選航空用的TC4、TA7鈦合金，試件制成圓盤狀，尺寸為40*5mm，所有試件表麵均拋光至鏡麵.
1.2 離子註入條件 兩種鈦合金都分別采用兩種註入方案：
① 在TC4及TA7鈦合金試件上濺射鍍Ti，Ti膜總厚度為540nm(5400A).在鍍Ti膜過程中，同時用(N+ +N+2)進行動態反沖註入，束流能量為50keV，束流密度為45μA/cm2，劑量為7*1017/cm2，靶室真空度為1.33*10-2Pa；
② 在①的基礎上，再註入C+，束流能量為40keV，劑量為3*1017/cm2.
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