氮化鋁可用於作真空蒸發和熔煉金屬的容器，特別適於作真空蒸發鋁的坩堝，因為氮化鋁在真空中加熱蒸汽壓低，即使分解，也不會 污染鋁。氮化鋁也可以作熱電偶保護套，在空氣中 800——1000 ℃鋁池中連續浸泡 3000h以上也沒有侵蝕破壞。在半導體工業中，用 氮化鋁坩堝代替石英坩堝合成砷化稼，可以完全消除 Si對砷化稼的污染而得到高純產品。 含有 Si，Mg O的熱壓Al N制品，其導熱系數達0.63W/cm.K，可以用作集成電路基板。產品的熱壓溫度為1800 ℃，壓力 30 時間30min.加入 CaF 2 可以減少 Al N的摩擦系數，因此可用作潛水泵減磨零件。但添加量10%以上時，在酸堿溶液中的穩定性很高，同無添加劑的Al N制品相近。 Al N和Al2O3反應可生成單相立方氮氧尖晶石，它有很好的高溫強壓，1500 ℃ 時強度仍保持在 500M Pa，它的化學穩定性更高，是很好的耐火材料。 此外，氮化鋁熱膨脹系數小，導熱性好，還有高的強度，因此可用作高溫構件、熱交換器等 包裝：氮化鋁包裝於高壓塑料袋中，每袋凈重為 1公斤，也可按照客戶的要求包裝。

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