1 電路結構
如圖1 所示是晶振的整體電路.R1為反相器invl提供偏置,使其中的MOS管工作在飽和區以獲得較大的增益;C1,C2和雜散電容一起構成晶體的電容負載, 同時它們和反相器invl一起可以等效為一負阻, 為晶體提供其振蕩所需要的能量; R2用來降低對晶體的驅動能量, 以防止晶體振壞或出現異常; 反相器inv2對invl的輸出波形整形並驅動負載.
圖2 所示為晶體的等效電路,Cp是晶體兩個引腳間的電容, 對於不同的晶體, 其值在2~ 5pf之間; Rs是晶體的等效串連電阻, 其值表示晶體的損失;Cs和Ls分別為晶體的等效串連電容和電感, 這兩個值決定瞭晶體的振蕩頻率.

2 電路原理分析
圖1 所示的晶振電路假如滿足巴克豪林準則就可以振蕩. 從負阻的角度來分析電路的工作原理.提供負阻的電路如圖3(a)所示, 由反相放大器和表晶兩真個負載電容構成.

M1可以替換圖1中的invl,忽略溝道長度調制效應、體效應和晶體管的寄生電容. M1的漏電流即是(-I=/C1s)gm ,所