H-mount-808nm單管半導體激光器
正負電療完全與熱沉電絕緣
高效率傳導散熱
散熱途徑優化設計
優越的熱穩定性
可靠度高
照明用光源
其他半導體激光器封裝原件
產品技術參數(25°C條件下測試)
技術參數 | 符號 | 單位 | H-mount-3-808 | H-mount-5-808 |
光學參數 | ||||
連續輸出功率 | Pop | W | 3 | 5 |
中心波長 | l | nm | 808 | |
光譜寬度 | FWHM | nm | 3 | |
波長變化范圍 | - | nm | ?±3 | |
波長溫漂系數 | - | nm/℃ | ~0.21 | |
發光區寬度 | A | mm | 100 | 200 |
電參數 | ||||
閾值電流 | Ith | A | 0.5 | 0.7 |
工作電流 | Iop | A | 3.2 | 5.5 |
工作電壓 | Vop | V | 1.8 | 1.8 |
能量轉換效率 | h | % | >50 | |
其他參數 | ||||
工作溫度 | Top | ℃ | 20~30 | |
儲存溫度 | Tst | ℃ | -30~80 | |
熱阻 | Rth | nm/W | 0.7 | 0.3 |
Life time | MTTF | hr | >10,000 |
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