20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-溝道增強型 MOS
VDS= 20V
RDS(ON),[email protected],[email protected]= 38m?
RDS(ON),[email protected],Ids@5A= 28m?
Features 特性
Advanced trench process technology 高級的加工技術
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 極低的導通電阻高密度的單元設計
High Power and Current handing capability 大功率、大電流
Ideal for Li ion battery pack applications 理想的鋰電池應用
新手教學
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