參數：
標準包裝 2,500
包裝 帶卷 （TR）
FET 類型 MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)40V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）6.7A （Ta）， 14A （Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）44 毫歐 @ 6.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)29nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)1550pF @ 20V
功率 - 最大值 3W
安裝類型 表麵貼裝
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝 TO-252
其它名稱 FDD4243TR
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