088] 內嵌單層多晶硅非易失性存儲器的集成電路
[0089] 非易失性半導體存儲器
[0090] 第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件
[0091] 光電子器件集成
[0092] ***器、***器組件及使用這種***器的裝置組件
[0093] 用于清洗襯底表面的晶片清洗組件及其方法
[0094] 選擇制造光掩模的掩模制造商的方法
[0095] 基于氮化鎵的發光二極管及其制造方法
[0096] 有機發光二極管顯示器的薄膜電晶體導線結構以及制程 [0097] 多路復用器單元的布局結構
[0098] 半導體封裝結構及其電路板的電性軌跡
[0099] 用中心點加載直接在管芯上連接熱管
[0100] 降低制造過程中表面張力的襯底制備設備和方法
[0101] 倒裝芯片的高性能硅接觸
[0102] 電路裝置及其制造方法
[0103] 用于集成電路裝置的集成式環形線圈電感器
[0104] 布線基板
[0105] 具有共通源極導線的半導體結構
[0106] 模擬裝置
[0107] 半導體集成器件及用于設計該半導體集成器件的設備
[0108] 靜電吸盤的制造方法
[0109] 免焊接印刷電路板組合
[0110] 多種材料在電子器件的氣***封裝中的應用
[0111] ***冷卻的功率半導體器件熱沉
[0112] 相對于摻雜的碳化硅選擇蝕刻有機硅酸鹽玻璃的方法
[0113] 三維結構存儲器的制造方法及使用方法
[0114] 硅化釕處理方法
[0115] 氣相淀積設備
[0116] 磁性傳感器及其制造方法 [0117] 側面擴散金屬氧化半導體晶體管的結構及其制作方法
[0118] 具有在被釘扎層中含半金屬鐵磁性哈斯勒合金的交換耦合結構的磁電阻器件
[0119] 層疊型半導體封裝件
[0120] 薄膜晶體管及其生產方法
[0121] 由記憶效應電致發光單元矩陣構成的圖像顯示面板
[0122] 具有形成凹凸的基板的半導體發光元件
[0123] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子儀器
[0124] 互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法
[0125] 半導體器件及其制造方法
[0126] 半導體裝置及其制造方法
[0127] 低密度低膨脹系數高熱導率硅鋁合金封裝材料及制備方法
[0128] 半導體器件
[0129] 基板的處理裝置及運送裝置調整系統
[0130] 陶瓷靜電卡盤組件及其制備方法
[0131] 外延生長基座與外延生長方法
[0132] 發光二極管光源組件
[0133] 存儲器胞元存儲器胞元排列及制造方法
[0134] 發光顯示器及其制造方法
[0135] 第三族氮化物半導體器件和其生產方法
[0136] 超大規模集成電路驗證的可滿足性問題的解決方法 [0137] 半導體器件及其制造方法
[0138] 發光二極管的熱傳導及光度提升結構的改進
[0139] 一種切割裝置
[0140] 形成接觸孔的方法
[0141] 利用犧牲材料的半導體構造及其制造方法
[0142] 相變存儲器單元的雙溝槽隔離結構及其制造方法
[0143] 制造有機發光二極管的方法和有機發光二極管
[0144] 氮化鎵基發光二極管管芯的制作方法
[0145] 聚焦離子束(FIB)傳感器電路
[0146] 光源組件
[0147] 半導體器件的制造方法和半導體器件的制造設備
[0148] 量子裝置
[0149] 用于半導體處理系統的功率分配印刷電路板
[0150] 半導體器件及其制造方法
[0151] 設有浪涌保護電路的半導體裝置
[0152] 半導體基板中增加儲存電容之電容器排列
[0153] 具有高密度互連的電子封裝件和相關方法
[0154] 高耐電壓場效應型半導體設備
[0155] 用于場致發光顯示裝置的襯底和所述襯底的制造方法
[0156] 半導體保護元件、半導體器件及其制造方法 [0157] 低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法
[0158] 用于半導體制造的雙層光阻制造方法
[0159] 制造高壓雙柵裝置的方法
[0160] 用于防止集成電路過熱的故障保護機制
[0161] 具增加擊穿電壓的半導體結構及制造該半導體結構的方法
[0162] 半導體器件及其制造方法
[0163] 包括具有不同結晶度的半導體薄膜的半導體器件及其基片和制作方法、以及液晶顯...
[0164] 具有連接焊盤的半導體器件及其制造方法
[0165] 基板處理裝置和基板處理方法
[0166] 具有較低柵極電荷結構的溝槽MOSFE
[0167] 超小間距毛細管
[0168] 有源矩陣電致發光顯示板及制作這種顯示板的方法
[0169] 處理裝置和處理方法
[0170] 經過改良的表面固定包裝
[0171] 晶體管和包括該晶體管的顯示器件
[0172] 具有使用凹切柵極的局部SONOS結構的閃存及其制造方法
[0173] 發光二極管光源組件
[0174] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子儀器
[0175] 用于改進碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管中反向層遷移率的方法
[0176] 局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅結構及其制造方法 [0177] 半導體器件及其形成方法
[0178] 半導體裝置及其制造和安裝方法、電路基板以及電子機器
[0179] 具多晶硅射極雙極性晶體管的制造方法
[0180] 半導體裝置
[0181] 電子裝置及其制造方法
[0182] 半導體裝置及其制造方法
[0183] 熱處理裝置和熱處理方法
[0184] 半導體器件
[0185] 裝備有電極的透明基片
[0186] 半導體裝置的制造方法
[0187] 樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[0188] 在圓片和儀器上形成半導體器件的光刻方法
[0189] 包含多個集成電路器件的單個封裝件
[0190] 生產燈的方法
[0191] 探測器裝置和探測器測試方法
[0192] 薄板狀保護膜
[0193] 磁性存儲器及其驅動方法、以及使用它的磁性存儲器裝置
[0194] 通過ILD柱結構性加強多孔隙、低K介電薄膜
[0195] 基于單電子儲存的動態存儲器
[0196] 晶片干燥方法和裝置 [0197] 光電池
[0198] 具有集成器件的數據載體
[0199] 具有提升的非本征基極的雙極晶體管
[0200] 清除由形成通孔的處理所產生的蝕刻殘余物的方法
[0201] 引線框架及其制造方法
[0202] 半導體霍爾傳感器
[0203] 半導體裝置
[0204] 用于控制摻碳氧化物薄膜的蝕刻偏差的方法
[0205] 具有抬升的源極和漏極結構的金氧半晶體管及其制造方法
[0206] 具遲延組件之集成模塊
[0207] 用于洗滌顯像光阻層的方法和揮發溶液
[0208] MOS晶體管柵角的增強氧化方法
[0209] 半導體裝置、電子設備及它們的制造方法，以及電子儀器
[0210] 半導體工藝用的具有遠程第二陽極的電鍍系統
[0211] 具有增強的亮度和優先視角的平面板彩色顯示器
[0212] 電子裝置及其制造方法
[0213] 封裝結構及其制作方法
[0214] 用于超大規模集成的多層銅互連的方法
[0215] 外延薄膜
[0216] 薄膜晶體管的制造方法 [0217] 半導體裝置及其制造方法
[0218] 切割方法、集成電路元件的檢查方法、基板保持裝置和粘接薄膜
[0219] 制造半導體器件的方法
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