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1.概 念:
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬於電壓控制型半導體器件.
2.特 點:
具有輸入電阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、熱穩定性好等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.
3.作 用:
場效應管可應用於放大.由於場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器. 場效應管可以用作電子開關. 場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源.
4.場效應管的分類:
場效應管分結型、絕緣柵型(MOS)兩大類，按溝道材料:
結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;
按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的.
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類.
5.場效應管的主要參數:
Idss— 飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.
Up— 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.
Ut— 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓.
gM— 跨導.是表示柵源電壓
UGS— 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.
gM — 是衡量場效應管放大能力的重要參數.
BVDS— 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小於BVDS.
PDSM— 最大耗散功率,也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小於PDSM並留有一定餘量.
IDSM— 最大漏源電流.是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過IDSM。
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