BFR520

簡介

BFR520矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態范圍和理想的電流特性。主要應用於超高頻低噪聲功率管主要應用於VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產於PHILIPS，現在國內也有公司生產。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研制開發瞭系列高頻微波三極管，還包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品相同。

BFR520參數

類別：NPN-矽通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管   

　　集電療-發射極電壓VCEO：15V

集電療-基極電壓VCBO:20V

發射極-基極電壓VEBO:2.5V

集電療直流電流IC:120mA

總耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW

工作結溫Tj:150℃

貯存溫度Tstg:-65~150℃

封裝形式：SOT-23

功率特性：中功率

極性：NPN型

結構：擴散型

材料：矽(Si)

封裝材料：塑料封裝

電性能參數（TA=25℃）：

擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V

直流放大系數hFE: 40～250 @VCE=8V,IC=40mA

集電療-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)

發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)

特征頻率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA

集電療允許電流IC：0.12（A）

集電療最大允許耗散功率PT：0.5（W）

功率增益GUM：14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

噪聲系數NF：1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

插入功率增益∣S21∣：13dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。

新手教學

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