UDP650和UDP850 UDP (Uniform Deposition and Plasma)系統引進瞭TEER的專利技術CFUBMSIP（close field unbalanced magnetron sputter ion plating），優化沉積層的狀況，使其致密度高，硬度高，並且有優異的結合強度。其在UK的專利號是2258343，在美國的專利號是5554519，在歐洲的專利號是0521045。

UDP的優勢在於

   1.用高濃度的低能轟擊粒子來沉積鍍層

   2.沉積的鍍層具有致密，非柱狀晶結構，同時能保持很低的內應力

   3.在低溫條件下沉積致密的鍍層

   4.高效的粒子清洗使鍍層有非常好的結合力

   5.非常容易沉積氮化物，碳化物，氧化物

   6.非常容易沉積先進的多層鍍層

   另外，此設備另外一個突出特點是穩定性好，可重復性好，可鍍出性能穩定均一，質量優異的薄膜。

UDP650和UDP850均采用光學粒子發射監測器監控反應鍍層的沉積過程，特別設計的“PLASMAG”濺射源等都為高質量的鍍層提供瞭可靠的設備條件。

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