| 應用范圍：放大 | 品牌：桂微牌 | 型號：A733/CS |
| 材料：矽 | 封裝形式：貼片型 | 集電療最大允許電流ICM：0.15 |
| 極性：NPN型 | 截止頻率fT：50 | 結構：點接觸型 |
| 封裝材料：塑料封裝 | 加工定制：是 |
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong MicroElectronics Co.,Ltd.
GMA733
■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
| Symbol
符號
| Rating
額定值
| Unit
單位
|
Collector-Base Voltage
集電療-基極電壓
| VCBO
| -60
| Vdc
|
Collector-Emitter Voltage
集電療-發射極電壓
| VCEO
| -50
| Vdc
|
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
| VEBO
| -5.0
| Vdc
|
Collector Current-Continuous
集電療電流-連續
| Ic
| -150
| mA
|
Collector Power Dissipation
集電療耗散功率
| PC
| 200
| mW
|
Junction Temperature
結溫
| Tj
| 150
| ℃
|
Storage Temperature Range
儲存溫度
| Tstg
| -55～150
| ℃
|
■DEVICE MARKING打標
GMA733(A733LT1)=CS
HFE:120-220 200-475
|
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GMA733
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted如無特殊說明,溫度爲25℃)
Characteristic
特性參數
| Symbol
符號
| Test Condition
測試條件
| Min
最小值
| Typ
典型值
| Max
最大值
| Unit
單位
|
Collector Cutoff Current
集電療截止電流
| ICBO
| VCB=-60V,
IE=0
| —
| —
| -0.1
| μA
|
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
| IEBO
| VEB=-5V,
IC=0
| —
| —
| -0.1
| μA
|
Collector-Base Breakdown Voltage
集電療-基極擊穿電壓
| V(BR)CBO
| IC=-5μA
| -60
| —
| —
| V
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電療-發射極擊穿電壓
| V(BR)CEO
| IC=-1.0mA
| -50
| —
| —
| V
|
Emitter-Base Breakdown Votlage
發射極-基極擊穿電壓
| V(BR)EBO
| IE=-50μA
| -5
| —
| —
| V
|
DC Current Gain
直流電流增益
| HFE
| VCE=-6V,
IC=-1mA
| 120
| —
| 475
| —
|
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電療-發射極飽和壓降
| VCE(sat)
| IC=-100mA, IB=-10mA
| —
| —
| -0.3
| V
|
Base-Emitter Saturation
基極-發射極電壓
| VBE
| VCE=-6V,
IC=-1mA
| —
| —
| -0.68
| V
|
Transition Frequency
特徵頻率
| fT
| VCE=-6.0V,
IC=-10mA
| 50
| —
| —
| MHz
|
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GMA733
■DIMENSION外形封裝尺寸
單位(UNIT)：mm
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