·Features

1)Maximum optical power output :100 mW(cw)

2)High power (pulse MAX  260mW)

3)Wavelength ：TYP=658nm

4)High coupling efficiency,The ellipticity (Θ丄/Θ〢)is close to 1.8.

5)5.6mm package.TO-18

·Absolute Maximum Ratings 

    Parameter/Symbol -------Rating/Unit

1）Light output power/cw-----100mw

2）Light output power/pulse--260mw

3）Reverse voltage/VRL-------  2V

4）Case temperature/Tc------- -10~+75℃

5）Storage temperature/Tstg-- -40~+100℃

·Electrical/optical Characteristics(Tc=25℃)

  Parameter/----Symbol-Testconditions--Min/Typ/Max-Unit

1)Threshold current/ith-----cw--------_-_/65_/_-_-mA

2)Operating current/iop-cw,po=80mw--_-_/170/_-_-mA

3)Operating voltage/vop-cw,po=80mw--_-_/2.5/3.0-V

4)Slope efficiency/--h--cw,po=80mw--_-_/0.95/_-_-mw/mA

5)Peak wavelength/--λp--cw,po=80mw--654/658/662-nm

6)Beam divergence angle-cw,po=80mw--7__/9.5/12_-(parallel/Θ丄)

7)Beam divergence angle-cw,po=80mw--14_/17_/20_-(perpendicular/Θ〢)

半導體激光二極管LD在工作中易退化的四大原因

半導體激光二極管LD本身比較嬌嫩，從它剛出現就麵臨著使用壽命的問題，經過不斷的研究改進，目前激光二極管LD的壽命可達1萬小時，以能夠滿足光纖通信使用的需要。激光二極管LD在工作中易退化的原因主要有以下幾個方麵：
1，半導體激光二極管LD的管芯極小，工作電流密度和光功率密度很高，而作為激光物質的半導體單晶材料又較容易發生缺陷，這些缺陷在電和光的作用下逐漸發展，從而引起器件性能的退化。
2，半導體激光二極管LD的鏡麵是用解理工藝形成的，鏡麵本身受到環境條件影響而污染也會也會導致激光二極管LD性能退化。
3，激光二極管LD的管芯焊接也是關鍵技術，管芯焊在熱沉之上，而有源去距離熱沉隻有幾微米；半導體激光二極管LD工作會發熱，如果焊料太多，受熱時會發生緩慢的攀移，使半導體激光二極管LD發生短路，導致激光二極管LD退化。
4，隨著工作時間的延長，激光二極管LD的閾值電流會緩慢增加，從而導致激光二極管LD退化。

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