商品代碼:3151692

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    HAT2114 全新原裝 RENESAS 專營MOS管 場效應管
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    商品詳細說明
    類型:其他IC 品牌:RENESAS/瑞薩 型號:HAT2114
    功率:A 封裝:SOP-8 封裝外形:SMD(SO)/表麵封裝
    溝道類型:資料 種類:絕緣柵(MOSFET)

    場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

     

    場效應管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經溝道的ID,用以門極與溝道間的pn結形成的反偏的門極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道截麵積,它是由pn結反偏的變化,產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域,表示的過渡層的擴展因為不很

    大,根據漏極-源極間所加VDS的電場,源極區域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,並不是電流被切斷。

    在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,隻有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

     

    金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

     

    深圳市利捷世紀電子有限公司

     

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